4-bromo-9H-thioxanthen-9-one

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 硫色烯
• 英文名称: 4-bromo-9H-thioxanthen-9-one
• 英文别名: 4-bromothioxanthone；4-Bromothioxanthen-9-one
• 化学式: C₁₃H₇BrOS
• 分子量: 291.168
• InChiKey: ZKRUPRXVTHQMJU-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.7
• 重原子数：
  16
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  42.4
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-bromo-9H-thioxanthen-9-one 在 双氧水 作用下， 以 溶剂黄146 为溶剂， 反应 2.0h， 以91%的产率得到4-bromo-9H-thioxanthen-9-one-10,10-dioxide
  参考文献：
  名称：

  三重态衰变诱导的负温度依赖性与热激活延迟荧光发射体的瞬态光致发光衰变†

  摘要：

  研究了在TXO单元上苯基的不同取代位置上具有PhCz供体的三个TX基D–A异构体（TXO-PhCz1，TXO-PhCz3和TXO-PhCz4）的光物理性质。PhCz单元的取代位置会显着影响这些异构体的光物理性质。TXO-PhCz1在未掺杂和掺杂的薄膜中均显示非常弱的发射，而TXO-PhCz3和TXO-PhCz4在TADF发射器中具有必需的特性，具有强发射，包括小的ΔE ST和瞬态PL衰减曲线，并具有快速和稳定的特性。延迟的荧光成分。TXO-PhCz4与TXO-PhCz3相比，它表现出更强的轨道耦合，然后磷光发射引起瞬态PL衰减的反温度依赖性，这与TXO-PhCz3和其他TADF发射器相反。TXO-PhCz4在室温下的ΔE ST小，为23 meV，衰减时间短，为14μs，这比TXO-PhCz3小得多且短得多。基于TXO-PhCz4的多层OLED显示出非常低的效率衰减，最大电流效率为49.2 cd

  DOI：

  10.1039/c7tc04025c
• 作为产物：
  描述：

  溴苯 、 硫代水杨酸 在 硫酸 作用下， 反应 25.0h， 以10%的产率得到4-bromo-9H-thioxanthen-9-one
  参考文献：
  名称：

  三重态衰变诱导的负温度依赖性与热激活延迟荧光发射体的瞬态光致发光衰变†

  摘要：

  研究了在TXO单元上苯基的不同取代位置上具有PhCz供体的三个TX基D–A异构体（TXO-PhCz1，TXO-PhCz3和TXO-PhCz4）的光物理性质。PhCz单元的取代位置会显着影响这些异构体的光物理性质。TXO-PhCz1在未掺杂和掺杂的薄膜中均显示非常弱的发射，而TXO-PhCz3和TXO-PhCz4在TADF发射器中具有必需的特性，具有强发射，包括小的ΔE ST和瞬态PL衰减曲线，并具有快速和稳定的特性。延迟的荧光成分。TXO-PhCz4与TXO-PhCz3相比，它表现出更强的轨道耦合，然后磷光发射引起瞬态PL衰减的反温度依赖性，这与TXO-PhCz3和其他TADF发射器相反。TXO-PhCz4在室温下的ΔE ST小，为23 meV，衰减时间短，为14μs，这比TXO-PhCz3小得多且短得多。基于TXO-PhCz4的多层OLED显示出非常低的效率衰减，最大电流效率为49.2 cd

  DOI：

  10.1039/c7tc04025c

文献信息

• Verfahren zur Verhinderung von Ausblüherscheinungen auf mineralischen Substraten
  申请人：BASF Aktiengesellschaft

  公开号：EP0441221A1

  公开（公告）日：1991-08-14

  Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Verhinderung von Ausblüherscheinungen auf mineralischen Substraten durch Beschichten der Oberfläche der mineralischen Substrate mit wäßrigen Copolymerdispersionen und Trocknen der Beschichtung, dadurch gekennzeichnet, daß man für die Beschichtung ein Gemisch aus A) einem Copolymer mit einer Glastemperatur von -25 bis +30°C aus a) 25 bis 80 Gew.-% mindestens eines Monomeren aus der Gruppe aus Acrylestern von bis zu 20 C-Atome enthaltenden, kein tertiäres H-Atom aufweisenden Alkanolen und Vinylestern von bis zu 12 C-Atome enthaltenden Carbonsäuren, b) 0 bis 70 Gew.-% mindestens eines Monomeren aus der Gruppe aus vinylaromatischen Monomeren und Methacrylestern von bis zu 20 C-Atome enthaltenden, kein tertiäres H-Atom aufweisenden Alkanolen, c) 0 bis 19 Gew.-% eines Acryl- oder Methacrylesters von 3 bis 20 C-Atome enthaltenden, ein tertiäres H-Atom aufweisenden Alkanolen, und d) 0 bis 15 Gew.-%, wobei die Gew.-% jeweils auf die Summe der Monomeren bezogen ist, an weiteren, copolymerisierbaren olefinisch ungesättigten Verbindungen und B) 0,1 bis 5 Gew.-Teile, bezogen auf die Menge des Copolymerisats A als 100 Gew.-Teile, eines aromatischen Ketons verwendet und die Beschichtung bei oder nach ihrer Trocknung mit ultraviolettem Licht bestrahlt und einen so geschützten Betonstein.

