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2-heptadecylthieno[3,4-d]selenazole

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
2-heptadecylthieno[3,4-d]selenazole
英文别名
2-Heptadecylthieno[3,4-d][1,3]selenazole;2-heptadecylthieno[3,4-d][1,3]selenazole
2-heptadecylthieno[3,4-d]selenazole化学式
CAS
——
化学式
C22H37NSSe
mdl
——
分子量
426.568
InChiKey
LGIILDNUYIUCMJ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    7.77
  • 重原子数:
    25
  • 可旋转键数:
    16
  • 环数:
    2.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.77
  • 拓扑面积:
    41.1
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    2

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    2-heptadecylthieno[3,4-d]selenazoleN-溴代丁二酰亚胺(NBS) 作用下, 以 四氢呋喃 为溶剂, 反应 3.0h, 以78.3%的产率得到4,6-dibromo-2-heptadecylthieno[3,4-d][1,3]selenazole
    参考文献:
    名称:
    신규 셀레나졸 단량체 및 그 제조방법
    摘要:
    该专利涉及一种新的硒唑单体及其制备方法。该方法包括将硒引入酰胺中,通过一系列化学反应合成具有π-共轭结构的硒唑单体。该单体具有比传统硒唑更强的导电性,可应用于高导电性聚合物合成。此外,该单体还具有提高溶解度和增强导电性等优点,在电子设备如太阳能电池、透明导电体、薄膜晶体管和有机发光二极管等方面具有潜在应用价值。 该专利还详细描述了制备这种新型硒唑单体的具体步骤,包括将磷化氢与硒混合加热合成磷硒化物,再与戊二腈反应生成十八烷基硒酰胺,接着通过添加二乙基2-氯-3-氧代琥珀酸酯、锂铝氢化物、溴代甲基、二乙基醚、磷酸三溴酯等试剂,经过多步反应最终得到目标产物。 总的来说,该专利提供了一种高效的方法来合成具有π-共轭结构的硒唑单体,这些单体有望在电子设备制造中发挥重要作用。
    公开号:
    KR101943306B1
  • 作为产物:
    描述:
    十八烷腈吡啶 、 lithium aluminium tetrahydride 、 sodiumsulfide nonahydrate 、 tetraphosphorus decaselenide三溴化磷2,3-二氯-5,6-二氰基-1,4-苯醌 作用下, 以 四氢呋喃乙醇甲苯 为溶剂, 反应 81.0h, 生成 2-heptadecylthieno[3,4-d]selenazole
    参考文献:
    名称:
    신규 셀레나졸 단량체 및 그 제조방법
    摘要:
    该专利涉及一种新的硒唑单体及其制备方法。该方法包括将硒引入酰胺中,通过一系列化学反应合成具有π-共轭结构的硒唑单体。该单体具有比传统硒唑更强的导电性,可应用于高导电性聚合物合成。此外,该单体还具有提高溶解度和增强导电性等优点,在电子设备如太阳能电池、透明导电体、薄膜晶体管和有机发光二极管等方面具有潜在应用价值。 该专利还详细描述了制备这种新型硒唑单体的具体步骤,包括将磷化氢与硒混合加热合成磷硒化物,再与戊二腈反应生成十八烷基硒酰胺,接着通过添加二乙基2-氯-3-氧代琥珀酸酯、锂铝氢化物、溴代甲基、二乙基醚、磷酸三溴酯等试剂,经过多步反应最终得到目标产物。 总的来说,该专利提供了一种高效的方法来合成具有π-共轭结构的硒唑单体,这些单体有望在电子设备制造中发挥重要作用。
    公开号:
    KR101943306B1
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