Trichlorsilyl-bis-trimethylsilyl-amin | 17042-59-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: Trichlorsilyl-bis-trimethylsilyl-amin
• 英文别名: Bis-(trimethylsilyl)-trichlorsilyl-amin；[Dimethyl-[trichlorosilyl(trimethylsilyl)amino]silyl]methane
• CAS: 17042-59-0
• 化学式: C₆H₁₈Cl₃NSi₃
• 分子量: 294.831
• InChiKey: IJKWPGZYUHSUNJ-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.11
• 重原子数：
  13
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  3.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  Trichlorsilyl-bis-trimethylsilyl-amin 在 lithium aluminium tetrahydride 作用下， 以 乙醚 为溶剂， 生成 Silyl-bis(trimethylsilyl)amin
  参考文献：
  名称：

  Wannagat,U. et al., Chemische Berichte, 1964, vol. 97, p. 2029 - 2036

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  六甲基二硅氮烷 在 正丁基锂 、 四氯化硅 作用下， 以 乙醚 、 正己烷 为溶剂， 反应 4.0h， 生成 Trichlorsilyl-bis-trimethylsilyl-amin
  参考文献：
  名称：

  合成两种氨基硅烷作为 SiCxNy 薄膜的 CVD 前体：通过分子结构调整薄膜组成

  摘要：

  图形摘要摘要 衍生自六甲基二硅氮烷的两种氨基硅烷作为 SiCxNy 和相关薄膜的化学气相沉积 (CVD) 前体已有报道，并在必要时通过 1H、13C 和 29Si NMR 以及 EI-MS 和元素分析进行​​表征。通过同步热分析 (STA) 评估热稳定性、传输行为和蒸汽压。化学气相沉积在热壁 CVD 反应器系统中完成，以进一步证明这些化合物作为 CVD 前体的能力。最重要的是，生长薄膜的表征（XPS）证明薄膜的组成可以通过前体的分子结构来控制。结果表明了未来为 SiCxNy 和相关薄膜设计 CVD 前体的策略。

  DOI：

  10.1080/10426507.2018.1455682

文献信息

• Beiträge zur chemie der silicium-stickstoff-verbindungen 87. Ein neues, unerwartetes Si,N,C-Spiran aus siliciumtetrachlorid undnatrium-bis(trimethylsilyl)amid
  作者：Ulrich Wannagat、Joachim Herzig、Hans Bürger

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)92950-4

  日期：1970.7

  Dropwise addition of SiCl4 to NaN(SiMe3)2 at 200° gives the compound C17H49N3Si7 almost quantitatively according to the equation: 7 SiCl4 + 28 NaN(SiMe3)2 → 19 NaCl + 9 NaN(SiMe3)2 + 3 Cl3Si–N(SiMe3)2 + 6 HN(SiMe3)2 + 3 C17H49N3Si7 + “Me3Si–N(SiMe3)2” (V)

  在200°下将SiCl 4滴加到NaN（SiMe 3）2中，几乎可以根据以下方程式定量获得化合物C 17 H 49 N 3 Si 7：7 SiCl 4 + 28 NaN（SiMe 3）2 →19 NaCl + 9 NaN （SiMe 3）2 + 3 Cl 3 Si–N（SiMe 3）2 + 6 HN（SiMe 3）2 + 3 C 17 H 49 N 3 Si 7 +“ Me 3 Si–N（SiMe 3）2英寸（V）
• Synthesis of N-trimethylsilyl-substituted organoaminosilanes and cyclodisilazanes
  作者：K. A. Andrianov、G. V. Kotrelev、V. V. Kazakova、I. E. Rogov

  DOI：10.1007/bf00921677

  日期：1975.11
• Wannagat,U. et al., Chemische Berichte, 1964, vol. 97, p. 2029 - 2036
  作者：Wannagat,U. et al.

  DOI：——

  日期：——
• Synthesis of two aminosilanes as CVD precursors of SiC_xN_yfilms: Tuning film composition by Molecular Structures
  作者：Liyong Du、Yanlong Bai、Wenxiang Chu、Yuqiang Ding

  DOI：10.1080/10426507.2018.1455682

  日期：2018.9.2

  aminosilanes derived from hexamethyldisilazane as chemical vapor deposition (CVD) precursors for SiCxNy and relevant films have been reported and characterized by 1H, 13C, and 29Si NMR as well as by EI-MS and elemental analysis, where necessary. Thermal stability, transport behavior and vapor pressures were evaluated by simultaneous thermal analyses (STA). Chemical vapor deposition was accomplished in

  图形摘要摘要 衍生自六甲基二硅氮烷的两种氨基硅烷作为 SiCxNy 和相关薄膜的化学气相沉积 (CVD) 前体已有报道，并在必要时通过 1H、13C 和 29Si NMR 以及 EI-MS 和元素分析进行​​表征。通过同步热分析 (STA) 评估热稳定性、传输行为和蒸汽压。化学气相沉积在热壁 CVD 反应器系统中完成，以进一步证明这些化合物作为 CVD 前体的能力。最重要的是，生长薄膜的表征（XPS）证明薄膜的组成可以通过前体的分子结构来控制。结果表明了未来为 SiCxNy 和相关薄膜设计 CVD 前体的策略。