我的分子结构3
镓·NH 3 [我]已经研究了气相电子衍射在25℃。实验数据由模型其中C嵌合3分子的GaN芯具有Ç 3 v对称性。根据四个键距,三个价角和两个扭转角定义分子。结合距离中的三个被精炼(r g(GaN)= 2.161(22)°,r g(GaC)= 1.979(3)Å,r g(CH)= 1.109(7)Å) 。必须将第四键距保持在假定值[ r g(NH)= 1.045埃]。精化了两个化合价角(NGaC= 101.8(62)°,GaC= H = 111.3(16)°),第三个价角(GaNH)保持在109.0°。扭转角HN/GaC保持在60.0°,而剩余的扭转角HC/GaN细化到37.5(224)°。相依角CGadependentC为115.9(42)°,因此C 3 Ga片段离平面不远,这与将氮原子捐赠给
镓原子上的p z轨道的孤对相符。。所报告的气相和低