二甲基镓氢化物 | 103680-44-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机过渡后金属化合物
• 中文名称: 二甲基镓氢化物
• 英文名称: dimethylgallium hydride
• 英文别名: dimethylgallane
• CAS: 103680-44-0
• 化学式: C₂H₇Ga
• 分子量: 100.801
• InChiKey: SYVFPLUAEOBMEA-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.52
• 重原子数：
  3
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  二甲基镓氢化物 在 trimethylamine 作用下， 以 not given 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  二甲基gallane的合成和性质：通过电子衍射确定的气相中二聚体Me 2 Ga（µ-H）2 GaMe 2的结构

  摘要：

  由三甲基没食子酸酯和四氢没食子酸钠反应最好地合成的二甲基没食子酸酯具有光谱和化学性质。电子衍射已经确定了二聚体Me 2 Ga（µ-H）2 GaMe 2的结构，Me 2 Ga（µ-H）2 GaMe 2是低压下的主要蒸气物质。

  DOI：

  10.1039/c39860000805
• 作为产物：
  描述：

  二甲基镓氯化物 在 LiAlH₄ 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 二甲基镓氢化物
  参考文献：
  名称：

  二甲基gallane的合成和性质：通过电子衍射确定的气相中二聚体Me 2 Ga（µ-H）2 GaMe 2的结构

  摘要：

  由三甲基没食子酸酯和四氢没食子酸钠反应最好地合成的二甲基没食子酸酯具有光谱和化学性质。电子衍射已经确定了二聚体Me 2 Ga（µ-H）2 GaMe 2的结构，Me 2 Ga（µ-H）2 GaMe 2是低压下的主要蒸气物质。

  DOI：

  10.1039/c39860000805

文献信息

• Studien zur Reaktion von [Me2AlP(SiMe3)2]2 mit basenstabilisierten Organogalliumchloriden und -hydriden
  作者：Madhat Matar、Stephan Schulz、Ulrich Flörke

  DOI：10.1002/zaac.200600246

  日期：2007.1

  Reactivity of [Me2AlP(SiMe3)2]2 with Base-stabilized Organogalliumhalides and -hydrides [Me2AlP(SiMe3)2]2 (1) reacts with dmap−Ga(Cl)Me2, dmap−Ga(Me)Cl2, dmap−GaCl3 and dmap−Ga(H)Me2 with Al-P bond cleavage and subsequent formation of heterocyclic [Me2GaP(SiMe3)2]2 (2) as well as dmap−AlMexCl3−x (x = 3 8; 2 3; 1 4; 0 5). The reaction between equimolar amounts of dmap−Al(Me2)P(SiMe3)2 and dmap−Ga(t-Bu2)Cl

  [Me2AlP(SiMe3)2]2 与碱稳定有机镓卤化物和氢化物的反应性研究 [Me2AlP(SiMe3)2]2 (1) 与 dmap-Ga(Cl)Me2、dmap-Ga(Me)Cl2 反应， dmap-GaCl3 和 dmap-Ga(H)Me2 具有 Al-P 键断裂和随后形成杂环 [Me2GaP(SiMe3)2]2 (2) 以及 dmap-AlMexCl3-x (x = 3 8; 2 3; 1 4; 0 5)。等摩尔量的 dmap-Al(Me2)P(SiMe3)2 和 dmap-Ga(t-Bu2)Cl 反应生成 dmap-Ga(t-Bu2)P(SiMe3)2 (6) 和 dmap-AlMe2Cl (3 ）。2-8 通过核磁共振光谱表征，2 和 6 也通过单晶 X 射线衍射表征。
• Two Different Structural Motifs Observed for Dimeric Dialkylaluminum and Dialkylgallium Alkynides [R2E-C?C-C6H5]2
  作者：Werner Uhl、Frank Breher、Sima Haddadpour、Rainer Koch、Madhat Matar

  DOI：10.1002/zaac.200400150

  日期：2004.10

  interestingly, different types of molecular structures were observed depending on the steric demand of the substituents terminally attached to the aluminum or gallium atoms. The small methyl substituents gave structures in which the aluminum or gallium atoms seemed to be side-on coordinated by the C≡C triple bonds of almost linear E-C≡C groups. In contrast, the more bulky tert-butyl groups forced an arrangement

  二烷基铝和二烷基镓炔化物 [R2E-C≡CR']2 (R = Me, CMe3; E = Al, Ga; R' = Ph) 含有连接到其中心铝或镓原子的 C≡C 三键，很容易通过以下方法获得：二烷基元素氯化物与锂炔化物的反应或通过用二烷基铝或氢化二烷基镓处理相应的炔烃RC≡CH。第一个反应有利于 LiCl 的沉淀，第二个反应有利于形成元素氢。所有产物都形成二聚体，其中炔基的碳负离子碳原子采用桥接位置，但有趣的是，根据末端连接到铝或镓原子的取代基的空间需求，观察到不同类型的分子结构。小的甲基取代基给出的结构中铝或镓原子似乎是由几乎线性的 EC≡C 基团的 C≡C 三键配位的。相反，体积更大的叔丁基迫使C≡C三键垂直于分子的EE轴的排列。通过量子化学计算分析了不同的键合模式。Unterschiedliche Struktureinheiten in dimeren 二烷基铝-和二烷基镓烷基化物
• Hydrogallierungsreaktionen mit den Monoalkinen H₅C₆-C≡C-SiMe₃und H₅C₆-C≡C-CMe₃-<i>cis</i>/<i>trans</i>-Isomerie und Substituentenaustausch
  作者：Werner Uhl、Michael Claesener、Sima Haddadpour、Beate Jasper、Ines Tiesmeyer、Sarina Zemke

