hafnium(IV) nitrate

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 过渡金属氧阴离子化合物
• 英文名称: hafnium(IV) nitrate
• 英文别名: hafnium nitrate；Hf(IV)-nitrate；Hafnium(4+);nitrate
• 化学式: Hf*4NO₃
• 分子量: 426.51
• InChiKey: XSAPDHIYVTZEOS-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.24
• 重原子数：
  5
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  62.9
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  hafnium(IV) nitrate 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 hafnium(IV) oxide
  参考文献：
  名称：

  Si上原子层沉积氧化铪中俘获电子中心的电子自旋共振观察

  摘要：

  我们通过电子自旋共振在硅上的 HfO2 薄膜中观察到两个顺磁缺陷。两者都是在将电子光注入电介质后出现的。强有力的光谱证据将一个光谱与 O2− 缺陷联系起来。第二个光谱可能是由于 Hf+3 相关缺陷。

  DOI：

  10.1063/1.1621078
• 作为产物：
  描述：

  铪四水合物 在 硝酸 作用下， 以 硝酸 为溶剂， 生成 hafnium(IV) nitrate
  参考文献：
  名称：

  Afanas'ev, Yu. A.; Azhina, L. T.; Ryabinin, A. I., Inorganic Materials, 1990, vol. 26, p. 278 - 282

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Noble metal ionic catalysts: correlation of increase in CO oxidation activity with increasing effective charge on Pd ion in Pd ion substituted Ce_1−xM_xO_2−δ(M = Ti, Zr and Hf)
  作者：Tinku Baidya、Gargi Dutta、M. S. Hegde、Umesh V. Waghmare

  DOI：10.1039/b814742f

  日期：——

  oxidation than Pd metal impregnated over CeO2, further increase in the catalytic activity is observed with Pd ion in Ce1−xTi(Hf)xO2 and a decrease in the activity with Pd ion in Ce1−xZrxO2. Effective charge on Pd ion could be varied by its substitution in these solid solutions Ce1−xMxO2 (M = Ti, Zr & Hf) and also in TiO2 compared to Pd ion in PdO. Effective positive charge on Pd ion is determined from

  钯离子取代的C 1- X中号X ö 2- δ（M =钛，锆，铪）已经制备由单一步骤溶液燃烧方法。通过以下方法确认标题化合物中有两个原子％的Pd离子取代X射线衍射 （X射线衍射）和Pd离子的电荷态和氧化还原特性已由 X射线光电子能谱 （XPS）和H 2 / TPR研究。CeO 2（Ce 0.98 Pd 0.02 O 2− δ）中的Pd离子显示出较高的CO催化活性氧化作用与浸渍在CeO 2上的Pd金属相比，在Ce 1- x Ti（Hf）x O 2中，Pd离子的催化活性进一步增加，而在Ce 1- x Zr x O 2中，Pd离子的活性下降。与在PdO中的Pd离子相比，在这些固溶体Ce 1- x M x O 2（M = Ti，Zr和Hf）中以及在TiO 2中，Pd离子的有效电荷可以通过取代而变化。在Pd离子有效正电荷选自Pd的核心层结合能移位（3D测定5 /2）相对于Pd金属为峰值。CO率氧化作用
• High-<i>k</i> properties of atomic-layer-deposited HfO2 films using a nitrogen-containing Hf[N(CH3)2]4 precursor and H2O oxidant
  作者：Moonju Cho、Hong Bae Park、Jaehoo Park、Suk Woo Lee、Cheol Seong Hwang、Gi Hoon Jang、Jaehack Jeong

  DOI：10.1063/1.1637128

  日期：2003.12.29

  were deposited on HF-dipped Si wafers at 300 °C using an atomic-layer-deposition technique with N-containing Hf[N(CH3)2]4 and H2O as the precursor and oxidant, respectively. A thin interfacial SiNx layer was spontaneously formed at the HfO2/Si interface during film growth. This interfacial SiNx layer prevented substrate Si diffusion into the HfO2 film. Therefore, the reduction in the capacitance density

