立方晶系的高纯度半导体,密度为5.97克/厘米³,熔点为2310℃。
合成制备方法是将按化学计量比称取的钇和锑,在保护气下于冷舟或钨坩埚中加热反应混合物。由于反应剧烈,这种方法通常适用于小于50g的批量生产。