allyltrimethoxysilane | 18147-35-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: allyltrimethoxysilane
• 英文别名: allyl-dimethoxy-silane；HSi(OMe)2CH2CH=CH2；Allyl-dimethoxy-silan；allyldimethoxysilane；Silane, dimethoxy-2-propenyl-；dimethoxy(prop-2-enyl)silane
• CAS: 18147-35-8
• 化学式: C₅H₁₂O₂Si
• 分子量: 132.235
• InChiKey: HAPKKYLOHNZLFM-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  107-9°C

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.69
• 重原子数：
  8
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.6
• 拓扑面积：
  18.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

安全信息

• TSCA：
  No

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  allyltrimethoxysilane 以8.0 g (81%)的产率得到3-chloro-IX
  参考文献：
  名称：

  Allylalkylsilanes and their preparation methods

  摘要：

  本发明涉及一种由通式（III）表示的烯丙基硅烷及其制备方法，通过在氢硅化催化剂（如氯铂酸、硅胶负载铂、三丁基胺和Pd、Rh、Ni金属）的存在下，将通式I表示的烯丙基硅烷与通式II表示的烯烃化合物反应制备而成。其中，X独立地表示氯或烷氧基（C1-C4），R选自Ph、CH2Cl、CnH2nCH3（n=0-15）、Si(Me)mCl3-m（m=0-3）、CF3、CH2CF3、CN、CH2CN、(CH2)2Si(Me)mCl3-m（m=0-3）、Si(Me)m(OR1)3-m（m=0-3）、(CH2)2Si(Me)m(OR1)3-m（m=0-3）（其中Me为甲基，R1为甲氧基或乙氧基基团）、Ph-CH2Cl和环己烯基团。

  公开号：

  US05420323A1
• 作为产物：
  描述：

  甲醇 、 烯丙基二氯硅烷 在 吡啶 作用下， 生成 allyltrimethoxysilane
  参考文献：
  名称：

  Korschak et al., Izvestiya Akademii Nauk SSSR, Seriya Khimicheskaya, 1959, p. 1116,1121; engl. Ausg. S. 1077, 1082

  摘要：

  DOI：

文献信息

• Platinum Bis(tricyclohexylphosphine) Silyl Hydride Complexes
  作者：Danny Chan、Simon B. Duckett、Sarah L. Heath、Iman G. Khazal、Robin N. Perutz、Sylviane Sabo-Etienne、Philippa L. Timmins

  DOI：10.1021/om049549n

  日期：2004.11.1

  thermodynamic stability of some of the platinum silyl complexes, of which the most stable was cis-Pt(PCy3)2(H)(SiPh2H). NMR spectroscopy demonstrates that the inequivalent phosphine ligands of the cis isomers undergo intramolecular mutual exchange on the NMR time scale. In competition with this process, the complexes undergo reversible reductive elimination of silane. Analysis of the NMR spectra yields the

  一系列铂金属甲硅烷基氢化物配合物，顺式-Pt（PCy 3）2（H）（SiR 2 R'）（SiR 2 R'= SiPh 2 H，SiEt 2 H，SiPh 3，SiEt 3，SiMe 2（OSiHMe 2），Si（OSiMe 3）2 Me，SiMe 2（CH 2 CH CH 2），SiMe 2 Et，SiMe 2 [OCH 2 C（Me）CH 2 ]，Si（OMe）2（CH 2 CH CH 2），SiPh 2（OSiPh 2 H））是通过使Pt（PCy 3）2与适当的硅烷HSiR 2 R'反应而在溶液中制备的。复杂的顺式-Pt（PCy 3）2（H）（HSiPh 2）（1-顺式）的特征是通过X射线晶体学在-100°C下进行的。铂中心呈现出扭曲的方平面几何形状，角度为P（1）-Pt-P（2）= 113.55（3）°，P（1）-Pt-Si = 146.83（3）°和P（2 ）-Pt-Si = 99
• Direct formation of organosilicon compounds from silicon, methanol and alkenes
  作者：Masaki Okamoto、Eiichi Suzuki、Yoshio Ono

  DOI：10.1039/c39940000507

  日期：——

  The reaction of metallic silicon with methanol in the presence of an allyl alkyl ether affords an organosilicon compound, the reaction giving a unique method of synthesizing organosilicon compounds without using organic halides.