  DOI：10.1002/zaac.200800322

  日期：2008.12

  dialkylgallium hydrides, R2Ga-H (R = Me, Et, nPr, iPr, tBu), by the addition of one Ga-H bond to its C≡C triple bond (hydrogallation). The gallium atoms attacked selectively those carbon atoms, which were also attached to trimethylsilyl groups. The cis arrangement of Ga and H across the resulting C=C double bonds resulted only for the sterically most shielded di(tert-butyl)gallium derivative, while in all

  涉及单炔烃 H5C6-C≡C-SiMe3 和 H5C6-C≡C-CMe3 - 顺式/反式异构化和取代基交换的水镓化反应 苯基-三甲基甲硅烷基乙炔，H5C6-C≡C-SiMe3，与不同的氢化二烷基镓（R2Ga-氢化物）反应R2Ga-氢化物 R = Me, Et, nPr, iPr, tBu)，通过在其 C≡C 三键上添加一个 Ga-H 键（水镓化）。镓原子选择性地攻击那些也连接到三甲基甲硅烷基的碳原子。Ga 和 H 在生成的 C = C 双键上的顺式排列仅产生于空间上最屏蔽的二（叔丁基）镓衍生物，而在所有其他情况下，随着反式加成的定量形成，发生了自发的顺式/反式重排产品。二乙基化合物Et2Ga-C(SiMe3)=C(H)-C6H5(2)通过置换交换得到副产物EtGa[C(SiMe3)=C(H)- ]2(7,Z,Z)和Ga [C (SiMe3) = C (H) - ] 3 (8)。有趣的是，化合物
• The reactions of dialkylgallium hydrides with tert-butylethynylbenzenes—a systematic investigation into the course of hydrogallation reactions
  作者：Werner Uhl、Michael Claesener、Sima Haddadpour、Beate Jasper、Alexander Hepp

  DOI：10.1039/b614003c

  日期：——

  the formation of one-dimensional coordination polymers. In contrast secondary reactions with the release of the corresponding trialkylgallium derivatives GaR(3) (R = Et, nPr, iPr, CH(2)tBu, tBu) were observed for all hydrogallation reactions involving the trisalkyne 1,3,5-tris(tert-butylethynyl)benzene. A similar reaction was observed upon treatment of the 1,4-bisalkyne with a dialkylgallium hydride

  双和三（叔丁基乙炔基）苯与氢化二烷基镓的反应可提供两种不同类型的产物。1,4-二（叔丁基乙炔基）苯和二烷基氢化镓R（2）GaH带有相对较小的取代基（R = Et，nPr）得到预期的加成产物，每个C三键C三键插入Ga-H键。完整的GaR（2）基团连接到苯环的α位上的碳原子上，并且分子间的Ga-C相互作用导致形成一维配位聚合物。相比之下，对于涉及三炔1,3,5-三（所有）的加氢加氢反应，观察到具有相应三烷基镓衍生物GaR（3）（R = Et，nPr，iPr，CH（2）tBu，tBu）释放的二级反应。叔丁基乙炔基）苯。用带有相对大取代基的氢化二烷基镓处理1，4-双炔烃时，观察到类似的反应（R =新戊基）。在所有这些情况下，形成环烷型分子，两个苯环之间的桥连位置带有两个或三个镓原子。
• A Dimeric Gallium Hydrazide as an Active Lewis Pair - Complexation and Activation of Me₂GaH and Various Heterocumulenes
  作者：Werner Uhl、Matthias Willeke、Alexander Hepp、Damian Pleschka、Marcus Layh

  DOI：10.1002/zaac.201600456

  日期：2017.3.2

  Treatment of the dimeric gallium hydrazide [Me2Ga‐N(2‐Ad)‐NC5H10]2 (5) with Me2GaH resulted in the formation of an adduct 6 by Ga–N bond cleavage and coordination of the metal hydride via a Ga–N and a 3c–2e Ga–H–Ga bond. This reaction reflects the typical behavior of frustrated Lewis pairs. Reactions with heterocumulenes R–N=C=X (R = Ph, CMe3, Dipp, X = O; R = Ph, X = S) or X=C=X (X = O, S) resulted

  用Me 2 GaH处理二聚酰肼镓[Me 2 Ga‐N（2-Ad）‐NC 5 H 10 ] 2（5）通过Ga–N键的裂解和金属的配位形成加合物6通过Ga–N和3c–2e Ga–H–Ga键形成氢化物。该反应反映了沮丧的路易斯对的典型行为。与杂多烯R– N = C = X（R = Ph，CMe 3，Dipp，X = O; R = Ph，X = S）或X = C = X（X= O，S）导致形成环状Ga–N插入产物Me 2 Ga–N（R）C（O）N（2-Ad）‐NC 5 H 10（7a – c），Me 2 GaS 2 C‐N（2-Ad）‐NC 5 H 10（8）或Me 2 Ga X 2 C‐N（2-Ad）‐NC 5 H 10 [ X = O（9）; S（10）]中度到良好的产量。在固态中观察到三种不同的结构基序：五元GaNCN 2化合物7a - c具有环外C = O键的杂环，化合物8和9的四元GaSCN或GaSCS杂环（SCN和CS