氧化铟(III) | 1312-43-2

• 物质功能分类: 无机化工 - 无机盐 - 稀土金属、钇或钪的氧化物
• 分子结构分类: 无机化合物 - 混合金属/非金属化合物 - 后过渡金属盐
• 中文名称: 氧化铟(III)
• 中文别名: 氧化铟/纳米氧化铟；三氧化二铟；氧化铟；纳米氧化铟
• 英文名称: Indium oxide
• 英文别名: indium(3+);oxygen(2-)
• CAS: 1312-43-2
• 化学式: In2O3
• 分子量: 277.63
• InChiKey: PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  2000°C
• 密度：
  7.18 g/mL at 25 °C(lit.)
• 闪点：
  13°(55°F)
• 溶解度：
  溶于己烷和甲苯。不溶于醇
• 暴露限值：
  a/nm
• 物理描述：
  DryPowder
• 稳定性/保质期：
  在氢气或其他还原剂存在下，加热至400～500℃可还原成金属铟或低价铟的氧化物。高温分解会生成低级氧化物。另外，在高温下，三氧化二铟还会与金属铟发生如下反应： \[ \frac{1}{3} \text{In}_2\text{O}_3 + \frac{4}{3} \text{In} \rightarrow \text{In}_2\text{O} \] 低温灼烧生成的三氧化二铟虽然易溶于酸，但经过高温处理后则变得难以溶解，并且吸湿性消失。在赤热状态下用氢气还原时，则可直接生成金属铟。

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -1.12
• 重原子数：
  5
• 可旋转键数：
  0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.0
• 拓扑面积：
  3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  3

安全信息

• TSCA：
  Yes
• 危险等级：
  3
• 危险品标志：
  Xi
• 安全说明：
  S26,S36
• 危险类别码：
  R36/37/38
• WGK Germany：
  3
• 海关编码：
  2825 90 85
• 包装等级：
  II
• 危险品运输编号：
  UN 1993

SDS

第一部分：化学品名称

化学品中文名称：	氧化铟；三氧化二铟
化学品英文名称：	Indium oxide；Indium sesquioxide
中文俗名或商品名：
Synonyms：
CAS No.：	1312-43-2
分子式：	In 2 O 3
分子量：	277.64

第二部分：成分/组成信息

纯化学品 混合物

化学品名称：氧化铟；三氧化二铟

有害物成分 含量 CAS No.

第三部分：危险性概述

危险性类别：
侵入途径：	吸入 食入
健康危害：	对皮肤和粘膜有刺激作用。。目前尚未见职业中毒的报道。
环境危害：
燃爆危险：	本品不燃，有毒，具刺激性。

第四部分：急救措施

皮肤接触：	用肥皂水及清水彻底冲洗。就医。
眼睛接触：	拉开眼睑，用流动清水冲洗15分钟。就医。
吸入：	脱离现场至空气新鲜处。就医。
食入：	误服者，饮适量温水，催吐。就医。

第五部分：消防措施

危险特性：	无特殊的燃烧爆炸特性。
有害燃烧产物：	成分未知的黑色烟雾。
灭火方法及灭火剂：	消防人员必须穿全身防火防毒服，在上风向灭火。不燃。火场周围可用的灭火介质。
消防员的个体防护：
禁止使用的灭火剂：
闪点(℃)：
自燃温度(℃)：
爆炸下限[%(V/V)]：
爆炸上限[%(V/V)]：
最小点火能(mJ)：
爆燃点：
爆速：
最大燃爆压力(MPa)：
建规火险分级：

第六部分：泄漏应急处理

应急处理：

隔离泄漏污染区，周围设警告标志，建议应急处理人员戴好口罩、护目镜，穿工作服。小心扫起，收集运至废物处理场所。也可以用水冲洗，经稀释的洗水放入废水系统。如大量泄漏，收集回收或无害处理后废弃。

第七部分：操作处置与储存

操作注意事项：	密闭操作，局部排风。防止粉尘释放到车间空气中。操作人员必须经过专门培训，严格遵守操作规程。建议操作人员佩戴自吸过滤式防尘口罩，戴化学安全防护眼镜，穿防毒物渗透工作服，戴橡胶手套。避免产生粉尘。避免与氧化剂、酸类接触。配备泄漏应急处理设备。倒空的容器可能残留有害物。
储存注意事项：	储存于阴凉、通风的库房。远离火种、热源。防止阳光直射。包装密封。应与氧化剂、酸类、食用化学品分开存放，切忌混储。储区应备有合适的材料收容泄漏物。

