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乙基胂 | 593-59-9

中文名称
乙基胂
中文别名
——
英文名称
monoethyl arsine
英文别名
monoethylarsine;ethyl-arsine;Aethyl-arsin;Arsinoaethan;ethyl arsine;ethylarsine;ethylarsane
乙基胂化学式
CAS
593-59-9
化学式
C2H7As
mdl
——
分子量
105.999
InChiKey
OSAGMAAQMRQLLW-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
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  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    36°C
  • 密度:
    1.2140

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    0.06
  • 重原子数:
    3
  • 可旋转键数:
    0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    0
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    0

安全信息

  • 危险等级:
    4.2
  • 包装等级:
    I
  • 危险类别:
    4.2
  • 危险品运输编号:
    UN 2845

SDS

SDS:ad4c8902937939e00ff073865c987e5c
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反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    乙基胂四氯化锡 作用下, 生成 乙基二氯胂
    参考文献:
    名称:
    Dehn; Williams, American Chemical Journal, 1908, vol. 40, p. 113
    摘要:
    DOI:
  • 作为产物:
    描述:
    乙基二氯胂三正丙胺 为溶剂, 生成 乙基胂
    参考文献:
    名称:
    Alkyl Group VA metal compounds
    摘要:
    揭示了通过将VA族金属三卤化物与有机锂试剂或具有公式RnM1X3−n的化合物(其中R是烷基,M1是III A族金属,X是卤素,n是1到3的整数)反应,以高产率和高纯度制备单烷基VA族金属二卤化合物的方法。这种单烷基VA族金属二卤化合物基本上不含氧杂质、醚溶剂和金属杂质。通过还原这种单烷基VA族金属二卤化合物,可以轻松地高产率和高纯度地生产单烷基VA族金属二氢化合物。
    公开号:
    US20030181746A1
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文献信息

  • Alkyl group VA metal compounds
    申请人:Shenai-Khatkhate Deodatta Vinayak
    公开号:US06956127B2
    公开(公告)日:2005-10-18
    Disclosed are methods of preparing monoalkyl Group VA metal dihalide compounds in high yield and high purity by the reaction of a Group VA metal trihalide with an organo lithium reagent or a compound of the formula R n M 1 X 3−n , where R is an alkyl, M 1 is a Group IIIA metal, X is a halogen and n is an integer fro 1 to 3. Such monoalkyl Group VA metal dihalide compounds are substantially free of oxygenated impurities, ethereal solvents and metallic impurities. Monoalkyl Group VA metal dihydride compounds can be easily produced in high yield and high purity by reducing such monoalkyl Group VA metal dihalide compounds.
    揭示了通过将VA族金属三卤化物与有机锂试剂或化合物RnM1X3−n(其中R是烷基,M1是III A族金属,X是卤素,n是1到3的整数)反应,以高产率和高纯度制备单烷基VA族金属二卤化合物的方法。这种单烷基VA族金属二卤化合物基本上不含氧杂质、醚溶剂和金属杂质。通过还原这种单烷基VA族金属二卤化合物,可以轻松地高产率和高纯度地生产单烷基VA族金属二氢化合物。
  • Natta, G., Giornale di Chimica Industriale ed Applicata, 1926, vol. 8, p. 370 - 370
    作者:Natta, G.
    DOI:——
    日期:——
  • Natta, vol. 8, p. 370
    作者:Natta
    DOI:——
    日期:——
  • Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Mg: MVol.B3, 47, page 413 - 414
    作者:
    DOI:——
    日期:——
  • Photochemistry of Group V ethyl-containing systems: enhancing hydrogen-atom production via 248-nm ethyl radical photolysis
    作者:Xiaodong Xu、Zhongrui Wang、Jeffrey L. Brum、Yu Fong Yen、Subhash Deshmukh、Brent Koplitz
    DOI:10.1021/j100196a038
    日期:1992.8
    We report on the photolysis of triethylarsenic, monoethylamine, and monoethylarsine with respect to H-atom formation. For all three molecules, 193-nm excitation followed by a 248-nm laser pulse produces an H-atom signal that is enhanced relative to the signal derived from the sum of the two lasers operating alone. The use of the selectively-deuterated compounds C2D5NH2 and C2H5ND2 clearly demonstrates that significant H-atom enhancement occurs via the ethyl group, at least in the case of monoethylamine. The importance of such photolysis reactions is discussed in terms of the laser-enhanced growth of III-V semiconductor materials.
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