三异丙基镓 | 54514-59-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机过渡后金属化合物
• 中文名称: 三异丙基镓
• 英文名称: triisopropylgallium
• 英文别名: Ga(i-Pr)3；Gallium-tri-isopropyl
• CAS: 54514-59-9
• 化学式: C₉H₂₁Ga
• 分子量: 198.989
• InChiKey: WJJLFCWEKQMHLZ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  175 °C
• 稳定性/保质期：

  遵照规定使用和储存，则不会分解。

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.71
• 重原子数：
  10
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

安全信息

• 海关编码：
  2931900090
• 储存条件：
  将贮藏器密封后，放入一个紧密封装的容器中，并存放在阴凉、干燥的地方。

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  三异丙基镓 以 正戊烷 为溶剂， 生成 (i-Pr)2GaN3
  参考文献：
  名称：

  Oligomerization of dialkylazidogallium compounds: a structural and solution-phase studyElectronic supplementary information (ESI) available: Fig. S1: Mass spectrum of 1 with M+ peak at 225 and higher oligomers present in the vapor phase. See http://www.rsc.org/suppdata/dt/b3/b307813b/

  摘要：

  二烷基叠氮镓化合物 R2GaN3（R = tBu (1)、Me3SiCH2 (3)、iPr (5)）是通过二烷基甲氧基镓前体与三甲基硅叠氮反应制备的。反应生成的目标化合物纯度高、产率高。所有化合物均为低熔点固体或液体，在熔点/沸点附近没有热分解倾向。这些化合物在不同的物理状态下会出现不同程度的低聚。化合物 3 是固态三聚体，但在溶液中表现出单体-二聚体平衡。化合物 1 是蜡状固体，根据质谱、拉曼和 PM3 计算分析，它似乎由二聚体分子组成。

  DOI：

  10.1039/b307813b
• 作为产物：
  描述：

  异丙基氯化镁 、 氯化镓 以 not given 为溶剂， 生成 三异丙基镓
  参考文献：
  名称：

  Metalated diphosphanylsiloxanes with polycyclic and polymeric structures

  摘要：

  The reactions of the diphosphanylsiloxane O(SiiPr(2)PH(2))(2) (1) with MiPr(3) (M = Ga, In) produced the polycyclic compounds [O{SiiPr(2)(PH)MiPr(2)} {SiiPr(2)(P)MiPr}](2) (2, 3). Compounds 2 and 3 are composed of three M2P2 rings forming a ladder structure and two OSi2P2M rings. By reactions of 1 with n-BuLi the polymeric compound [O(SiiPr(2)PHLi)(2)(THF)(TMEDA)] center dot THF (4) was obtained. (c) 2006 Elsevier B.V. All rights reserved.

  DOI：

  10.1016/j.jorganchem.2006.12.005

文献信息

• Bis(2-pyridyl) and Tris(2-pyridyl) Compounds of Gallium and Indium <i>via</i> a Redox-Transmetalation Route
  作者：Kornelia Zeckert、Daniel Fuhrmann

  DOI：10.1021/acs.inorgchem.9b02872

  日期：2019.12.16

  Reactions of the tris(2-pyridyl)lead(II) compound [LiPb(2-py6OtBu)3] (1) with trialkyl compounds of the group 13 elements gallium and indium resulted in the bis(2-pyridyl) and tris(2-pyridyl) gallate complexes [LiGaEt2(2-py6OtBu)2]2 (2), [LiGaR2(2-py6OtBu)2(THF)] (R = iPr (3), tBu (4)), [LiGatBu2(2-py6OtBu)2]2 (4'), and [LiGaMe(2-py6OtBu)3] (6), as well as corresponding indium complexes of general

  三（2-吡啶基）铅（II）化合物[LiPb（2-py6OtBu）3]（1）与13个元素镓和铟的三烷基化合物的反应生成双（2-吡啶基）和tris（2 -吡啶基）没食子酸酯络合物[LiGaEt2（2-py6OtBu）2] 2（2），[LiGaR2（2-py6OtBu）2（THF）]（R = iPr（3），tBu（4）），[LiGatBu2（2- py6OtBu）2] 2（4'）和[LiGaMe（2-py6OtBu）3]（6），以及具有一般成分[LiInR（2-py6OtBu）3]的相应铟配合物（R = Me（7），等等（8））。这些化合物的形成可以假定为[tBu3Ga Pb（2-py6OtBu）3Li}]（5）最初形成的Pb-M加合物（M = Ga或In）的快速降解。此外，氧化还原金属转移途径用于合成[LiInI（2-py6OtBu）3（THF）]（9）。所有化合物的结构均已通过单晶X射线衍射分析，NMR光谱，
• Phenylhydrazinverbindungen mit Aluminium und Gallium - von Addukten über zyklische Hydrazide zu Käfigen
  作者：Werner Uhl、Thomas Abel、Jutta Kösters、Babak Rezaeirad

  DOI：10.1002/zaac.200801387

  日期：2009.5

  The reactions of trialkyl-element compounds (E = Al, Ga) with hydrazines usually proceed by the intermediate formation of the simple adducts R3ENH2-N(H)-R′. However, only one adduct (1; R = iPr, E = Ga) could be isolated and characterized in the reactions of ER3 compounds bearing relatively small substituents with phenylhydrazine. In all other cases fast secondary processes gave directly the corresponding

