三丁基-硒烷亚基膦烷 | 39181-26-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机磷化合物
• 中文名称: 三丁基-硒烷亚基膦烷
• 英文名称: tri-n-butylphosphine selenide
• 英文别名: Tributylphosphinselenid；tributylphosphine selenide；tributyl(selanylidene)-λ5-phosphane
• CAS: 39181-26-5
• 化学式: C₁₂H₂₇PSe
• 分子量: 281.28
• InChiKey: IYMHCKVVJXJPDB-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.49
• 重原子数：
  14
• 可旋转键数：
  9
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

安全信息

• 海关编码：
  2931900090

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  三丁基-硒烷亚基膦烷 在 偶氮二异丁腈 、 三(三甲基硅基)硅烷 、 硼烷四氢呋喃络合物 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 反应 6.0h， 以75%的产率得到tri(n-butyl)phosphine borane
  参考文献：
  名称：

  （Me 3 Si）3 SiH基于自由基的硫化膦和硒化膦还原

  摘要：

  三（三甲基甲硅烷基）硅烷在自由基条件下与膦硫化物和硒化膦反应，以高收率得到相应的膦。对P-手性膦硫化物的立体化学研究表明，这些还原过程是保留构型而进行的。

  DOI：

  10.1016/s0040-4039(00)01759-7
• 作为产物：
  描述：

  三丁基膦 在 selenium 作用下， 生成 三丁基-硒烷亚基膦烷
  参考文献：
  名称：

  胶体II-VI族半导体纳米晶合成中前驱体演化的机理研究

  摘要：

  使用 1H、13C 和 31P NMR 光谱和质谱研究了胶体 II-VI 族半导体纳米晶体合成中前体演化的分子机制。三正丁基膦硫属化物（TBPE；E = S、Se、Te）在非配位溶剂（十八碳烯 (ODE)、n-壬烷-d20 或正癸烷-d22)，得到 ME 纳米晶体、三正丁基氧化膦 (TBPO) 和油酸酐 ((OA)2O)。同样，三烷基硒化膦与正十八烷基膦酸镉复合物 (Cd-ODPA) 在三正辛基氧化膦 (TOPO) 中的反应产生 CdSe 纳米晶体、三烷基氧化膦和正十八烷基膦酸酐。在 Cd-OA 和 Cd-ODPA 存在下三正辛基膦硒化物的消失可以拟合为单指数衰减 (kobs = (1.30 +/- 0.08) x 10-3 s-1, Cd-ODPA ，260 摄氏度，kobs = (1.51 +/- 0.04) x 10-3 s-1，Cd-OA，117 摄氏度）。在无水条件下 TOPSe

  DOI：

  10.1021/ja0656696
• 作为试剂：
  描述：

  O,O’-diethyl S-[3,4,5-tris(octyloxy)phenyl]phosphorothioate 、 cadmium(II) oleate 在 十八胺 、 三丁基-硒烷亚基膦烷 作用下， 生成
  参考文献：
  名称：

  A one pot organic/CdSe nanoparticle hybrid material synthesis with in situ π-conjugated ligand functionalization

  摘要：

  本文介绍了一种一步法制备有机/胶体CdSe纳米粒子杂化材料的合成方法。相较于传统的配体交换过程，这些材料所需的理想封端配体量更少，合成时间更短，处理步骤更少，同时仍能保持纳米粒子的形态。

  DOI：

  10.1039/c2cc38544a

文献信息

• Studies on the interaction of phosphine selenides and their structural analogues wth dihalogens and sulfuryl chloride
  作者：Ewa Krawczyk、Aleksandra Skowrońska、Jan Michalski

  DOI：10.1039/b207019g

  日期：——

  tris(dimethylamino)phosphine selenide, esters of selenophosphoric acid, and esters of selenophosphonic acid react with dihalogens and sulfuryl chloride to form halogenoselenophosphonium salts (P–SeX)+X−. The latter undergo deselenization via ligand exchange to form phosphonium salts (P–X)+X− and elemental selenium. The stability of these salts depends on the substituents at the phosphorus atom and the type of counter

  膦硒化物， 三（二甲氨基）膦硒化物， 酯类 的 硒磷酸， 和 酯类 的 硒代膦酸 与二卤素反应并 硫酰氯到形式halogenoselenophosphonium盐（P-性别）+ X - 。后者通过 配体交换形式鏻盐（P-X）+ X -和元素硒。这些盐的稳定性取决于磷原子上的取代基和抗衡离子的类型。salts盐可能与相应的equilibrium盐处于平衡状态磷烷，这证明了 酯类含有邻亚苯基配体。salts盐的结构，磷烷 和其他磷化合物的支持 31 P NMR光谱数据和电导率。其他证据来自卤代硒代phosph盐与环己烯。
• Experimental Determination of the Absorption Cross-Section and Molar Extinction Coefficient of CdSe and CdTe Nanowires
  作者：Vladimir Protasenko、Daniel Bacinello、Masaru Kuno

