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四(二乙基氨基)-铬 | 67938-78-7

中文名称
四(二乙基氨基)-铬
中文别名
——
英文名称
Chromium(4+);diethylazanide
英文别名
——
四(二乙基氨基)-铬化学式
CAS
67938-78-7
化学式
C16H40CrN4
mdl
——
分子量
340.516
InChiKey
ZTSVPMVCKFBYBS-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    5.6
  • 重原子数:
    21
  • 可旋转键数:
    8
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    4
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    4

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    四(二乙基氨基)-铬氢气 作用下, 以 neat (no solvent) 为溶剂, 生成
    参考文献:
    名称:
    Cr[sub 3](C,N)[sub 2] 和 CrSi[sub x]C[sub y] 薄膜的 MOCVD
    摘要:
    CrCxNy 和 CrSixCy 薄膜分别在 380-450°C 和 450-500°C 的温度范围内通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 在低压下沉积,使用 Cr(NEt2)4 和 CrCH2SiMe34 作为单源前驱体。在分别使用 H2 和 He 作为载气的冷壁立式反应器中实现了生长。两种类型的薄膜都表现出类似镜面的表面形态并且是无定形的沉积物。CrCxNy 层在真空下退火 1 小时后在 600°C 开始结晶,而在 H2 气氛下需要达到 650°C。在这两种情况下,原始三元相 Cr3(C0.8N0.2)2 都会结晶。沉积态的非晶 CrCxNy 薄膜的电阻率通常为 600. cm,并降低到 150 #。多晶 Cr3#C,N#2 薄膜形成后退火后的 cm。CrSixCy 层具有非常稳定的非晶结构,直到 850°C 保持 4 小时。尽管它们具有金属外观,但与 Cr3#C、N#2 薄膜相比,它们表现出高电阻率。介绍并讨论了这些
    DOI:
    10.1149/1.1939486
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文献信息

  • MOCVD of hard metallurgical coatings: Examples in the Cr–C–N system
    作者:F. Maury
    DOI:10.1016/j.electacta.2004.10.088
    日期:2005.8
    growth processes are mainly based on the use of bis(benzene)chromium as chromium source and various co-reactives. Then, from a good control of the reactive gas phase, it is possible to combine these MOCVD processes to grow in the same reactor protective coatings designed with a complex architecture based on polyphased, nanostructured or multilayer structure which exhibit enhanced properties. These deposition
    Cr-C-N三元体系的所有单个相,包括稳定相和亚稳态相,都可以通过属有机化学气相沉积(MOCVD)在低温下沉积。这些生长过程主要基于使用双(苯)作为源和各种共反应物。然后,通过对反应性气相的良好控制,可以将这些MOCVD工艺组合在一起,在同一反应器保护涂层中生长,该保护涂层的设计基于具有增强性能的多相,纳米结构或多层结构,结构复杂。描述了这些沉积过程,并讨论了涂层的主要特征。
  • Terry, Karl W.; Gantzel, Peter K.; Tilley, T. Don, Inorganic Chemistry, 1993, vol. 32, # 23, p. 5402 - 5404
    作者:Terry, Karl W.、Gantzel, Peter K.、Tilley, T. Don
    DOI:——
    日期:——
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