1,2-di(2,8,9-trioxa-5-aza-1-silabicyclo[3.3.3]undecan-1-yl)ethane.

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: 1,2-di(2,8,9-trioxa-5-aza-1-silabicyclo[3.3.3]undecan-1-yl)ethane.
• 英文别名: 1,2-bis(1-silatranyl)ethane；1,2-Bis(silatranyl)ethan；1-[2-(2,8,9-Trioxa-5-aza-1-silabicyclo[3.3.3]undecan-1-yl)ethyl]-2,8,9-trioxa-5-aza-1-silabicyclo[3.3.3]undecane
• 化学式: C₁₄H₂₈N₂O₆Si₂
• 分子量: 376.557
• InChiKey: BSGBZVHQYQBTOX-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.38
• 重原子数：
  24
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  61.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  8

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  三乙醇胺 、 1,2-双三甲氧基硅基乙烷 在 potassium hydroxide 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 4.0h， 以14 g的产率得到1,2-di(2,8,9-trioxa-5-aza-1-silabicyclo[3.3.3]undecan-1-yl)ethane.
  参考文献：
  名称：

  ETCHANT COMPOSITION, METHOD OF ETCHING INSULATING FILM, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILANE COMPOUND

  摘要：

  一种蚀刻组合物包括以下化学式1所代表的硅烷化合物：其中R1至R6独立地表示氢、卤素、取代或未取代的C1-C20烃基、苯基、C1-C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三(C1-C20)烷基硅基、磷酰基或氰基，L是直接键或C1-C3烃基亚基，A是n价基团，n为1至4的整数。

  公开号：

  US20190359887A1

文献信息

• Siliciumorganische verbindungen
  作者：Leonhard Birkofer、Klaus Grafen

  DOI：10.1016/0022-328x(86)82009-5

  日期：1986.1

  By hydrosilylation of triethoxyvinylsilane (1), 1,5-hexadiene (10) and 3,3-dimethyl-3-sila-1,4-pentadiene (14) with triethoxysilane (2) we obtained 1,2-bis(triethoxysilyl)ethane (3), 1,6-bis(triethoxysilyl)hexane (11) and 1,5-bis(triethoxysilyl)- 3,3-dimethyl-3-silapentane (15). The reaction of 3 with triethanolamine (4), triisopropanolamine (6) and tris(1-t-butyl-ethanol)amine (8) leads to the 1,

  通过三乙氧基乙烯基硅烷（1），1,5-己二烯（10）和3,3-二甲基-3-sila-1,4-戊二烯（14）与三乙氧基硅烷（2）的硅氢加成反应，得到1,2-双（三乙氧基甲硅烷基）乙烷（3），1，6-双（三乙氧基甲硅烷基）己烷（11）和1，5-双（三乙氧基甲硅烷基）-3,3-二甲基-3-硅戊烷（15）。的反应3用三乙醇胺（4），三异丙醇胺（6）和三（1-叔丁基-乙醇）胺（8）通到1,2- disilatranylethanes 5，7和9。1,6-二硅环戊基己烷12和13从形成11，4和6分别和15与4给出了3,3-二甲基-1,5- disilatranyl -3- silapentane（16）。
• Ovchinnikov, Yu. E.; Kovyazina, T. G.; Shklover, V. E., Doklady Chemistry, 1987, vol. 297, # 11, p. 474 - 477
  作者：Ovchinnikov, Yu. E.、Kovyazina, T. G.、Shklover, V. E.、Struchkov, Yu. T.、Kopylov, V. M.、Voronkov, M. G.

  DOI：——

  日期：——
• LU, KAIJUAN;WANG, TIANYONG;LIA, LEI;WU, GUANLI, XUASYUEH TUNBAO,(1989) N, S. 31-33
  作者：LU, KAIJUAN、WANG, TIANYONG、LIA, LEI、WU, GUANLI

  DOI：——

  日期：——
• BIRKOFER, L.;GRAFEN, K., J. ORGANOMET. CHEM., 1986, 299, N 2, 143-148
  作者：BIRKOFER, L.、GRAFEN, K.

  DOI：——

  日期：——
• ETCHANT COMPOSITION, METHOD OF ETCHING INSULATING FILM, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SILANE COMPOUND
  申请人：SK Innovation Co., Ltd.

  公开号：US20190359887A1

  公开（公告）日：2019-11-28

  An etchant composition includes a silane compound represented by the following Chemical Formula 1: wherein R 1 to R 6 are independently hydrogen, halogen, a substituted or unsubstituted C 1 -C 20 hydrocarbyl group, a phenyl group, a C 1 -C 20 alkoxy group, a carboxy group, a carbonyl group, a nitro group, a tri (C 1 -C 20 ) alkylsilyl group, a phosphoryl group, or a cyano group, L is a direct bond or C 1 -C 3 hydrocarbylene, A is an n-valent radical, and n is an integer of 1 to 4.

  一种蚀刻组合物包括以下化学式1所代表的硅烷化合物：其中R1至R6独立地表示氢、卤素、取代或未取代的C1-C20烃基、苯基、C1-C20烷氧基、羧基、羰基、硝基、三(C1-C20)烷基硅基、磷酰基或氰基，L是直接键或C1-C3烃基亚基，A是n价基团，n为1至4的整数。