(2-tritylsulfanylethyl)phosphonic acid diethyl ester

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 三苯基化合物
• 英文名称: (2-tritylsulfanylethyl)phosphonic acid diethyl ester
• 英文别名: [2-Diethoxyphosphorylethylsulfanyl(diphenyl)methyl]benzene；[2-diethoxyphosphorylethylsulfanyl(diphenyl)methyl]benzene
• 化学式: C₂₅H₂₉O₃PS
• 分子量: 440.543
• InChiKey: LSFQBEDFSYTXEV-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.5
• 重原子数：
  30
• 可旋转键数：
  11
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.28
• 拓扑面积：
  60.8
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  4

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  (2-tritylsulfanylethyl)phosphonic acid diethyl ester 在 三乙基硅烷 、 三氟乙酸 作用下， 以62%的产率得到2-mercaptoethyl phosphonic acid
  参考文献：
  名称：

  具有静电稳定的弱结合无硫配体的水中胶体稳定CdS量子点

  摘要：

  胶体量子点（QD）光催化剂具有电化学和光学性质，对于一系列氧化还原反应非常有效。量子点被证明是可在有机溶剂中进行多种反应的光-氧化还原催化剂，但在水相反应中却不那么突出。QD水性光催化剂需要亲水的配体壳，该壳可提供长期的胶体稳定性，但结合力不强，以防止催化底物进入QD表面。因此，通常的硫醇盐配体也会毒害许多助催化剂并进行光氧化解吸，因此通常不是一种选择。本文描述了一种水溶性的配体的设计框架，该配体在QD表面上和表面之间动态交换，但仍为CdS QD提供长期的胶体稳定性。双功能配体氨乙基膦酸（AEP）的结合亲和力和配体间静电相互作用可根据分散液的pH值进行调节。胶体稳定性的关键是单层的静电稳定。这项工作演示了一种方法，该方法可模拟具有两性离子尾基但无硫醇盐结合基团的硫醇盐键合配体的稳定能力。

  DOI：

  10.1002/chem.201903908
• 作为产物：
  描述：

  2-溴乙基膦酸二乙酯 、 三苯甲硫醇 在 sodium hydride 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 1.0h， 以78%的产率得到(2-tritylsulfanylethyl)phosphonic acid diethyl ester
  参考文献：
  名称：

  具有静电稳定的弱结合无硫配体的水中胶体稳定CdS量子点

  摘要：

  胶体量子点（QD）光催化剂具有电化学和光学性质，对于一系列氧化还原反应非常有效。量子点被证明是可在有机溶剂中进行多种反应的光-氧化还原催化剂，但在水相反应中却不那么突出。QD水性光催化剂需要亲水的配体壳，该壳可提供长期的胶体稳定性，但结合力不强，以防止催化底物进入QD表面。因此，通常的硫醇盐配体也会毒害许多助催化剂并进行光氧化解吸，因此通常不是一种选择。本文描述了一种水溶性的配体的设计框架，该配体在QD表面上和表面之间动态交换，但仍为CdS QD提供长期的胶体稳定性。双功能配体氨乙基膦酸（AEP）的结合亲和力和配体间静电相互作用可根据分散液的pH值进行调节。胶体稳定性的关键是单层的静电稳定。这项工作演示了一种方法，该方法可模拟具有两性离子尾基但无硫醇盐结合基团的硫醇盐键合配体的稳定能力。

  DOI：

  10.1002/chem.201903908

文献信息

• TEM GRIDS FOR DETERMINATION OF STRUCTURE-PROPERTY RELATIONSHIPS IN NANOTECHNOLOGY
  申请人：Hutchison James E.

  公开号：US20100155620A1

  公开（公告）日：2010-06-24

  Silicon grids with electron-transparent SiO 2 windows for use as substrates for high-resolution transmission electron microscopy of chemically-modified SiO 2 surfaces are fabricated by forming an oxide layer on a silicon substrate. An aperture is defined in the silicon substrate by etching the substrate to the oxide layer. A single substrate can include a plurality of apertures that are in respective frame regions that are defined by one or more channels in the substrate. Structural or chemical functionalizations can be provided, and surface interactions observed via TEM.
• US8212225B2
  申请人：——

  公开号：US8212225B2

  公开（公告）日：2012-07-03
• [EN] TEM GRIDS FOR DETERMINATION OF STRUCTURE-PROPERTY RELATIONSHIPS IN NANOTECHNOLOGY<br/>[FR] GRILLES DE MICROSCOPE ÉLECTRONIQUE EN TRANSMISSION POUR LA DÉTERMINATION DE RELATIONS STRUCTURE-PROPRIÉTÉ EN NANOTECHNOLOGIE
  申请人：OREGON STATE

  公开号：WO2009035727A9

  公开（公告）日：2009-06-25

  [EN] Silicon grids with electron-transparent SiO2 windows for use as substrates for high-resolution transmission electron microscopy of chemically-modified SiO2 surfaces are fabricated by forming an oxide layer on a silicon substrate. An aperture is defined in the silicon substrate by etching the substrate to the oxide layer. A single substrate can include a plurality of apertures that are in respective frame regions that are defined by one or more channels in the substrate. Structural or chemical functionalizations can be provided, and surface interactions observed via TEM.
  [FR] Selon l'invention, on fabrique des grilles de silicium dotées d'une fenêtre en SiO2 laissant passer les électrons devant être utilisées comme substrats pour l'examen par microscopie électronique en transmission haute résolution de surfaces en SiO2 modifiées chimiquement, en formant une couche d'oxyde sur un substrat en silicium. On définit une ouverture dans le substrat en silicium en attaquant le substrat jusqu'à la couche d'oxyde. Un seul substrat peut comporter une pluralité d'ouvertures situées dans des régions de structure respectives définies par un ou plusieurs canaux dans le substrat. Selon l'invention, il est possible d'obtenir des fonctionnalisations structurales ou chimiques et d'observer des interactions de surface via un microscope électronique en transmission.