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vanadium triiodide

中文名称
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中文别名
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英文名称
vanadium triiodide
英文别名
Vanadium;trihydroiodide;vanadium;trihydroiodide
vanadium triiodide化学式
CAS
——
化学式
I3V
mdl
——
分子量
431.655
InChiKey
YIUIAWQCAWQQQC-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.85
  • 重原子数:
    4.0
  • 可旋转键数:
    0.0
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.0
  • 拓扑面积:
    0.0
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    0.0

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    反应 96.0h, 生成 vanadium triiodide
    参考文献:
    名称:
    VI3—新型分层铁磁半导体
    摘要:
    2D材料有望成为下一代电子设备的候选材料。在这种情况下,由于绝缘2D铁磁体具有实现新设备架构的潜力,因此它们仍然非常稀少,因此具有特别重要的意义。在这里,铁磁性的发现是在层状范德华半导体VI 3中进行的,该半导体基于蜂窝状钒层,该层由碘-碘范德华间隙隔开。它具有BiI 3型结构( [R 3 ¯ ,148号)在室温下,和实验证据表明,它可在78 K. VI经过细微结构相变3在49 K,低于该磁光克尔效应成像清楚地显示出铁磁畴变得铁磁,它可以被施加的外部磁场控制。通过反射率测量确定的光学带隙为0.6 eV,并且该材料具有高电阻性。
    DOI:
    10.1002/adma.201808074
  • 作为试剂:
    参考文献:
    名称:
    Catalyst composition and method for chlorinating aromatic compounds
    摘要:
    芳香族化合物,如甲苯和邻二甲苯在存在催化剂组合物的情况下进行氯化,所述催化剂组合物由(A)至少一个盐和(B)至少一个有机硫化合物组成,其中盐包括从4至12族金属、镧系元素和锕系元素中选择的金属和一个对离子,而且(B)优选为苯并噻嗪-N-羰基氯。该催化剂组合物可以包括(A)和(B)的反应产物。在这些条件下,p-氯同分异构体的产生被优化。在某些实施例中,所述对离子是从至少一个酸性有机化合物中选取的有机对离子,所述有机化合物的近似pKa值相对于水至少为3。
    公开号:
    US20040186329A1
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文献信息

