diethylaminoborane | 18494-92-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: diethylaminoborane
• 英文别名: Diethylamino borane
• CAS: 18494-92-3
• 化学式: C₄H₁₀BN
• 分子量: 82.9411
• InChiKey: HUQOFZLCQISTTJ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.41
• 重原子数：
  6
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  3.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  diethylaminoborane 以 gaseous matrix 为溶剂， 生成 氮化硼
  参考文献：
  名称：

  MOCVD growth of boron nitride films from single sourceIII–Vprecursor

  摘要：

  通过低压 MO-CVD（金属有机化学气相沉积）技术，在 450°C 下从二乙胺硼烷在硅和镍基底上沉积出了氮化硼 (BN) 的 sp2 和 sp3 相，并通过傅里叶变换红外光谱 (FTIR) 和 X 射线衍射 (XRD) 对薄膜进行了表征。

  DOI：

  10.1039/c39930000684

文献信息

• MOCVD growth of boron nitride films from single source<scp>III</scp>–<scp>V</scp>precursor
  作者：A. Ratna Phani、G. Sarala Devi、Sujit Roy、V. J. Rao

  DOI：10.1039/c39930000684

  日期：——

  The sp2 and sp3 phases of boron nitride (BN) have been deposited on Si and Ni substrates by low pressure MO-CVD (metal organic chemical vapour deposition) at 450 °C from diethylaminoborane and the films were characterised by Fourier transform infrared (FTIR) and X-ray diffraction (XRD); a plausible mechanism of CVD is proposed from gas-phase decomposition studies, and to our knowledge this is the first report of the growth of BN by MO-CVD using a single source.

  通过低压 MO-CVD（金属有机化学气相沉积）技术，在 450°C 下从二乙胺硼烷在硅和镍基底上沉积出了氮化硼 (BN) 的 sp2 和 sp3 相，并通过傅里叶变换红外光谱 (FTIR) 和 X 射线衍射 (XRD) 对薄膜进行了表征。