  三烷基元素化合物 (E = Al, Ga) 与肼的反应通常通过简单加合物 R3ENH2-N(H)-R' 的中间形成进行。然而，在带有相对较小取代基的 ER3 化合物与苯肼的反应中，只有一种加合物（1；R = iPr，E = Ga）可以被分离和表征。在所有其他情况下，快速二次过程通过以下气体逸出直接得到相应的二聚酰肼 [R2E–N(H)–N(H)-C6H5]2（2 到 4；R = Me、Et；E = Al、Ga）室内温度。相比之下，加合物 1 的分解需要沸腾的甲苯来产生酰肼 5。化合物 3 和 4 具有四元 E2N2 杂环，在固态时具有两个环外 N-N 键，而五元 Ga2N3 杂环具有内环和在 5 的晶体结构中发现了环外 N-N 键。这些酰肼在溶液中表现出动态行为，在四元环和五元环和顺式/反式异构体之间具有复杂的平衡。酰肼 2 和 4 在甲苯中或在 200°C 下进一步热解得到笼状化合物 [
• Tri‐isopropyl gallium: A very promising precursor for chemical beam epitaxy
  作者：P. A. Lane、T. Martin、R. W. Freer、P. D. J. Calcott、C. R. Whitehouse、A. C. Jones、S. Rushworth

  DOI：10.1063/1.107939

  日期：1992.7.20

  The first reported use of tri‐isopropyl gallium (TiPGa) in chemical beam epitaxy (CBE) is described. Hall measurements performed on the resulting undoped GaAs epitaxial layers indicate an order of magnitude reduction in unintentional carbon impurity levels compared to structures grown under comparable conditions using the standard CBE precursor, triethyl gallium. 2 K photoluminescence spectra match those

  首次报道了三异丙基镓 (TiPGa) 在化学束外延 (CBE) 中的应用。对所得未掺杂 GaAs 外延层进行的霍尔测量表明，与使用标准 CBE 前体三乙基镓在类似条件下生长的结构相比，无意碳杂质水平降低了一个数量级。2 K 光致发光光谱与通过分子束外延生长的最先进的高纯度 GaAs 材料在其他地方记录的光谱相匹配，并且在有意 n 型掺杂的 GaAs 层上的 77 K 霍尔测量证实了低 1014 cm-3 中的残余受主水平范围。获得的早期数据已经清楚地表明了 TiPGa 作为含 Ga 的 III-V 族材料 CBE 生长的改进前体的重要潜力。
• [EN] MOLECULAR PRECURSORS FOR OPTOELECTRONICS<br/>[FR] PRÉCURSEURS MOLÉCULAIRES POUR L'OPTOÉLECTRONIQUE
  申请人：PRECURSOR ENERGETICS INC

  公开号：WO2011084171A1

  公开（公告）日：2011-07-14

  This invention relates to compounds and compositions used to prepare semiconductor and optoelectronic materials and devices. This invention provides a range of compounds, compositions, materials and methods directed ultimately toward photovoltaic applications, as well as devices and systems for energy conversion, including solar cells. In particular, this invention relates to molecular precursor compounds and precursor materials for preparing photovoltaic layers.

  这项发明涉及用于制备半导体和光电材料以及器件的化合物和组合物。该发明提供了一系列化合物、组合物、材料和方法，最终用于光伏应用，以及用于能量转换的器件和系统，包括太阳能电池。具体而言，该发明涉及用于制备光伏层的分子前体化合物和前体材料。
• Charge and electron transfer from metal-to-carbon bonds of main group organometallics MRn (M = Al, Ga, Zn) to aromatic N-heterocycles: colored precursor compounds and radical complex formation
  作者：Steffen Hasenzahl、Wolfgang Kaim、Thomas Stahl

  DOI：10.1016/0020-1693(94)04025-7

  日期：1994.10

  transitions σ(M-R)» π*(L) and which may yield radical complexes after loss of R·. The latter reaction is assumed to have a strong single electron transfer (SET) component. An isolable ‘AI(II)’ species (bpy)Al[CH(SiMe3)2]2 has been characterized unambiguously by ESR, UV-Vis and cyclic voltammetry as an Al(III) complex of the bpy radical anion. Irradiation into the fairly intense LLCT absorption bands

  摘要使配位不饱和的化合物AlR3，GaR3和ZnR2（R =异丙基）与线性桥连的吡嗪，四甲基吡嗪或4,4'-联吡啶配体以及可能螯合的2,2'-联吡啶反应。主要反应产物是抗磁性双核络合物（“双加合物”），其特征是强烈的长波长配体-配体电荷转移（LLCT）跃迁σ（MR）»π*（L），并可能产生自由基络合物失去R·后。假定后者反应具有很强的单电子转移（SET）成分。可分离的“ AI（II）”物质（bpy）Al [CH（SiMe3）2] 2已通过ESR，UV-Vis和循环伏安法明确表征为bpy自由基阴离子的Al（III）配合物。照射到相当强烈的LLCT吸收带（ϵ> 吡嗪和AliPr3或GaiPr3之间的3000 M-1 cm-1）双核复合物导致漂白并形成非芳香族产物的混合物。试图使电荷转移性质和自由基的形成与前体络合物的几何和电子结构相关联。