正四硅烷 | 7783-29-1

• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 各种混合金属/非金属
• 中文名称: 正四硅烷
• 英文名称: n-tetrasilane
• 英文别名: tetrasilane；Disilanyl(silyl)silane
• CAS: 7783-29-1
• 化学式: H₁₀Si₄
• 分子量: 122.421
• InChiKey: MBDFFBCLMHNNID-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  ~-90°; mp -84.3°
• 沸点：
  bp 109°; bp (calc) 107.4°
• 密度：
  d0 0.825
• 溶解度：
  与H2O反应

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -4.2
• 重原子数：
  4
• 可旋转键数：
  1
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  正四硅烷 、 三碘化磷 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 氢气
  参考文献：
  名称：

  Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: P: MVol.C, 228, page 522 - 524

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  乙硅烷 、 silylsilylene 以 gaseous matrix 为溶剂， 生成 正四硅烷
  参考文献：
  名称：

  Role of silylene in the deposition of hydrogenated amorphous silicon

  摘要：

  The role of silylene in the laser deposition of hydrogenated amorphous silicon has been studied with laser-induced fluorescence and deposition rate measurements. The rate constants of the reactions of silylene with silane and disilane and of the reverse reactions have been determined. The results show that silylene is rapidly consumed, exhibiting only a small effective lifetime. It proves that generally silylene will hardly be able to reach the surface to form amorphous silicon. The comparison of the kinetic data with the deposition rates shows that in IR laser CVD silylene starts the gas-phase chemistry and that disilene is the main film-forming molecule. The UV laser process starts with a different primary dissociation leading to silylsilylene, which also rearranges to the film-forming disilene.

  DOI：

  10.1021/j100176a050

文献信息

• Electric discharge reactions of silane and germane with some volatile group VI species
  作者：J. E. Drake、C. Riddle

  DOI：10.1039/j19700003134

  日期：——

  discharge on equimolar mixtures of the following hydrides: SiH4/H2S, SiH4/H2Se, GeH4/H2S, GeH4/H2Se, SiH4/GeH4/H2S, SiH4/GeH4/H2Se, SiH4/MeSH, and GeH4/MeSH, has been investigated. Analysis of the reaction products by 1H n.m.r. and mass spectroscopy indicates the formation of the previously known mixed and ternary hydrides: SiH3SH, (SiH3)2S, SiH3SeH, (SiH3)2Se, GeH3SH, (GeH3)2S, GeH3SeH, (GeH3)2Se,

  无声放电对以下氢化物的等摩尔混合物的作用：SiH 4 / H 2 S，SiH 4 / H 2 Se，GeH 4 / H 2 S，GeH 4 / H 2 Se，SiH 4 / GeH 4 / H已经研究了2 S，SiH 4 / GeH 4 / H 2 Se，SiH 4 / MeSH和GeH 4 / MeSH。通过1 H核磁共振和质谱分析反应产物表明形成了先前已知的混合和三元氢化物：SiH 3 SH，（SiH3） 2 S，SiH 3 SeH，（SiH 3） 2 Se，GeH 3 SH，（GeH 3） 2 S，GeH 3 SeH，（GeH 3） 2 Se，MeSSiH 3和MeSGeH 3。新化合物SiH 3 SGeH 3和SiH 3 SeGeH 3从三元混合物的放电中获得。
• The 147-nm photolysis of disilane
  作者：G. G. A. Perkins、F. W. Lampe

  DOI：10.1021/ja00531a017

  日期：1980.5

  photodecomposition of Si/sub 2/H/sub 6/ at 147 nm results in the formation of H/sub 2/, SiH/sub 4/, Si/sub 3/H/sub 8/, Si/sub 4/H/sub 10/, Si/sub 5/H/sub 12/, and a solid film of amorphous silicon hydride (a-Si:H). Three primary processes are proposed to account for the results, namely, (a) Si/sub 2/H/sub 6/ + h..nu.. ..-->.. SiH/sub 2/ + SiH/sub 3/ + H (phi/sub a/ = 0.61); (b) Si/sub 2/H/sub 6/ + h..nu.. ..-->

  Si/sub 2/H/sub 6/ 在 147 nm 处的光分解导致形成 H/sub 2/、SiH/sub 4/、Si/sub 3/H/sub 8/、Si/sub 4/H /sub 10/、Si/sub 5/H/sub 12/，以及非晶氢化硅（a-Si:H）的固体膜。提出了三个主要过程来解释结果，即 (a) Si/sub 2/H/sub 6/ + h..nu.. ..-->.. SiH/sub 2/ + SiH/sub 3 / + H (phi/sub a/ = 0.61); (b) Si/sub 2/H/sub 6/ + h..nu.. ..-->.. SiH/sub 3/SiH + 2H (phi/sub b/ = 0.18)；(c) Si/sub 2/H/sub 6/ + h..nu.. ..-->.. Si/sub 2/H/sub 5/ + H (phi/sub c/ = 0.21)。总量子产率取决于压力，但在
• Synthesis of Polysilanes by Tunneling Reactions of H Atoms with Solid Si₂H₆at 10 K
  作者：Norihito Sogoshi、Shoji Sato、Hideaki Takashima、Tetsuya Sato、Kenzo Hiraoka

  DOI：10.1246/cl.2009.986

  日期：2009.10.5

  Tunneling reactions of H atoms with solid Si 2 H 6 at 10 K were investigated. The in situ and real-time reactions H + Si 2 H 6 to form silane and polysilanes were monitored using FT-IR. Quantitative analysis of gaseous products was made by thermal desorption spectrometry. Monosilane and polysilanes were detected as major reaction products. The intermediate product SiH 2 was suggested to play an important

  研究了 H 原子与固体 Si 2 H 6 在 10 K 下的隧道反应。使用 FT-IR 监测 H + Si 2 H 6 形成硅烷和聚硅烷的原位和实时反应。通过热解吸光谱法对气态产物进行定量分析。甲硅烷和聚硅烷被检测为主要反应产物。建议中间产物SiH 2 对固体产物的Si-Si网络的生长起重要作用。
• Diagnostics of the gas-phase thermal decomposition of Si2H6 using vacuum ultraviolet photoionization
  作者：Kenichi Tonokura、Tetsuya Murasaki、Mitsuo Koshi

  DOI：10.1016/s0009-2614(00)00165-2

  日期：2000.3

  Vacuum ultraviolet (VUV) photoionization at 10.2 eV was employed for the detection of gas-phase molecules formed after thermal decomposition of disilane at a total pressure of 30 Torr and in the temperature range of 298–740 K. The SinH2(n+1) (n=3–5) and SinH2n (n=2–5) species resulting from disilane pyrolysis in a flow reactor were directly observed using time-of-flight mass spectrometry. Unlike multiphoton

  在10.2 eV的真空紫外（VUV）光电离被用于检测乙硅烷在30 Torr的总压力和298–740 K的温度范围内热分解后形成的气相分子。Si n H 2（n使用飞行时间质谱法直接观察到在流动反应器中乙硅烷热解产生的+1）（n = 3-5）和Si n H 2 n（n = 2-5）物质。与在6.4 eV光子下的多光子电离不同，在10.2 eV的VUV单光子电离没有观察到碎片。
• The infrared laser photochemistry of silane
  作者：F.W. Lampe

  DOI：10.1016/0584-8539(87)80099-5

  日期：1987.1