2,4,6-trimethyl-2,4,6-trisila-heptane | 31666-32-7

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: 2,4,6-trimethyl-2,4,6-trisila-heptane
• 英文别名: 2,4,6-trimethyl-2,4,6-trisilaheptane；[(Methylsilanediyl)bis(methylene)]bis(dimethylsilane)；bis(dimethylsilylmethyl)-methylsilane
• CAS: 31666-32-7
• 化学式: C₇H₂₂Si₃
• 分子量: 190.508
• InChiKey: LMQPGHOCJXUBLZ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  174 °C

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.9
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2,4,6-trimethyl-2,4,6-trisila-heptane 在 palladium on activated charcoal 四氯化碳 作用下， 反应 24.0h， 以86%的产率得到[Chloro-(chloro-dimethyl-silanylmethyl)-methyl-silanyl]-(chloro-dimethyl-silanyl)-methane
  参考文献：
  名称：

  Nouveaux聚碳硅烷模型。3-Synthèseetcaractérisationde carbosilaneslinéairesfonctionnels

  摘要：

  描述了一种合成通式Me（HMeSiCH 2）x SiMe 2 H（VII x）的新型线性聚硅亚甲基的方法。该策略涉及分别通过以下方法使氯甲基硅烷HMe 2 Si（CH 2 SiMeH）m CH 2 Cl（m = 0或1）与甲基二氯硅烷和1,3-二氯-1,3-二甲基-1,3-二硅丙烷进行共缩合。格氏反应。因此，制备了具有末端二甲基氢甲硅烷基的短链聚碳硅烷（2≤χ≤5）。然后将它们转换为相应的氯化衍生物Me（Cl MeSiCH 2）x SiMe 2氯（VIII X通过与CCl反应4中，在钯催化剂的存在下进行。两个系列的质谱（70 eV）的揭示，发生特性碎裂。此外，含SiH衍生物VII X他们的重排过程中下表现出类似的行为电子撞击及其热解过程中。

  DOI：

  10.1016/0022-328x(88)80110-4
• 作为产物：
  描述：

  甲基环硅氧烷 以4%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  FRITZ, G.;HONOLD, J., Z. ANORG. UND ALLG. CHEM., 556,(1988) N 1, 23-56

  摘要：

  DOI：

文献信息

• SILICON CARBIDE PRECURSOR
  申请人：——

  公开号：US20040063984A1

  公开（公告）日：2004-04-01

  The compound 2,4,6 -trimethyl- 2,4,6 -trisila heptane, the preparation thereof, and the use thereof as a silicon carbide precursor in chemical vapor deposition and infiltration procedures are disclosed.

  本发明公开了化合物2,4,6-三甲基-2,4,6-三硅庚烷及其制备方法，以及其在化学气相沉积和渗透过程中作为硅碳化物前体的用途。
• Silicon carbide precursor
  申请人：Starfire Systems, Inc.

  公开号：US06730802B2

  公开（公告）日：2004-05-04

  The compound 2,4,6-trimethyl-2,4,6-trisila heptane, the preparation thereof, and the use thereof as a silicon carbide precursor in chemical vapor deposition and infiltration procedures are disclosed.

  本文披露了化合物2,4,6-三甲基-2,4,6-三硅庚烷及其制备方法，并将其用作化学气相沉积和渗透过程中的碳化硅前体。
• Photoluminescence in erbium doped amorphous silicon oxycarbide thin films
  作者：Spyros Gallis、Mengbing Huang、Harry Efstathiadis、Eric Eisenbraun、Alain E. Kaloyeros、Ei Ei Nyein、Uwe Hommerich

  DOI：10.1063/1.2032600

  日期：2005.8.29

  Photoluminescence (PL) in Er-doped amorphous silicon oxycarbide (a-SiCxOy:Er) thin films, synthesized via thermal chemical vapor deposition, was investigated for carbon and oxygen concentrations in the range of 0–1.63. Intense room-temperature PL was observed at 1540 nm, with the PL intensity being dependent on the carbon and oxygen content. The strongest PL intensity was detected for a-SiC0.53O0.99:Er

  研究了通过热化学气相沉积合成的掺铒非晶碳氧化硅 (a-SiCxOy:Er) 薄膜中的光致发光 (PL)，其碳和氧浓度范围为 0-1.63。在 1540 nm 处观察到强烈的室温 PL，PL 强度取决于碳和氧的含量。当在 496.5 nm 泵浦时，检测到 a-SiC0.53O0.99:Er 的最强 PL 强度，与 a-SiO2:Er 相比强度增强了约 20 倍。对于 a-SiC0.53O0.99:Er，在可见光中观察到宽带激发。傅里叶变换红外光谱和 X 射线光电子能谱分析表明，Si-C-O 网络的形成在增强 a-SiCxOy:Er 薄膜中的 Er 光学活性方面起着重要作用。