  金属硅与甲醇在烯丙基烷基醚存在下反应生成有机硅化合物，该反应提供了一种不使用有机卤化物合成有机硅化合物的独特方法。
• Pentaco-ordinate silicon compounds in synthesis: regiospecific allylation of aldehydes by use of triethylammonium bis(pyrocatecholato)allylsilicates
  作者：Akira Hosomi、Shinya Kohra、Yoshinori Tominaga

  DOI：10.1039/c39870001517

  日期：——

  The title compounds, readily prepared from allytrimethoxysilane, pyrocatechol, and triethylamine, react with aldehydes regiospecifically and chemoselectively without catalyst under mild conditions: the allylation takes place even in protic solvents such as ethanol.

  容易从烯丙基三甲氧基硅烷，邻苯二酚和三乙胺制备的标题化合物在温和条件下在没有催化剂的情况下与醛类发生区域特异性和化学选择性反应：烯丙基化即使在质子溶剂（如乙醇）中也发生。
• METHOD FOR DEPOSITING SI-CONTAINING FILM, INSULATOR FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
  申请人：Hamada Yoshitaka

  公开号：US20100061915A1

  公开（公告）日：2010-03-11

  A method for depositing a Si-containing film by plasma CVD is provided, and this method uses a silane compound as a film source. The silane compound has hydrogen atom or an alkoxy group as a reactive group, and has at least 2 silicon atoms in the molecule. The at least 2 silicon atoms are bonded by an intervening saturated hydrocarbon group. The ratio of the number of carbon atoms other than those included in the alkoxy group [C] to the number of silicon atoms [Si] ([C]/[Si]) is at least 3, and all silicon atoms are directly bonded to at least 2 carbon atoms. This method has realized an effective film deposition rate. Chemical stability of the film has also been improved by providing hydrophobicity with the film simultaneously with the suppression of the reactivity of the silicon atom for the nucleophilic reaction.

  提供了一种通过等离子CVD沉积含Si薄膜的方法，该方法使用硅烷化合物作为薄膜源。硅烷化合物具有氢原子或烷氧基作为反应基团，并且分子中至少有2个硅原子。至少2个硅原子由介于饱和碳氢基团之间的键结合。除烷氧基所包含的碳原子外的碳原子数[C]与硅原子数[Si]的比率([C]/[Si])至少为3，并且所有硅原子直接与至少2个碳原子键合。该方法实现了有效的薄膜沉积速率。同时，通过抑制硅原子对亲核反应的反应性，为薄膜提供了疏水性，从而提高了薄膜的化学稳定性。
• ORGANIC SILANE COMPOUND FOR FORMING SI-CONTAINING FILM BY PLASMA CVD AND METHOD FOR FORMING SI-CONTAINING FILM
  申请人：Hamada Yoshitaka

  公开号：US20100137626A1

  公开（公告）日：2010-06-03

  An organic silane compound for forming a Si-containing film by plasma CVD is provided. The silane compound contains 2 or more silicon atoms bonded by an intervening straight chain or branched oxygen-containing hydrocarbon chain having 4 to 8 carbon atoms containing a bond represented by C p —O—C q wherein p and q independently represent number of carbon atoms with the proviso that 2≦p≦6 and 2≦q≦6 and the carbon chains do not contain an unsaturated bond which conjugates with the oxygen atom, wherein all of the 2 or more silicon atoms has 1 or more hydrogen atom or an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms.

  提供一种有机硅烷化合物，用于通过等离子体CVD形成含硅膜。该硅烷化合物包含2个或更多硅原子，由介于直链或支链氧含量为4至8个碳原子的碳氢链之间的键结合，该键由Cp-O-Cq表示，其中p和q分别表示碳原子数，但须满足2≦p≦6和2≦q≦6，碳链不含与氧原子共轭的不饱和键，其中所有2个或更多硅原子具有1个或多个氢原子或1至4个碳原子的烷氧基。