摘要:
通过共沉淀 $SnCl_4{\cdot}5H_2O$ 和 $WCl_4$ 并在 $1000^{\circ}C$ 下煅烧,制备了 5 mol % 的掺钨氧化锡($W_{0.05}Sn_{0.95}O_2$,TTO5)。制备的 TTO5 为纯锡石相,粒度约为 50 nm,光带隙为 2.51 eV。在此,我们采用溶胶-凝胶法在 TTO5 表面覆盖 $TiO_2$ 以形成 TTO5/$TiO_2$ 异质结。在可见光(${\lambda}{\geq}420$ nm)照射下,TTO5/$TiO_2$在去除气态 2-丙醇(IP)和演化出$CO_2$方面表现出明显较高的光催化活性。由于 TTO5 纳米粒子(NP)的吸收边沿在约 450 纳米处,且其价带(VB)电平比 $TiO_2$ 的价带(VB)电平正,因此推断其较高的可见光活性是由 TTO5 和 $TiO_2$ 的价带(VB)之间的半导体间空穴传输引起的。此外,还通过监测 1,4-对苯二甲酸 (TA) 的空穴清除反应,研究了 TTO5 和 $TiO_2$ 之间空穴传输机制的证据。