(triethylsilanyl)phosphine | 39179-46-9

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: (triethylsilanyl)phosphine
• 英文别名: (triethylsilyl)phosphine；Triethylsilylphosphane
• CAS: 39179-46-9
• 化学式: C₆H₁₇PSi
• 分子量: 148.26
• InChiKey: JGQBDYOQJCERNV-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.87
• 重原子数：
  8
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  (triethylsilanyl)phosphine 、 二(三氟甲基)亚膦酰碘 以99%的产率得到1,1-双(三氟甲基)二膦
  参考文献：
  名称：

  Demuth, R.; Grobe, J.; Steiner, L., Zeitschrift fur Naturforschung, 1971, vol. 26 b, p. 731 - 732

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  三乙基氯硅烷 在 磷化氢 、 sodium 、 氢化钾 作用下， 以 乙二醇二甲醚 、 正己烷 为溶剂， 反应 48.0h， 生成 (triethylsilanyl)phosphine 、 tris(triethylsilyl)phosphine 、 bis(triethylsilanyl)phosphine
  参考文献：
  名称：

  用于量子点合成的位阻三（三烷基甲硅烷基）膦前体

  摘要：

  具有窄尺寸分布的纳米材料的合成具有挑战性，特别是对于III–V半导体纳米颗粒（也称为量子点）。关于磷化物，这个问题主要归因于反应过度的前体的使用。由于用于III–V半导体合成的有效试剂范围狭窄，问题变得更加严重。我们报道了在InP量子点（QD）合成中使用空间受限的三（三乙基甲硅烷基）膦和三（三丁基甲硅烷基）膦。假设是这些试剂的反应性不如近乎普遍的前体三（三甲基甲硅烷基）膦，可用于制造更均匀的材料。发现InP产品的量子产率和发射色饱和度（fwhm）有所提高，但未达到CdSe量子点中实现的水平。而不管，这些试剂还有其他积极特性；它们的自发性较低，可用于II-V半导体和有机磷化合物的合成。关于安全实践，我们证明了氟化氢可以有效替代高毒性的HF，用于III-V半导体量子点的后处理。

  DOI：

  10.1021/acs.inorgchem.0c02440

文献信息

• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: F: PerFHalOrg.3, 1.2, page 14 - 30
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: F: PerFHalOrg.3, 2.9, page 222 - 225
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Demuth, R.; Grobe, J.; Steiner, L., Zeitschrift fur Naturforschung, 1971, vol. 26 b, p. 731 - 732
  作者：Demuth, R.、Grobe, J.、Steiner, L.

  DOI：——

  日期：——
• Sterically Encumbered Tris(trialkylsilyl) Phosphine Precursors for Quantum Dot Synthesis
  作者：Hashini B. Chandrasiri、Eun Byoel Kim、Preston T. Snee

  DOI：10.1021/acs.inorgchem.0c02440

  日期：2020.11.2

  improved, but not to the levels realized in CdSe QDs. Regardless, these reagents have other positive attributes; they are less pyrophoric and can be applied toward the synthesis of II–V semiconductors and organophosphorus compounds. Concerning safe practices, we demonstrate that ammonium bifluoride is an effective replacement for highly toxic HF for the post-treatment of III–V semiconductor quantum

  具有窄尺寸分布的纳米材料的合成具有挑战性，特别是对于III–V半导体纳米颗粒（也称为量子点）。关于磷化物，这个问题主要归因于反应过度的前体的使用。由于用于III–V半导体合成的有效试剂范围狭窄，问题变得更加严重。我们报道了在InP量子点（QD）合成中使用空间受限的三（三乙基甲硅烷基）膦和三（三丁基甲硅烷基）膦。假设是这些试剂的反应性不如近乎普遍的前体三（三甲基甲硅烷基）膦，可用于制造更均匀的材料。发现InP产品的量子产率和发射色饱和度（fwhm）有所提高，但未达到CdSe量子点中实现的水平。而不管，这些试剂还有其他积极特性；它们的自发性较低，可用于II-V半导体和有机磷化合物的合成。关于安全实践，我们证明了氟化氢可以有效替代高毒性的HF，用于III-V半导体量子点的后处理。
• Darstellung und charakterisierung von (CF3)2PPH2 und (CF3)2AsPH2
  作者：R. Demuth、J. Grobe

  DOI：10.1016/s0022-1139(00)81917-x

  日期：1973.1