  DOI：10.1021/jp066034w

  日期：2006.12.1

  solution-based CdSe and CdTe nanowires (NWs) are determined. Chemically grown semiconductor NWs are made via a recently developed solution-liquid-solid (SLS) synthesis, employing low melting Au/Bi bimetallic nanoparticle "catalysts" to induce one-dimensional (1D) growth. Resulting wires are highly crystalline and have diameters between 5 and 12 nm as well as lengths exceeding 10 microm. Narrow diameters, below

  确定了基于溶液的CdSe和CdTe纳米线（NWs）的吸收截面和相应的摩尔消光系数。化学生长的半导体NW是通过最近开发的溶液-液体-固体（SLS）合成方法制成的，采用低熔点Au / Bi双金属纳米颗粒“催化剂”诱导一维（1D）生长。所得的线是高度结晶的，并且直径在5至12nm之间，并且长度超过10微米。窄直径（低于每种材料的相应大体积激子玻尔半径的两倍）将CdSe和CdTe NW置于其各自的中等至弱约束范围内。支持这一点的是NW集成体的溶液线性吸收光谱，显示出相对于体带隙的蓝移以及较高能量下的结构。对于CdSe，导线在整体和单导线级显示出带边缘发射以及强烈的吸收/发射极化各向异性。在最近开发的CdSe NW光电探测器中已经测量了类似的光电流极化各向异性。为了进一步支持基础的西北光学/电气研究并促进其在设备应用中的使用，使用相关的透射电子显微镜，紫外/可见消光光谱和电感耦合等离子体原子发射光谱
• PbSe quantum dot films with enhanced electron mobility employed in hybrid polymer/nanocrystal solar cells
  作者：Xiaoyu Zhang、Yu Zhang、Hua Wu、Long Yan、Zhenguang Wang、Jun Zhao、William W. Yu、Andrey L. Rogach

  DOI：10.1039/c6ra01830k

  日期：——

  We explore two strategies to improve the performance of hybrid solar cells fabricated using poly(3-hexylthiophene) (P3HT) and colloidal PbSe nanocrystals, which have reached a 1 sun power conversion efficiency of 2.9%.

  我们探索了两种策略，以提高使用聚(3-己基噻吩)（P3HT）和胶体PbSe纳米晶体制备的混合太阳能电池的性能，这些电池已达到1个太阳功率转换效率的2.9%。
• Characterization of Cadmium Selenide Electrodeposited from Diethylene Glycol Solution Containing Tri‐n‐Butylphosphine Selenide
  作者：Brian W. Sanders、Michael Cocivera

  DOI：10.1149/1.2100619

  日期：1987.5.1

  Thin film cadmium selenide has been prepared by a new electrochemical process in which the film is deposited at the cathode from a nonaqueous solution containing tri-n-butylphosphine selenide as the selenium source. The films are found to be less dense than those prepared using selenosulfite ion. The as-deposited films appear free of cracks and pinholes when deposited on titanium, but cracks develop

  薄膜硒化镉是通过一种新的电化学工艺制备的，其中薄膜从含有硒化三正丁基膦作为硒源的非水溶液沉积在阴极上。发现这些薄膜的密度低于使用硒代亚硫酸盐离子制备的薄膜。当沉积在钛上时，沉积的薄膜看起来没有裂纹和针孔，但在薄膜退火时会产生裂纹。在 0.4V 电位范围内获得薄膜的化学计量组成。在各种条件下制备的薄膜的功率转换效率范围为 1.0% 至 4.2% 的表面积。1.0 厘米/升 2/。沉积溶液中高浓度氯离子的存在似乎对薄膜的组成或光响应几乎没有影响。
• The First Phosphine-Catalyzed Insertion of Tellurium into Sn−Sn and Pb−Pb Bonds:  A Simple and Efficient Route to R₃MTeMR₃ (M = Sn, Pb)
  作者：Li-Biao Han、Farzad Mirzaei、Masato Tanaka

  DOI：10.1021/om990728s

  日期：2000.3.6

  elemental tellurium efficiently inserts into Sn−Sn and Pb−Pb bonds under mild conditions to give the corresponding tellurides R3MTeMR3 (M = Sn, Pb) in quantitative yield. Mechanistic study shows that first a phosphine telluride R‘3PTe is formed via the reaction of R‘3P with tellurium, which subsequently reacts with (R3M)2 to produce (R3M)2Te and concomitantly regenerates R‘3P to restart another cycle

  在催化量的膦存在下，元素碲在温和条件下有效地插入Sn-Sn和Pb-Pb键中，从而以定量收率得到相应的碲化物R 3 MTeMR 3（M = Sn，Pb）。机理的研究表明，第一膦碲化物R“ 3 P经由R的反应形成的TE” 3 P与碲，其随后发生反应以（R 3 M）2，以产生（R 3 M）2 Te和伴随再生R” 3 P重新开始催化插入的另一个循环。