叔丁基胂 | 4262-43-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 中文名称: 叔丁基胂
• 中文别名: 1H-2-氧杂-7a-氮杂环戊二烯并[cd]茚-1,3(5H)-二酮,4-乙基-2a,6,7,7b-四氢-,(2aS-顺)-(9CI)
• 英文名称: t-butylarsine
• 英文别名: tertbutylarsine；tert-Butyl-arsin；mono-1,1-dimethylethylarsine；tertiary butylarsine；mono-t-butylarsine；t-BuAsH2；Tert-butylarsane
• CAS: 4262-43-5
• 化学式: C₄H₁₁As
• 分子量: 134.053
• InChiKey: OHCFIQBNVPRBOO-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  65-67 °C

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.84
• 重原子数：
  5
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

安全信息

• 危险等级：
  6.1(a)
• 安全说明：
  S28,S36/37,S43,S45,S9
• 危险类别码：
  R17,R26
• 海关编码：
  2931900090
• 危险品运输编号：
  UN 2929

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  叔丁基胂 、 三甲基镓 以 gas 为溶剂， 生成 gallium arsenide
  参考文献：
  名称：

  使用叔丁基胂的金属有机化学气相沉积高纯砷化镓

  摘要：

  报道了使用叔丁基胂（TBA）和三甲基镓生长高纯度砷化镓。高纯度 TBA 的可用性允许液氮迁移率高达 80 000 cm2/V s 的材料生长，这是迄今为止报道的任何烷基胂生长的最高值。残留的供体物种已通过磁光致发光识别。

  DOI：

  10.1063/1.101182
• 作为产物：
  描述：

  tert-butyl-dichloro-arsine 在 lithium aluminium tetrahydride 作用下， 以 四乙二醇二甲醚 为溶剂， 生成 叔丁基胂
  参考文献：
  名称：

  Alkyl group VA metal compounds

  摘要：

  提供了一种通过格氏试剂与VA族金属卤化物在特定的醚溶剂中反应制备高收率和高纯度VA族有机金属化合物的方法。还提供了一种制备VA族有机金属氢化物的方法。

  公开号：

  US20050033073A1

文献信息

• Organometallic vapor phase epitaxy of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors using tertiarybutylarsine
  作者：T. S. Kim、B. Bayraktaroglu、T. S. Henderson、D. L. Plumton

  DOI：10.1063/1.105044

  日期：1991.5.6

  We have studied the use of tertiarybutylarsine (t‐BuAsH2) for organometallic vapor phase epitaxy (OMVPE) growth of AlGaAs/GaAs heterojunction bipolar transistors (HBTs). Good dc characteristics were achieved with t‐BuAsH2‐grown HBT structures, including common‐emitter current gains higher than 200 and 1000 for n‐p‐n and p‐n‐p structures, respectively. Near‐ideal current gain dependence on the collector

  我们研究了叔丁基胂 (t-BuAsH2) 在 AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管 (HBT) 的有机金属气相外延 (OMVPE) 生长中的应用。t-BuAsH2 生长的 HBT 结构实现了良好的直流特性，包括 n-p-n 和 p-n-p 结构的共发射极电流增益分别高于 200 和 1000。观察到接近理想的电流增益依赖于集电极电流密度，表明 AlGaAs 的质量适用于高性能 HBT。微波特性也与胂生长的 HBT 的特性相当。这些结果表明 t-BuAsH2 可以成功替代胂，用于 AlGaAs/GaAs HBT 结构的 OMVPE 生长。
• Effect of H2 on nitrogen incorporation in the metalorganic chemical vapor deposition of GaAs1−yNy (0⩽y⩽0.08)
  作者：B. F. Moody、P. T. Barletta、N. A. El-Masry、J. C. Roberts、M. E. Aumer、S. F. LeBoeuf、S. M. Bedair

  DOI：10.1063/1.1464225

  日期：2002.4.8

  The effect of hydrogen on the incorporation of nitrogen in GaAs1−yNy grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) is reported. Nitrogen content as high as y=0.081 has been achieved when the use of H2 is completely avoided in the MOCVD growth of GaAs1−yNy. When H2 is added to the growth ambient, the value of y in GaAs1−yNy decreases as the relative percent of H2 in the carrier gas increases