第八部分：接触控制/个体防护

最高容许浓度：	中 国 MAC：未制订标准前苏联MAC：4mg／m3 美国TLV—TWA：未制订标准美
监测方法：
工程控制：	密闭操作，注意通风。
呼吸系统防护：	作业工人应该佩戴防尘口罩。
眼睛防护：	戴化学安全防护眼镜。
身体防护：	穿相应的防护服。
手防护：	戴防化学品手套。
其他防护：	工作后，淋浴更衣。保持良好的卫生习惯。

第九部分：理化特性

外观与性状：	白色至淡黄色粉末，热时呈红色。
pH：
熔点(℃)：	(分解)
沸点(℃)：	850
相对密度(水=1)：	7．179(25℃)
相对蒸气密度(空气=1)：
饱和蒸气压(kPa)：
燃烧热(kJ/mol)：
临界温度(℃)：
临界压力(MPa)：
辛醇/水分配系数的对数值：
闪点(℃)：
引燃温度(℃)：
爆炸上限%(V/V)：
爆炸下限%(V/V)：
分子式：	In 2 O 3
分子量：	277.64
蒸发速率：
粘性：
溶解性：	不溶于水，溶于热无机酸。
主要用途：	用于制造玻璃及其它铟盐。

第十部分：稳定性和反应活性

稳定性：	在常温常压下 稳定
禁配物：	强氧化剂、强酸。
避免接触的条件：
聚合危害：	不能出现
分解产物：	成分未知的黑色烟雾。

第十一部分：毒理学资料

急性毒性：	未见毒性资料 LD50： LC50：
急性中毒：
慢性中毒：
亚急性和慢性毒性：
刺激性：
致敏性：
致突变性：
致畸性：
致癌性：

第十二部分：生态学资料

生态毒理毒性：
生物降解性：
非生物降解性：
生物富集或生物积累性：

第十三部分：废弃处置

废弃物性质：
废弃处置方法：
废弃注意事项：

第十四部分：运输信息

危险货物编号：
UN编号：
包装标志：
包装类别：
包装方法：	无资料。
运输注意事项：	储存于阴凉、通风仓间内。远离火种、热源。包装密封。防止受潮和雨淋。搬运时轻装轻卸，保持包装完整，防止洒漏。操作现场不得吸烟、饮水、进食。
RETCS号：
IMDG规则页码：

第十五部分：法规信息

国内化学品安全管理法规：	化学危险物品安全管理条例 (1987年2月17日国务院发布)，化学危险物品安全管理条例实施细则 (化劳发[1992] 677号)，工作场所安全使用化学品规定 ([1996]劳部发423号)等法规，针对化学危险品的安全使用、生产、储存、运输、装卸等方面均作了相应规定。
国际化学品安全管理法规：

第十六部分：其他信息

参考文献：	1.周国泰，化学危险品安全技术全书，化学工业出版社，1997 2.国家环保局有毒化学品管理办公室、北京化工研究院合编，化学品毒性法规环境数据手册，中国环境科学出版社.1992 3.Canadian Centre for Occupational Health and Safety,CHEMINFO Database.1998 4.Canadian Centre for Occupational Health and Safety, RTECS Database, 1989
填表时间：	年月日
填表部门：
数据审核单位：
修改说明：
其他信息：	6
MSDS修改日期：	年月日

制备方法与用途

半导体功能材料：三氧化二铟

三氧化二铟（In₂O₃）作为一种n型宽带隙透明半导体纳米材料，展现出许多优异的性能，并已在多个领域得到应用，如超灵敏气体传感器、太阳能电池、液晶显示和建筑玻璃加热材料等。未表面修饰的三氧化二铟纳米晶及表面修饰后的纳米晶和纳米花均具有强的荧光性能和可见光透过性能，在不同介质中（如三氯甲烷、石油醚、水）表现出良好的分散性，可用作生物荧光指示剂和玻璃透明涂料。

