N'-isopropyl-1,1-dimethyl-N,N-bis(trimethylsilyl)silanediamine | 139976-71-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: N'-isopropyl-1,1-dimethyl-N,N-bis(trimethylsilyl)silanediamine
• 英文别名: N-[[bis(trimethylsilyl)amino]-dimethylsilyl]propan-2-amine
• CAS: 139976-71-9
• 化学式: C₁₁H₃₂N₂Si₃
• 分子量: 276.645
• InChiKey: DRPNFVVSBZJFGU-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  254.1±23.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.828±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.66
• 重原子数：
  16.0
• 可旋转键数：
  5.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  15.27
• 氢给体数：
  1.0
• 氢受体数：
  2.0

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  N-(chlorodimethylsilyl)-N,N-bis(trimethylsilyl)amine 、 异丙胺 反应 5.0h， 以22.41 g的产率得到N'-isopropyl-1,1-dimethyl-N,N-bis(trimethylsilyl)silanediamine
  参考文献：
  名称：

  合成两种氨基硅烷作为 SiCxNy 薄膜的 CVD 前体：通过分子结构调整薄膜组成

  摘要：

  图形摘要摘要 衍生自六甲基二硅氮烷的两种氨基硅烷作为 SiCxNy 和相关薄膜的化学气相沉积 (CVD) 前体已有报道，并在必要时通过 1H、13C 和 29Si NMR 以及 EI-MS 和元素分析进行​​表征。通过同步热分析 (STA) 评估热稳定性、传输行为和蒸汽压。化学气相沉积在热壁 CVD 反应器系统中完成，以进一步证明这些化合物作为 CVD 前体的能力。最重要的是，生长薄膜的表征（XPS）证明薄膜的组成可以通过前体的分子结构来控制。结果表明了未来为 SiCxNy 和相关薄膜设计 CVD 前体的策略。

  DOI：

  10.1080/10426507.2018.1455682

文献信息

• Denis, Jean-Marc; Guenot, Pierre; Letulle, Marguerite, Chemische Berichte, 1992, vol. 125, # 6, p. 1397 - 1400
  作者：Denis, Jean-Marc、Guenot, Pierre、Letulle, Marguerite、Pellerin, Bruno、Ripoll, Jean-Louis

  DOI：——

  日期：——