1,2W2(CH2-t-Bu)2(O-i-Pr)4 | 101860-13-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: 1,2W2(CH2-t-Bu)2(O-i-Pr)4
• 英文别名: W2(CH2-t-Bu)2(O-i-Pr)4
• CAS: 101860-13-3
• 化学式: C₂₂H₅₀O₄W₂
• 分子量: 746.337
• InChiKey: DVVIJIFNSRJONL-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  7.5
• 重原子数：
  28.0
• 可旋转键数：
  4.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  36.92
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  4.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  1,2W2(CH2-t-Bu)2(O-i-Pr)4 、 双(二甲基膦)甲烷 以 甲苯 为溶剂， 以82%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  Blau, Reed J.; Chisholm, Malcolm H.; Eichhorn, Bryan W., Organometallics, 1995, vol. 14, # 4, p. 1855 - 1869

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  W2(neopentyl)2(NMe2)4 、 异丙醇 以 正己烷 为溶剂， 以79%的产率得到1,2W2(CH2-t-Bu)2(O-i-Pr)4
  参考文献：
  名称：

  Chisholm, Malcolm H.; Eichhorn, Bryan W.; Folting, Kirsten, Organometallics, 1986, vol. 5, # 8, p. 1599 - 1606

  摘要：

  DOI：

文献信息

• A reaction converting a w-w triple bond to a double bond: tetrakis-diethyldithiophosphate-disulfide-ditungsten, preparation and characterization
  作者：Malcolm H. Chisholm、Douglas M. Ho、John C. Huffman、William G. Van Der Sluys

  DOI：10.1016/s0277-5387(00)80964-x

  日期：——

  crystallography. The molecule adopts a structure based on an edge-shared bioctahedron, with two bridging sulfides, two chelating dithiophosphate ligands and two dithiophosphate ligands bridging the metal- metal double bond. The W-W distance of 2.5987(11)Åalong with the acute W—S—W angles of 67.74(8)dg, are consistent with the metalmetal double bond formulation Σ2 π2 . This structure is similar to the W2S2(S2CNEt2)4

  W 2 X 2（OR）4化合物[X = CH 2 CMe 3或OBu t ]与HS 2 P（OEt）2（6当量）在烃溶剂中的反应，生成分子式为W 2 S 2 [S 2 P（OEt）2 ] 4，同时消除了烷烃，醇和[（EtO）2 PS] 2。该钨化合物的特征在于IR，1 H，13 C和13P NMR光谱，电子吸收光谱和单晶X射线晶体学。该分子采用基于边缘共享的生物体二十面体的结构，具有两个桥联的硫化物，两个螯合的二硫代磷酸酯配体和两个二硫代磷酸酯配体桥接金属-金属双键。的2.5987（11）Åalong与急性的WW距离W-S-W 67.74（8）分克的角度，都与metalmetal双键制剂Σ一致2 π 2。这种结构类似于Cotton等人制备的W 2 S 2（S 2 CNEt 2）4分子。（Inorg。化学。1978，17，2946）。
• Chisholm, Malcolm H.; Eichhorn, Bryan W.; Huffman, John C., Organometallics, 1989, vol. 8, # 1, p. 67 - 79
  作者：Chisholm, Malcolm H.、Eichhorn, Bryan W.、Huffman, John C.

  DOI：——

  日期：——