化学性质

氧化铟为白色或黄色粉末，受热会转变为红褐色。在氢气或其他还原剂存在下加热至400～500℃可还原成金属铟或低价铟的氧化物。高温下分解为低级氧化物，并可能与金属铟发生反应。经高温处理后，In₂O₃虽易溶于酸，但其溶解性会随处理温度的提高而降低，且吸湿性消失。在赤热状态下用氢气还原时可生成金属铟。三氧化二铟是一种N型半导体（电子型半导体），可用于集成电路的电阻元件，并能与p-InP、n-GaAs、n-Si及其他半导体形成异质结。

用途

三氧化二铟主要用作电池原材料、荧光屏、玻璃、陶瓷及化学试剂等。

生产方法

1. 将高纯金属铟在空气中燃烧或煅烧碳酸铟生成In₂O、InO、In₂O₃，精细控制还原条件可制得高纯In₂O₃。也可通过喷雾燃烧工艺获得平均粒径为20nm的三氧化二铟陶瓷粉。
2. 将氢氧化铟灼烧制备三氧化二铟时需注意温度和时间的选择，过高的温度可能导致热分解，而过低则难以完全脱水且生成物具有吸湿性。必须在氧化气氛中保持In₂O₃的稳定性。
3. 在空气中于850℃灼烧氢氧化铟至恒重后，在1000℃下加热30分钟可得到三氧化二铟，硝酸铟、碳酸铟和硫酸铟也可通过类似方法制备。

分类

• 类别：有毒物品
• 毒性分级：低毒
• 急性毒性：
  • 大鼠口服LD₅₀ >10000毫克/公斤
  • 小鼠口服LD₅₀>10000毫克/公斤
• 储运特性：库房通风低温干燥
• 灭火剂：干粉、泡沫、砂土、二氧化碳，雾状水
• 职业标准：TWA 0.1 毫克(铟)/立方米

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  氧化铟(III) 、 三氧化二钐分散体 以indium oxide-samarium oxide (ISmO) thin films were formed in the same manner as in Example 1-1 and Comparative 1-1的产率得到Indium oxide samarium oxide
  参考文献：
  名称：

  Semiconductor thin film, semiconductor thin film manufacturing method and semiconductor element

  摘要：

  一种含无定形氧化物的薄膜被暴露在由高频激发含氧气体所产生的氧等离子体中。最好在施加频率为1 kHz或更高且300 MHz或更低，压力为5 Pa或更高的条件下产生氧等离子体。最好采用溅射法、离子镀法、真空沉积法、溶胶凝胶法或细粒子应用法来暴露无定形氧化物薄膜。

  公开号：

  US09249032B2

文献信息

• SEMICONDUCTOR THIN FILM, SEMICONDUCTOR THIN FILM MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR ELEMENT
  申请人：Inoue Kazuyoshi

  公开号：US20100127256A1

  公开（公告）日：2010-05-27

  An amorphous oxide thin film containing amorphous oxide is exposed to an oxygen plasma generated by exciting an oxygen-containing gas in high frequency. The oxygen plasma is preferably generated under the condition that applied frequency is 1 kHz or more and 300 MHz or less and pressure is 5 Pa or more. The amorphous oxide thin film is preferably exposed by a sputtering method, ion-plating method, vacuum deposition method, sol-gel method or fine particle application method.

  一种含非晶氧化物的氧化物薄膜暴露在由激发含氧气体的高频氧等离子体中生成的氧等离子体中。最好在施加频率为1 kHz或更高，300 MHz或更低且压力为5 Pa或更高的条件下生成氧等离子体。最好通过溅射法、离子镀膜法、真空蒸发法、溶胶-凝胶法或细粒子应用法暴露非晶氧化物薄膜。
• INDIUM ADSORBENT, INDIUM ADSORBENT PRODUCING METHOD, AND INDIUM ADSORPTION METHOD
  申请人：Yamashita Keiji

  公开号：US20110061495A1

  公开（公告）日：2011-03-17

  An indium adsorbent includes a polymer material having a template architecture with respect to indium, the indium adsorbent having an adsorption selection rate of indium with respect to zinc of 2.0 or more.

