氮化钨 (WN x ) 薄膜通过原子层沉积 (ALD) 在 200-350°C 的温度范围内从乙
硼烷 (B 2 H 6 )、
六氟化钨 (WF 6 ) 和
氨 (NH 3 ) 中生长,用于应用于动态随机存取存储器 (DR
AM) 中的接触势垒层。在本文中,B 2 H 6 用作附加还原剂以制备低电阻率 ALD-WN x 薄膜,其电阻率在 300-410 μΩ cm 范围内,取决于约 10 nm 厚的沉积条件电影。随着沉积温度的升高,观察到生长速率增加,但在 275 至 300°C 的温度范围内获得了几乎恒定的约 0.28 nm/循环的生长速率。沉积膜的特性,包括电阻率、W/N 比、密度、B 和 F 杂质含量以及相,受沉积温度和 B 2 H 6 流速的影响。随着沉积温度和B 2 H 6 流量的增加,W/N比和薄膜密度增加,杂质含量减少,导致薄膜电阻率降低。发现增加的 W/N 比有利于形成面心立方 β-W