三硅烷 | 7783-26-8

• 物质功能分类: 化学试剂 - 有机试剂 - 硅烷
• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 中文名称: 三硅烷
• 中文别名: 丙硅烷
• 英文名称: trisilane
• 英文别名: Disilylsilane
• CAS: 7783-26-8
• 化学式: H₈Si₃
• 分子量: 92.32
• InChiKey: VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  -117.4°
• 沸点：
  bp 52.9°
• 密度：
  d0 0.743
• 溶解度：
  与H2O反应

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -3.28
• 重原子数：
  3
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

制备方法与用途

简介

丙硅烷是一种由三个硅原子组成的硅烷烃，其化学式为Si₃H₈。常温常压下，它表现为无色易自燃的液体，并于1916年由卡罗尔·伯斯基和阿尔弗雷德·史托克首次发现。尽管它是丙烷的硅类似物，但由于不含碳，因此不属于有机化合物。

用途

在常温常压条件下，丙硅烷是一种可燃且有毒的液体，其主要用途包括半导体硅膜制造以及非晶硅制备。

制备方法

丙硅烷可通过SiH₂与HCl反应生成的痕量产物来获得。该过程需使用红外激光，并在垂直于质谱仪激光的不锈钢圆筒型电池上进行。此外，还可以通过施莱辛格方法制备，具体是将氢化铝锂和八氯丙硅烷在正丁醚中反应。鲍瑞、珀内尔和沃尔什在六十年代还证明了丙硅烷在高温下会分解为甲硅烷和乙硅烷。

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  三硅烷 在 乙烯 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 硅烷
  参考文献：
  名称：

  The thermal decomposition of disilane and trisilane

  摘要：

  DOI：

  10.1039/tf9484400545
• 作为产物：
  描述：

  八氯三硅烷 在 二异丁基氢化铝 作用下， 反应 9.0h， 生成 三硅烷
  参考文献：
  名称：

  液体发火氢化硅烷的合成和分子结构。

  摘要：

  丙硅烷、异四硅烷、新戊硅烷和环己硅烷已以克级制备。这些自燃液体在衍射仪上的密封毛细管中进行原位冷冻结晶，可以了解这些化合物的单晶结构。讨论了结构参数，并将其与文献中的气相电子衍射结构以及量子化学计算的结果进行了比较。与相应的烷烃相比，硅烷的堆积指数明显更高。紫外光（365 nm）辐射和平行ESR（EPR）测量表明，环己硅烷很容易分裂成自由基，从而导致支化和链状低聚物的形成。其他化合物在这些条件下不形成自由基。所有四种化合物的核磁共振谱均已记录。

  DOI：

  10.1002/open.202000152
• 作为试剂：
  描述：

  氯仿 在 三氯化铝 、 三硅烷 作用下， 生成 二氯甲烷
  参考文献：
  名称：

  Stock; Stiebeler, Chemische Berichte, 1923, vol. 56, p. 1089 Anm.7

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Low‐temperature laser deposition of tungsten by silane‐ and disilane‐assisted reactions
  作者：J. G. Black、S. P. Doran、M. Rothschild、D. J. Ehrlich

  DOI：10.1063/1.102569

  日期：1990.3.12

  A reaction, based on tungsten hexafluoride chemically reduced by silicon hydride vapors, has been developed for low‐temperature laser deposition of high‐purity tungsten. Compared to previous tungsten deposition methods, the new (pyrolytic) process requires very little thermal energy for initiation and propagation of the scanned reaction. WF6 and SiH4 (or Si2H6) mixtures have been optimized to yield

  一种基于氢化硅蒸气化学还原六氟化钨的反应已被开发用于低温激光沉积高纯钨。与以前的钨沉积方法相比，新的（热解）工艺需要很少的热能来引发和传播扫描反应。WF6 和 SiH4（或 Si2H6）混合物已经过优化，以产生具有突然方形横截面和 12-25 μΩ cm 电导率的钨互连线。杂质水平低于俄歇光谱的检测限。宽度为 3-20 μm 和厚度为 0.1-4 μm 的线以~100 μm/s 的扫描速度写入。氩离子激光功率 (488 nm) 通常为 30–60 mW，对应于足够低的反应温度，可直接在聚酰亚胺电介质上写入。
• Electric discharge reactions of silane and germane with some volatile group VI species
  作者：J. E. Drake、C. Riddle

  DOI：10.1039/j19700003134

  日期：——

  discharge on equimolar mixtures of the following hydrides: SiH4/H2S, SiH4/H2Se, GeH4/H2S, GeH4/H2Se, SiH4/GeH4/H2S, SiH4/GeH4/H2Se, SiH4/MeSH, and GeH4/MeSH, has been investigated. Analysis of the reaction products by 1H n.m.r. and mass spectroscopy indicates the formation of the previously known mixed and ternary hydrides: SiH3SH, (SiH3)2S, SiH3SeH, (SiH3)2Se, GeH3SH, (GeH3)2S, GeH3SeH, (GeH3)2Se,