  一种铟吸附剂，包括一种聚合物材料，该材料具有相对于铟的模板结构，该铟吸附剂具有相对于锌的铟吸附选择率为2.0或更高。
• Indium adsorbent, indium adsorbent producing method, and indium adsorption method
  申请人：Yamashita Keiji

  公开号：US08802590B2

  公开（公告）日：2014-08-12

  An indium adsorbent is provided that is obtained by the following process. A hydrophilic polymer having a carboxyl group in which indium is incorporated in advance is caused to absorb an aqueous solution of a water-soluble monomer, a cross-linking agent, and a polymerization initiator, and an acid treatment is performed on a polymer obtained by polymerizing the water-soluble monomer, to obtain the indium adsorbent. The indium adsorbent has a template architecture with respect to indium. Accordingly, the indium adsorbent is capable of adsorbing indium with a high selectivity. An indium selection rate is 2.0 or more with respect to zinc.

  提供了一种铟吸附剂，其通过以下过程获得。首先将预先掺入铟的具有羧基的亲水性聚合物吸附水溶性单体、交联剂和聚合引发剂的水溶液，然后对聚合后的水溶性单体进行酸处理，以获得铟吸附剂。该铟吸附剂具有相对于铟的模板结构，因此能够高选择性地吸附铟。相对于锌，铟选择率为2.0或更高。
• LOW-TEMPERATURE ROUTE FOR PRECISION SYNTHESIS OF METAL OXIDE NANOPARTICLES
  申请人：University of Oregon

  公开号：US20150259217A1

  公开（公告）日：2015-09-17

  Methods for making metal oxide nanoparticles, including mixed metal oxides and core-shell metal oxide nanoparticles, are disclosed. A solution comprising a metal carboxylate and a carboxylic acid is combined with a solvent comprising an alcohol heated to a temperature ≦250° C. for an effective period of time to form metal oxide nanoparticles. The metal may be a group IIIA metal, a group IVA metal, a transition metal, or a combination thereof. A metal oxide shell may be deposited onto metal oxide nanoparticles by dispersing the metal oxide nanoparticles in an alcohol, adding a metal carboxylate, and maintaining the reaction at a temperature ≦200° C. for an effective period of time to form core-shell nanoparticles. The nanoparticles may have a relative size dispersity of ≦20%, and may further comprise a plurality of carboxylic acid, carboxylate, and/or alcohol ligands coordinated to the nanoparticles' outer surfaces.

  本发明揭示了制备金属氧化物纳米粒子的方法，包括混合金属氧化物和核壳金属氧化物纳米粒子。将含有金属羧酸盐和羧酸的溶液与含有醇的溶剂混合，在≦250°C的有效时间内加热，形成金属氧化物纳米粒子。金属可以是IIIA族金属、IVA族金属、过渡金属或其组合。通过将金属氧化物纳米粒子分散在醇中，加入金属羧酸盐，并在≦200°C的有效时间内保持反应，可以在金属氧化物纳米粒子上沉积金属氧化物壳层，形成核壳纳米粒子。纳米粒子的相对尺寸分散度可以≦20％，并且可能进一步包含多个羧酸、羧酸盐和/或醇配体协同到纳米粒子的外表面。
• Semiconductor thin film, semiconductor thin film manufacturing method and semiconductor element
  申请人：Inoue Kazuyoshi

  公开号：US08785920B2

  公开（公告）日：2014-07-22

  An amorphous oxide thin film containing amorphous oxide is exposed to an oxygen plasma generated by exciting an oxygen-containing gas in high frequency. The oxygen plasma is preferably generated under the condition that applied frequency is 1 kHz or more and 300 MHz or less and pressure is 5 Pa or more. The amorphous oxide thin film is preferably exposed by a sputtering method, ion-plating method, vacuum deposition method, sol-gel method or fine particle application method.

  一种含有非晶态氧化物的氧化物非晶薄膜，暴露在高频激发氧气含量气体产生的氧等离子体中。最好在施加频率为1 kHz或更高，300 MHz或更低，压力为5 Pa或更高的条件下产生氧等离子体。非晶态氧化物薄膜最好通过溅射法、离子镀法、真空蒸发法、溶胶-凝胶法或细颗粒应用法进行暴露。

表征谱图