  使用原子层沉积技术在 300 °C 下将 HfO2 薄膜沉积在 HF 浸渍的 Si 晶片上，分别以含 N 的 Hf[N(CH3)2]4 和 H2O 作为前体和氧化剂。在薄膜生长过程中，在 HfO2/Si 界面处自发形成薄的界面 SiNx 层。该界面 SiNx 层阻止了衬底 Si 扩散到 HfO2 膜中。因此，由于在 800 °C 下进行后退火而导致的电容密度降低被最小化。由于薄膜的非晶状结构，漏电流密度也降低了。此外，从电容等效厚度为 1.8 nm 的沉积膜中获得了在中带隙能态附近 <5×1010 cm-2 eV-1 的界面陷阱密度 (Dit)。该 Dit 值与生长良好的 SiO2/Si 界面相当。然而，
• Comparison of the interfacial and electrical properties of HfAlO films on Ge with S and GeO2 passivation
  作者：X. F. Li、X. J. Liu、W. Q. Zhang、Y. Y. Fu、A. D. Li、H. Li、D. Wu

  DOI：10.1063/1.3581051

  日期：2011.4.18

  of HfAlO films deposited on S- and GeO2-passivated Ge substrates at 150 °C by atomic layer deposition technique using Hf(NO3)4 and Al(CH3)3 as the precursors. The x-ray photoelectron spectroscopic analyses reveal that GeO2 passivation is more effective to suppress GeOx formation than S passivation. It is demonstrated that the capacitors with GeO2 passivation exhibit better electrical properties with

  我们报告了使用 Hf(NO3)4 和 Al(CH3)3 作为前体通过原子层沉积技术在 150°C 下沉积在 S 和 GeO2 钝化的 Ge 衬底上的 HfAlO 薄膜的特性。X 射线光电子能谱分析表明，GeO2 钝化比 S 钝化更有效地抑制 GeOx 的形成。结果表明，GeO2 钝化电容器表现出更好的电学性能，滞后更小，界面质量提高，漏电流降低。这些结果表明，使用 GeO2 作为界面层可能是实现高质量 Ge 基晶体管器件的有前途的方法。
• Electron spin resonance observation of trapped electron centers in atomic-layer-deposited hafnium oxide on Si
  作者：A. Y. Kang、P. M. Lenahan、J. F. Conley

  DOI：10.1063/1.1621078

  日期：2003.10.20

  We observed two paramagnetic defects in thin films of HfO2 on silicon with electron spin resonance. Both appear after photoinjecting electrons into the dielectric. Strong spectroscopic evidence links one spectrum to an O2− defect. A second spectrum is likely due to an Hf+3 related defect.

  我们通过电子自旋共振在硅上的 HfO2 薄膜中观察到两个顺磁缺陷。两者都是在将电子光注入电介质后出现的。强有力的光谱证据将一个光谱与 O2− 缺陷联系起来。第二个光谱可能是由于 Hf+3 相关缺陷。
• Internal photoemission of electrons and holes from (100)Si into HfO2
  作者：V. V. Afanas’ev、A. Stesmans、F. Chen、X. Shi、S. A. Campbell

  DOI：10.1063/1.1495088

  日期：2002.8.5

  The electron energy band alignment at the Si/HfO2 interfaces with different interlayers (Si3N4, SiON, and SiO2) is directly determined using internal photoemission of electrons and holes from Si into the Hf oxide. Irrespective of the interlayer type, the energy barrier for the Si valence electrons was found to be equal 3.1±0.1 eV, yielding the conduction band offset of 2.0±0.1 eV. Photoemission of holes

  Si/HfO2 界面与不同夹层（Si3N4、SiON 和 SiO2）的电子能带排列直接使用电子和空穴从 Si 进入 Hf 氧化物的内部光电发射来确定。不考虑夹层类型，发现 Si 价电子的能垒等于 3.1±0.1 eV，产生 2.0±0.1 eV 的导带偏移。空穴的光发射被SiON 和SiO2 夹层有效抑制，但观察到它发生在Si3N4 夹层上，势垒为3.6±0.1 eV，对应于2.5±0.1 eV 的Si/HfO2 价带偏移。HfO2 带隙宽度为 5.6 eV，因此由带偏移量得出，与从氧化物光电导光谱中获得的体积值一致。