  报道了氢对通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 生长的 GaAs1-yNy 中氮掺入的影响。当在 GaAs1-yNy 的 MOCVD 生长中完全避免使用 H2 时，氮含量已达到 y=0.081。当 H2 添加到生长环境中时，GaAs1-yNy 中的 y 值随着载气中 H2 相对百分比的增加而降低。我们将报告这些 GaAsN 薄膜的特性，并讨论 H2 对这些薄膜中 N 含量的调节作用的性质。
• Reflectance‐difference spectroscopy study of surface reactions in atomic layer epitaxy of GaAs using trimethylgallium and tertiarybutylarsine
  作者：B. Y. Maa、P. D. Dapkus

  DOI：10.1063/1.104916

  日期：1991.5.20

  A real‐time reflectance‐difference spectroscopy (RDS) study of surface reactions of trimethylgallium (TMGa) and tertiarybutylarsine (TBAs) with (001)GaAs surfaces in an ultrahigh vacuum environment is reported. These studies reveal several phases of atomic layer epitaxy of GaAs using TMGa. A model consistent with various kinetics studies is established to explain the distinct behavior observed in RDS

  报道了在超高真空环境中三甲基镓 (TMGa) 和叔丁基胂 (TBA) 与 (001) GaAs 表面的表面反应的实时反射差谱 (RDS) 研究。这些研究揭示了使用 TMGa 的 GaAs 原子层外延的几个阶段。建立了与各种动力学研究一致的模型，以解释在 TMGa 暴露期间在 RDS 中观察到的不同行为。结果表明，通过RDS监测可以达到最佳生长条件。TMGa 暴露循环中发生的自限机制被认为是由于 TMGa 在 As 原子上的选择性吸附和反应以及 Ga 空位诱导的富 Ga 表面重建。还表明，TBAs 是一种很有前途的原子层外延砷源。
• Tertiary butylarsine grown GaAs solar cell
  作者：V. S. Sundaram、B. A. Arau、J. E. Avery、A. L. Bailey、G. R. Girard、H. E. Hager、A. G. Thompson、L. M. Fraas

  DOI：10.1063/1.100883

  日期：1989.2.13

  doped (both p and n type) gallium arsenide layers have been grown using trimethylgallium and tertiary butylarsine in a low‐pressure metalorganic chemical vapor deposition reactor. Using an alternate arsenic source, namely, tertiary butylarsine, a concentrator GaAs solar cell has been fabricated. Under 37 sun, air mass 1.5 illumination, the cell had an open‐circuit voltage of 1.095 V, a fill factor of

  使用三甲基镓和叔丁基砷在低压金属有机化学气相沉积反应器中生长出高质量、有意掺杂（p 型和 n 型）砷化镓层。使用替代的砷源，即叔丁基胂，已经制造了聚光 GaAs 太阳能电池。在 37 日照、1.5 空气质量光照下，电池的开路电压为 1.095 V，填充因子为 83%，总效率为 18.5%。
• Reaktionen von Phosphanen und Arsanen mit Diselenkomplexen
  作者：Lutz-R. Frank、Kaspar Evertz、Laszlo Zsolnai、Gottfried Huttner

  DOI：10.1016/0022-328x(87)87106-1

  日期：1987.11

  The compound [Cp′Mn(CO)2]Se2 (1) reacts with primary arsanes and phosphanes, and migration of the carbonylmetal fragment Cp′Mn(CO)2 (Cp′ = CH3C5H4) from the selenium to the arsenic or phosphorus center occurs. Products of these reactions are diselena-diarsetanes (4) or diselena-diphosphetanes (5). During the reaction of arsanes with 1, arsinidene complexes (2) are obtained in very good yields. Compounds

  化合物[Cp'Mn（CO）2 ] Se 2（1）与伯a烷和膦反应，并且羰基金属片段Cp'Mn（CO）2（Cp'= CH 3 C 5 H 4）从硒中迁移出来到砷或磷中心发生。这些反应的产物是二硒代-二硬脂酸酯（4）或二硒代-二磷酸酯（5）。在of烷与1的反应过程中，以非常高的产率获得了a啶二烯络合物（2）。具有PSeP单元（6）的化合物可以作为膦类与1的反应副产物分离出来。