二羰基双（N，N-二叔丁基乙酰胺基）钌（II） | 949113-49-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 中文名称: 二羰基双（N，N-二叔丁基乙酰胺基）钌（II）
• 英文名称: bis(N,N'-di-tert-butylacetamidinato)ruthenium(II) dicarbonyl
• 英文别名: Bis(N,N-di-t-butylacetamidinato)ruthenium(II) dicarbonyl, 98% (99.99%-Ru) PURATREM；tert-butyl-(N-tert-butyl-C-methylcarbonimidoyl)azanide;carbon monoxide;ruthenium(2+)
• CAS: 949113-49-9
• 化学式: C₂₂H₄₂N₄O₂Ru
• 分子量: 495.671
• InChiKey: QOTPFYAVSNZFFL-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  204°C

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  6.67
• 重原子数：
  29
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.82
• 拓扑面积：
  28.7
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  二羰基双（N，N-二叔丁基乙酰胺基）钌（II） 以 solid 为溶剂， 生成 钌
  参考文献：
  名称：

  从脒酸盐前体气相沉积钌

  摘要：

  -二叔丁基乙酰氨基“钌！II”二羰基。CVD Þlms 在没有任何共反应物的情况下生长，而 ALD Þlms 使用氨作为共反应物。Þ lms 是具有高纯度的 Þne 晶粒多晶钌！！0.2% 的杂质“.R u 在氮化钨上生长为连续的、导电的、无针孔的 Þlms！WN”Þlms，即使对于 Þlms 薄至 2 nm。Þlms 的电阻率与相同厚度的纯溅射钌的电阻率相匹配。粗糙度为 ! Þlm 厚度的 2%。Þ lms 非常保形，在高深宽比的孔上具有 80% 的阶梯覆盖率！40:1"。该热处理工艺不使用任何氧化剂或等离子体作为第二试剂，从而避免损坏敏感基板。ALD 生长速率在300 iC的衬底温度下可以达到1.5??/cycle。© 2007 电化学学会。#DOI: 10.1 149/1.2789294 $ 版权所有。2007 年 5 月 9 日提交的稿件；修订稿于 2007 年 8 月 9 日收到。电子版于

  DOI：

  10.1149/1.2789294