  无声放电对以下氢化物的等摩尔混合物的作用：SiH 4 / H 2 S，SiH 4 / H 2 Se，GeH 4 / H 2 S，GeH 4 / H 2 Se，SiH 4 / GeH 4 / H已经研究了2 S，SiH 4 / GeH 4 / H 2 Se，SiH 4 / MeSH和GeH 4 / MeSH。通过1 H核磁共振和质谱分析反应产物表明形成了先前已知的混合和三元氢化物：SiH 3 SH，（SiH3） 2 S，SiH 3 SeH，（SiH 3） 2 Se，GeH 3 SH，（GeH 3） 2 S，GeH 3 SeH，（GeH 3） 2 Se，MeSSiH 3和MeSGeH 3。新化合物SiH 3 SGeH 3和SiH 3 SeGeH 3从三元混合物的放电中获得。
• The 147-nm photolysis of disilane
  作者：G. G. A. Perkins、F. W. Lampe

  DOI：10.1021/ja00531a017

  日期：1980.5

  photodecomposition of Si/sub 2/H/sub 6/ at 147 nm results in the formation of H/sub 2/, SiH/sub 4/, Si/sub 3/H/sub 8/, Si/sub 4/H/sub 10/, Si/sub 5/H/sub 12/, and a solid film of amorphous silicon hydride (a-Si:H). Three primary processes are proposed to account for the results, namely, (a) Si/sub 2/H/sub 6/ + h..nu.. ..-->.. SiH/sub 2/ + SiH/sub 3/ + H (phi/sub a/ = 0.61); (b) Si/sub 2/H/sub 6/ + h..nu.. ..-->

  Si/sub 2/H/sub 6/ 在 147 nm 处的光分解导致形成 H/sub 2/、SiH/sub 4/、Si/sub 3/H/sub 8/、Si/sub 4/H /sub 10/、Si/sub 5/H/sub 12/，以及非晶氢化硅（a-Si:H）的固体膜。提出了三个主要过程来解释结果，即 (a) Si/sub 2/H/sub 6/ + h..nu.. ..-->.. SiH/sub 2/ + SiH/sub 3 / + H (phi/sub a/ = 0.61); (b) Si/sub 2/H/sub 6/ + h..nu.. ..-->.. SiH/sub 3/SiH + 2H (phi/sub b/ = 0.18)；(c) Si/sub 2/H/sub 6/ + h..nu.. ..-->.. Si/sub 2/H/sub 5/ + H (phi/sub c/ = 0.21)。总量子产率取决于压力，但在
• Synthesis of Polysilanes by Tunneling Reactions of H Atoms with Solid Si₂H₆at 10 K
  作者：Norihito Sogoshi、Shoji Sato、Hideaki Takashima、Tetsuya Sato、Kenzo Hiraoka

  DOI：10.1246/cl.2009.986

  日期：2009.10.5

  Tunneling reactions of H atoms with solid Si 2 H 6 at 10 K were investigated. The in situ and real-time reactions H + Si 2 H 6 to form silane and polysilanes were monitored using FT-IR. Quantitative analysis of gaseous products was made by thermal desorption spectrometry. Monosilane and polysilanes were detected as major reaction products. The intermediate product SiH 2 was suggested to play an important

  研究了 H 原子与固体 Si 2 H 6 在 10 K 下的隧道反应。使用 FT-IR 监测 H + Si 2 H 6 形成硅烷和聚硅烷的原位和实时反应。通过热解吸光谱法对气态产物进行定量分析。甲硅烷和聚硅烷被检测为主要反应产物。建议中间产物SiH 2 对固体产物的Si-Si网络的生长起重要作用。
• Unusually selective synthesis of chlorohydrooligosilanes
  作者：Thomas Lainer、Roland Fischer、Mario Leypold、Michael Holthausen、Odo Wunnicke、Michael Haas、Harald Stueger

  DOI：10.1039/d0cc06506d

  日期：——

  New pathways towards molecular chlorohydrooligosilanes enable their one-pot synthesis in preparative amounts either by the selective chlorination of the corresponding perhydrosilanes with HCl/AlCl3 or by the partial hydrogenation of perchlorooligosilanes with substoichiometric amounts of iBu2AlH. The unexpected selective formation of Cl3Si-substituted species in the partial hydrogenation reactions

  通往分子式氯氢低聚硅烷的新途径，可以通过用HCl / AlCl 3选择性氯化相应的过氢硅烷，或通过用亚化学计量的iBu 2 AlH对全氯代低聚硅烷进行部分加氢，以制备量进行一锅合成。在部分氢化反应中意外地选择性形成Cl 3 Si-取代的物质可能与机理有关。

表征谱图