tantalum isopropoxide

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: tantalum isopropoxide
• 化学式: 5C₃H₇O*Ta
• 分子量: 476.388
• InChiKey: AFWLLLYLNAYYCC-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.25
• 重原子数：
  5.0
• 可旋转键数：
  0.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  23.06
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  1.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tantalum isopropoxide 在 乙酰溴 作用下， 以 苯 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Prakash, S.; Kapoor, P. N.; Kapoor, R. N., Journal fur praktische Chemie (Leipzig 1954), 1967, vol. 36, p. 24 - 28

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  {(i-PrO)3Ta(μ-O-i-Pr)3Co(μ-O-t-Bu)2Al(O-t-Bu)2} 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 tantalum isopropoxide
  参考文献：
  名称：

  Garg, (Mrs) G.; Singh, A.; Mehrotra, R. C., Indian Journal of Chemistry, Section A: Inorganic, Physical, Theoretical and Analytical, 1991, vol. 30, # 8, p. 688 - 691

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Pyroelectric properties of sol?gel derived lithium tantalite thin films
  作者：M KAO

  DOI：10.1016/s0921-4526(02)02271-8

  日期：2003.5

  Abstract Lithium tantalite (LiTaO3) thin films (∼0.5 μm ) have been successfully deposited on Pt (111)/ SiO 2 / Si (1 0 0) substrates by means of sol–gel spin-coating technology. Figures of merit for infrared detector were studied for the LiTaO3 thin films. There exists high figures of merit Fv of 2.1×10 −10 C cm/J and Fm of 2.4×10 −8 C cm/J because of the relative low dielectric constant (er) of 35

  摘要 采用溶胶-凝胶旋涂技术，成功地将钽酸锂（LiTaO3）薄膜（~0.5 μm）沉积在Pt（111）/SiO 2 / Si（1 0 0）衬底上。研究了 LiTaO3 薄膜的红外探测器的品质因数。由于相对较低的介电常数 (er) 为 35 和较高的热释电系数 (γ) 为 4.0，因此存在 2.1×10 -10 C cm/J 的高品质因数 Fv 和 2.4×10 -8 C cm/J 的 Fm ×10 -8 C/cm 2 K的薄膜。由 LiTaO3 薄膜制成的热释电红外探测器在 20 Hz 时的电压响应率 Rv 为 4584 V/W，在 100 Hz 时具有 4.23×10 7 cm Hz 1/2 / W 的高比检测率 D∗。
• Kapoor, R. N.; Prakash, S.; Kapoor, P. N., Indian Journal of Chemistry, 1967, vol. 5, p. 442 - 443
  作者：Kapoor, R. N.、Prakash, S.、Kapoor, P. N.

  DOI：——

  日期：——
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Ta: MVol.B2, 165, page 376 - 379
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Ta: MVol.B2, 154, page 353 - 355
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Normal alkoxides of quinquevalent tantalum
  作者：D. C. Bradley、W. Wardlaw、Alice Whitley

  DOI：10.1039/jr9550000726

  日期：——