  本发明涉及一种通过在矿物基材表面涂覆水性共聚物分散体并干燥涂层来防止矿物基材上的风化的工艺，其特征在于，对于涂层而言，下列物质的混合物将被用于防止矿物基材上的风化 A) 玻璃化转变温度为-25 至 +30°C 的共聚物 a) 25-80%（按重量计）的至少一种单体，该单体来自含 20 个碳原子且无三级 H 原子的烷醇的丙烯酸酯和含 12 个碳原子的羧酸的乙烯基酯组成的组、 b) 0-70%（重量百分比）的至少一种单体，该单体来自乙烯基芳香族单体和含 20 个碳原子且不含三级 H 原子的烷醇的甲基丙烯酸酯组成的组、 c) 0 至 19%（重量百分比）含有 3 至 20 个碳原子且具有一个三级 H 原子的烷 醇的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯，以及 d) 其他可共聚的烯烃不饱和化合物 0 至 15%（按重量计），在每种情况下，重量 百分比以单体总和为基础。 和 B) 0.1 至 5 重量份的芳香酮，以 100 重量份的共聚物 A 的量为基准 在干燥过程中或干燥后，用紫外线照射涂层，得到受保护的混凝土砌块。
• [EN] COMPOUND FOR ORGANIC ELECTRIC ELEMENT, ORGANIC ELECTRIC ELEMENT USING SAME, AND ELECTRONIC DEVICE THEREOF<br/>[FR] COMPOSÉ POUR ÉLÉMENT ÉLECTRIQUE ORGANIQUE, ÉLÉMENT ÉLECTRIQUE ORGANIQUE L'UTILISANT, ET DISPOSITIF ÉLECTRONIQUE ASSOCIÉ<br/>[KO] 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치
  申请人：DUK SAN NEOLUX CO LTD

  公开号：WO2021045444A1

  公开（公告）日：2021-03-11

  본 발명은 화학식 1로 표시되는 화합물과, 제 1전극, 제 2전극 및 상기 제 1전극과 상기 제 2전극 사이의 유기물층을 포함하는 유기전기소자, 및 상기 유기전기소자를 포함하는 전자장치를 제공한다. 상기 유기물층에 화학식 1로 표시되는 화합물을 포함함으로써, 유기전기소자의 구동전압을 낮출 수 있고 발광 효율 및 수명을 향상시킬 수 있다.
• Triplet decay-induced negative temperature dependence of the transient photoluminescence decay of thermally activated delayed fluorescence emitter
  作者：Xiaofang Wei、Yongzhen Chen、Ruihong Duan、Jianjun Liu、Ruifang Wang、Yanwei Liu、Zhiyi Li、Yuanping Yi、Yukiko Yamada-Takamura、Pengfei Wang、Ying Wang

  DOI：10.1039/c7tc04025c

  日期：——

  transient PL decay curves with a prompt and delayed fluorescent component. TXO-PhCz4 exhibits a much stronger orbital coupling than TXO-PhCz3 and then the phosphorescent emission causes the inverse temperature dependence of the transient PL decay, which is contrary to that of TXO-PhCz3 and other TADF emitters. TXO-PhCz4 exhibits a small ΔEST of 23 meV and a short decay time of 14 μs at room temperature, which

  研究了在TXO单元上苯基的不同取代位置上具有PhCz供体的三个TX基D–A异构体（TXO-PhCz1，TXO-PhCz3和TXO-PhCz4）的光物理性质。PhCz单元的取代位置会显着影响这些异构体的光物理性质。TXO-PhCz1在未掺杂和掺杂的薄膜中均显示非常弱的发射，而TXO-PhCz3和TXO-PhCz4在TADF发射器中具有必需的特性，具有强发射，包括小的ΔE ST和瞬态PL衰减曲线，并具有快速和稳定的特性。延迟的荧光成分。TXO-PhCz4与TXO-PhCz3相比，它表现出更强的轨道耦合，然后磷光发射引起瞬态PL衰减的反温度依赖性，这与TXO-PhCz3和其他TADF发射器相反。TXO-PhCz4在室温下的ΔE ST小，为23 meV，衰减时间短，为14μs，这比TXO-PhCz3小得多且短得多。基于TXO-PhCz4的多层OLED显示出非常低的效率衰减，最大电流效率为49.2 cd