trineopentyl gallium | 106136-97-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机过渡后金属化合物
• 英文名称: trineopentyl gallium
• 英文别名: trineopentylgallium(III)；tri(neopentyl)gallium；tris-neopentylgallium；trineopentylgallane；trineopentylgallium；trisneopentylgallium
• CAS: 106136-97-4
• 化学式: C₁₅H₃₃Ga
• 分子量: 283.15
• InChiKey: MDDLDNKWFHKJMP-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.62
• 重原子数：
  16
• 可旋转键数：
  6
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  trineopentyl gallium 在 氨 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 trineopentyl gallium * NH3
  参考文献：
  名称：

  有机金属前体，用于通过金属有机化学气相沉积形成氮化镓。三苯戊基镓及其加合物与氨，二甲胺和叔丁胺的热分解

  摘要：

  在没有空气的情况下，NP 3 Ga（Np =（CH 3）3 CCH 2-）在310–340°C时热分解，生成异丁烯和新戊烷作为主要气体产物，并形成具有金属外观材料的薄膜。NP 3 Ga容易与NH 3，Me 2 NH和t BuNH 2反应形成1：1加合物NP 3 Ga·NH 3（I），Np 3 Ga·NMe2H（II）和Np 3 Ga·N t BuH 2（III）。加合物I和II在130–140°C开始分解，得到新戊烷和含有镓氮的固体。在此温度下长时间加热，所有的含N基团都会因GaN键断裂而丢失。对于III，完全解离在相对较低的100°C温度下发生。因此，这些加合物似乎都不适合用于通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）形成GaN的合适前体。

  DOI：

  10.1016/0022-328x(93)80291-i
• 作为产物：
  描述：

  (neopentyl)gallium dichloride 在 Na/naphthalene 、 HCl 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 生成 trineopentyl gallium
  参考文献：
  名称：

  Low Oxidation State Gallium Compounds Synthesis and Characterization of [Ga(CH2CMe3)]n

  摘要：

  The new organogallium(I) compound [Ga(CH2CMe3)]n has been prepared by the reduction of Ga(CH2CMes)2CI by using either sodium or lithium with naphthalene in THF. When the reagents were combined at -78-degrees-C, a yellow intermediate, a neopentylgallium(III) derivative of dihydronaphthalene C10H8[Ga(CH2CMe3)2]2.2MCl (M = Li, Na) was formed. Warming of the solution to 0-25-degrees-C resulted in decomposition of the yellow intermediate and formation of a reddish brown solution of [Ga(CH2CMe3)]n, Ga(CH2CMe3)3, C10H8, and either NaCl or LiCl. The gallium(I) product was a vitreous solid and was characterized by complete elemental analyses, hydrolyses with HCl/H2O and with DCl/D2O, oxidation with HgCl2 and with I2, cryoscopic molecular weight studies in benzene solution, and IR and NMR spectroscopic studies. All data support the conclusion that [Ga(CH2CMe3)]n exists as a mixture of species which are gallium cages. The numbers of gallium atoms in these cages might range from 6 to 12 atoms.

  DOI：

  10.1021/om00019a051

文献信息

• The mixed alkyl gallium or indium N,N,N-trimethylpropylenediaminedithiocarbamates. Crystal structure of diethyl(N,N′,N′-trimethylpropylenediamine) dithiocarbamatoindium(III)
  作者：S.W. Haggata、M. Azad Malik、M. Motevalli、Paul O'Brien

  DOI：10.1016/0022-328x(95)05934-h

  日期：1996.4

  A series of compounds with the general formula (R2MS2CNMe(CH2)3NMe2, RMe, Et, Np, C5H11; MGa, In) have been synthesized and characterized. Their low melting points and reasonable volatility makes them potentially suitable as single-source precursors for III/VI materials. The crystal structure of Et2InS2CNMe(CH2)3NMe2 has been determined.

  合成并表征了一系列具有通式（R 2 MS 2 CNMe（CH 2）3 NMe 2，RMe，Et，Np，C 5 H 11；MGa，In）的化合物。它们的低熔点和合理的挥发性使它们有可能适合作为III / VI材料的单源前体。已经确定了Et 2 InS 2 CNMe（CH 2）3 NMe 2的晶体结构。
• Hydrogallation of Trimethylsilylethynylbenzenes:  Generation of Potential Di- and Tripodal Chelating Lewis Acids
  作者：Werner Uhl、Henrik R. Bock、Frank Breher、Michael Claesener、Sima Haddadpour、Beate Jasper、Alexander Hepp

  DOI：10.1021/om061118c

  日期：2007.4.1

  dialkylgallium hydrides R2GaH (R = Et, nPr, iPr, neopentyl, tBu) afforded the corresponding addition products with intact GaR2 groups and two or three alkenyl substituents. In all products the gallium atoms attacked those carbon atoms that are attached to the trimethylsilyl groups. The expected cis arrangement of gallium and hydrogen atoms at the CC double bonds was detected only with di(tert-butyl)gallium residues

