tris(1,1-dimethylhydrazino)ethylsilane

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: tris(1,1-dimethylhydrazino)ethylsilane
• 英文别名: 2-[Bis(2,2-dimethylhydrazinyl)-ethylsilyl]-1,1-dimethylhydrazine
• 化学式: C₈H₂₆N₆Si
• 分子量: 234.42
• InChiKey: WSEZIRYWIYEDEK-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.86
• 重原子数：
  15
• 可旋转键数：
  7
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  45.8
• 氢给体数：
  3
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  乙基三氯硅烷 、 偏二甲肼 在 三乙胺 作用下， 以 正己烷 为溶剂， 生成 tris(1,1-dimethylhydrazino)ethylsilane
  参考文献：
  名称：

  Precursors for depositing silicon containing films

  摘要：

  揭示了一种用于化学气相沉积的前体组合物，所述化学气相沉积用于从硅氧氮化物、氮化硅和氧化硅组成的组中选择材料。该组合物包括具有以下结构的叠氮硅烷： [R1 2 N—NH]nSi(R2)4-n 其中每个R1独立地选择自C1至C6的烷基基团；每个R2独立地选择自氢、烷基、乙烯基、烯丙基和苯基组成的组；n=1-4。

  公开号：

  US20070004931A1

文献信息

• Precursors for depositing silicon containing films
  申请人：Xiao Manchao

  公开号：US20070004931A1

  公开（公告）日：2007-01-04

  A precursor composition is disclosed for use in the chemical vapor deposition of a material selected from the group consisiting of silicon oxynitride, silicon nitride, and silicon oxide. The composition comprises a hydrazinosilane of the formula: [R 1 2 N—NH] n Si(R 2 ) 4-n where each R 1 is independently selected from alkyl groups of C 1 to C 6 ; each R 2 is independently selected from the group consisting of hydrogen, alkyl, vinyl, allyl, and phenyl; and n=1-4.

  揭示了一种用于化学气相沉积的前体组合物，所述化学气相沉积用于从硅氧氮化物、氮化硅和氧化硅组成的组中选择材料。该组合物包括具有以下结构的叠氮硅烷： [R1 2 N—NH]nSi(R2)4-n 其中每个R1独立地选择自C1至C6的烷基基团；每个R2独立地选择自氢、烷基、乙烯基、烯丙基和苯基组成的组；n=1-4。