  • Extending insertion electrochemistry to soluble layered halides with superconcentrated electrolytes
    作者:Nicolas Dubouis、Thomas Marchandier、Gwenaelle Rousse、Florencia Marchini、François Fauth、Maxim Avdeev、Antonella Iadecola、Benjamin Porcheron、Michael Deschamps、Jean-Marie Tarascon、Alexis Grimaud
    DOI:10.1038/s41563-021-01060-w
    日期:2021.11
    commercialized Li-ion batteries. Throughout history, intense research has focused on the design of stellar electrodes mainly relying on layered oxides or sulfides, and leaving aside the corresponding halides because of solubility issues. This is no longer true. In this work, we show the feasibility of reversibly intercalating Li+ electrochemically into VX3 compounds (X = Cl, Br, I) via the use of superconcentrated
    插入化合物提供了当今商业化离子电池的基础。纵观历史,大量的研究集中在主要依靠层状氧化物或硫化物的恒星电极设计上,而由于溶解度问题而忽略了相应的卤化物。这不再是真的。在这项工作中,我们展示了通过使用超浓缩电解质(碳酸二甲酯中的 5 M LiFSI)将 Li +以电化学方式可逆地嵌入 VX 3化合物(X = Cl、Br、I)中的可行性,从而打开了获得 Li 家族的途径x VX 3阶段。此外,通过电解质工程方法,我们明确证明超浓缩电解质对无机化合物溶解度的积极影响源于热力学而非动力学效应。我们的研究结果的机理和相应的影响丰富了对超浓缩电解质的基本理解,并构成了设计具有可调特性的新型插入化合物的关键一步,适用于包括离子电池等在内的广泛应用。
  • Ferromagnetic van der Waals Crystal VI<sub>3</sub>
    作者:Shangjie Tian、Jian-Feng Zhang、Chenghe Li、Tianping Ying、Shiyan Li、Xiao Zhang、Kai Liu、Hechang Lei
    DOI:10.1021/jacs.8b13584
    日期:2019.4.3
    We report structural properties, physical properties, and the electronic structure of van der Waals (vdW) crystal VI3. Detailed analysis reveals that VI3 exhibits a structural transition from monoclinic C2/ m to rhombohedral R3̅ at Ts ≈ 79 K, similar to CrX3 (X = Cl, Br, I). Below Ts, a long-range ferromagnetic (FM) transition emerges at Tc ≈ 50 K. The local moment of V in VI3 is close to the high-spin
    我们报告了范德华 (vdW) 晶体 VI3 的结构特性、物理特性和电子结构。详细分析表明,VI3 在 Ts ≈ 79 K 处表现出从单斜 C2/m 到菱形 R3̅ 的结构转变,类似于 CrX3 (X = Cl, Br, I)。在 Ts 以下,在 Tc ≈ 50 K 处出现长程磁 (FM) 跃迁。 VI3 中 V 的局部矩接近高自旋态 V3+ 离子 (S = 1)。理论计算表明,VI3 可能是带隙约为 0.90 eV 的莫特绝缘体。此外,VI3 具有相对较小的层间结合能,并且可以通过实验轻松剥离至几层。因此,VI3 是二维调频半导体的候选者。它还提供了一个新颖的平台来探索 S = 1 系统中的 2D 磁性和 vdW 异质结构。
  • Vanadium O-Centered Selenoiodide Complex: Synthesis and Structure of V<sub>4</sub>O(Se<sub>2</sub>)<sub>4</sub>I<sub>6</sub>·I<sub>2</sub>
    作者:Sofya Artemkina、Ruslan Galiev、Pavel Poltarak、Vladislav Komarov、Yakov Gayfulin、Alexander Lavrov、Vladimir Fedorov
    DOI:10.1021/acs.inorgchem.1c02213
    日期:2021.12.6
    The first vanadium selenoiodide V4O(Se2)4I6·I2 was synthesized at a moderate temperature of 220 °C from V, Se, I2, and water. Its crystal structure (tetragonal space group P42/nbc, a = 11.838(1) Å, c = 18.689(1) Å) contains O-centered vanadium(IV) tetranuclear fragment [V4(μ4-O)(μ2-Se2)4(μ2-I)2I4], where the edges of the distorted tetrahedron V4 are bridged by four diselenide (Se2)2– and two iodide
    第一个碘化钒V 4 O(Se 2 ) 4 I 6 ·I 2是在220°C 的中等温度下由V、Se、I 2和合成的。其晶体结构(四方空间群P 4 2 / nbc , a = 11.838(1) Å, c = 18.689(1) Å)含有以 O 为中心的 (IV) 四核碎片 [V 4 (μ 4 -O)(μ 2 -Se 2 ) 4 (μ 2 -I) 2 I 4 ],其中扭曲四面体 V 的边缘4由四个二化物 (Se 2 ) 2-和两个化物配体桥接;四个末端化物另外配位 V 原子。这种类型的配合物以而闻名,但对来说是新的。V 4 O(Se 2 ) 4 I 6 ·I 2 的磁化率测量表明,室温下原子上有四个未成对电子,冷却时有效磁矩下降,可能是由于部分电子配对。这种转变为抗磁性状态的概率与计算出的电子结构一致。
  • Growth of high-quality CrI3 single crystals and engineering of its magnetic properties via V and Mn doping
    作者:Shuang Pan、Yuqing Bai、Jiaxuan Tang、Peihao Wang、Yurong You、Guizhou Xu、Feng Xu
    DOI:10.1016/j.jallcom.2022.164573
    日期:2022.7
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