作者:Muthu B. J. Wijesundara、Gianluca Valente、William R. Ashurst、Roger T. Howe、Albert P. Pisano、Carlo Carraro、Roya Maboudian
DOI:10.1149/1.1646141
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We report the deposition of 3C-SiC films on an Si(100) substrate from 1,3-disilabutane precursor molecule utilizing a conventional low-pressure chemical vapor deposition (CVD) system. The chemical, structural, and growth properties of the resulting films are investigated as functions of deposition temperature and flow rates. Based on X-ray photoelectron spectroscopy, the films deposited at temperatures
我们报告了使用传统低压化学气相沉积 (CVD) 系统从 1,3-二硅杂丁烷前体分子在 Si(100) 衬底上沉积 3C-SiC 薄膜。研究所得薄膜的化学、结构和生长特性作为沉积温度和流速的函数。根据 X 射线光电子能谱,在低至 650°C 的温度下沉积的薄膜确实是碳化物。X 射线衍射分析表明薄膜在高达 750°C 时是无定形的,高于此温度时它们会变成多晶。还报告了工艺参数对薄膜均匀性的影响。在 800°C 及更低温度下可获得高度均匀的薄膜,基本上与流速无关。