  1，4-双（三甲基甲硅烷基乙炔基）苯和1,3,5-三（三甲基甲硅烷基乙炔基）苯与氢化二烷基镓R 2 GaH（R = Et，n Pr，i Pr，新戊基，t Bu）加氢镓化，得到相应的加成产物具有完整的GaR 2基团和两个或三个烯基取代基。在所有产品中，镓原子都会攻击那些连接在三甲基甲硅烷基上的碳原子。仅用二（叔丁基）镓残基检测到了镓和氢原子在C C双键处的预期顺式排列。较小的烷基基团自发形成反式加成产物。顺式/反式异构化是有效的螯合剂的路易斯酸形成的必然步骤，并且尤其是trisalkene衍生物形成有趣圣餐杯状含有它们的内表面3路易斯酸性中心凹陷。
• Hydrogallierungsreaktionen mit den Monoalkinen H₅C₆-C≡C-SiMe₃und H₅C₆-C≡C-CMe₃-<i>cis</i>/<i>trans</i>-Isomerie und Substituentenaustausch
  作者：Werner Uhl、Michael Claesener、Sima Haddadpour、Beate Jasper、Ines Tiesmeyer、Sarina Zemke

  DOI：10.1002/zaac.200800322

  日期：2008.12

  dialkylgallium hydrides, R2Ga-H (R = Me, Et, nPr, iPr, tBu), by the addition of one Ga-H bond to its C≡C triple bond (hydrogallation). The gallium atoms attacked selectively those carbon atoms, which were also attached to trimethylsilyl groups. The cis arrangement of Ga and H across the resulting C=C double bonds resulted only for the sterically most shielded di(tert-butyl)gallium derivative, while in all

  涉及单炔烃 H5C6-C≡C-SiMe3 和 H5C6-C≡C-CMe3 - 顺式/反式异构化和取代基交换的水镓化反应 苯基-三甲基甲硅烷基乙炔，H5C6-C≡C-SiMe3，与不同的氢化二烷基镓（R2Ga-氢化物）反应R2Ga-氢化物 R = Me, Et, nPr, iPr, tBu)，通过在其 C≡C 三键上添加一个 Ga-H 键（水镓化）。镓原子选择性地攻击那些也连接到三甲基甲硅烷基的碳原子。Ga 和 H 在生成的 C = C 双键上的顺式排列仅产生于空间上最屏蔽的二（叔丁基）镓衍生物，而在所有其他情况下，随着反式加成的定量形成，发生了自发的顺式/反式重排产品。二乙基化合物Et2Ga-C(SiMe3)=C(H)-C6H5(2)通过置换交换得到副产物EtGa[C(SiMe3)=C(H)-C6H5]2(7,Z,Z)和Ga [C (SiMe3) = C (H) -C6H5] 3 (8)。有趣的是，化合物
• Gallium and indium compounds containing three different substituents. Crystal and molecular structure of [(Me3CCH2)ClGaPPh2]3
  作者：O.T. Beachley、John D. Maloney、Robin D. Rogers

  DOI：10.1016/0022-328x(93)80108-n

  日期：1993.5

  and (Me3CCH2)ClInPPh2, have been prepared and characterized. All compounds were characterized by partial elemental analysis, cryoscopic molecular weight studies in benzene solution, and NMR and IR spectroscopic data. All three compounds exist as trimeric molecules in solution. NMR spectral data were consistent with the presence of multiple isomers of the trimers. The compound [(MC3CCH2)ClGaPPh2]3 crystallizes

  制备并表征了三种新的较重的13族元素化合物，它们包含三个不同的取代基（Me 3 CCH 2）ClGaPPh 2，（Me 3 CCH 2）BrGaPPh 2和（Me 3 CCH 2）ClInPPh 2。所有化合物均通过部分元素分析，在苯溶液中的低温分子量研究以及NMR和IR光谱数据进行了表征。所有这三种化合物都以三聚体分子的形式存在于溶液中。NMR光谱数据与三聚体的多种异构体的存在一致。化合物[（MC 3 CCH 2）ClGaPPh 2 ] 3结晶的偏心空间群在光合速率2 1一个带有一个= 17.741（9）埃，b = 13.942（6）和C ^ = 21.574（8）。在Enraf-Nonius CAD-4衍射仪上收集衍射数据，并针对[ F o >s-5σ（F o）]的2971次反射将结构精炼为R = 4.6％和R w = 6.0％。GaP六元环具有典型的椅子构型，且新戊基占据E，A，A位。感兴趣的距离包括GaCl=
• Lewis Acid−Base Studies of Triorganogallium Compounds with Organophosphines
  作者：O. T. Beachley,、John D. Maloney

  DOI：10.1021/om970296q

  日期：1997.9.1

  The relative Lewis acidities of the series of triorganogallium compounds GaR3 (R = Me, Et, CH2CMe3, CH2SiMe3, CH2CMe2Ph, C6H2Me3) toward the common Lewis base HPPh2 and the relative Lewis basicities of a series of organophosphines which incorporate an acidic hydrogen HPRR‘ (PRR‘ = PPh2, P(C6H11)2, PEt2, P(H)(C6H11)) toward the common Lewis acid Ga(CH2CMe3)3 have been investigated and compared. Cryoscopic

  系列三有机镓化合物GaR 3（R = Me，Et，CH 2 CMe 3，CH 2 SiMe 3，CH 2 CMe 2 Ph，C 6 H 2 Me 3）相对于共同的Lewis碱HPPh 2和的相对Lewis酸度。系列有机膦的相对路易斯碱性，这些酸性膦结合了酸性氢HPRR'（PRR'= PPh 2，P（C 6 H 11）2，PEt 2，P（H）（C 6 H 11））酸Ga（CH 2已对CMe 3）3进行了研究和比较。低温分子量数据允许评估每个加合物离解的平衡常数。与分子量数据一致的31 P NMR光谱数据也用于研究形成（R 2 GaPRR'）2的烃消除反应的相对速率。