记录并比较了所有同分异构的[C(4)H(12)Si-H](+)离子的亚稳态离子(MI)和碰撞诱导解离(CID)质谱。
氘标记实验表明,大多数前体会产生甲
硅烷基离子。发现具有两个或多个甲基基团的甲
硅烷基离子在异构化后会通过直接转移到适当的乙基甲
硅烷基离子上而失去C(2)H(4)。同样,发现所有同分异构的含丙基和丁基的甲
硅烷基离子会因解离前的重排而失去C(2)H(4)。在质谱仪的CI离子源中,发现许多
硅离子与离子源中存在的母体中性
硅烷聚集在一起,从而生成稳定的[M-H](+)+ M加合物离子。还获得了这些加成离子的MI和CID光谱。在除i-BuSiH(3)以外的所有加合物的MI光谱中,仅观察到起始
硅烷基离子。在CID条件下,甲
硅烷基离子的产生占主导地位。
氘标记研究表明,这种解离可能伴随一些重排,特别是对于i-BuSiH(3)的加合物。还进行了高压质谱聚类平衡测量,以确定甲
硅烷基离子与中性
硅烷结合