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dimethyl(2,2-dimethylhydrazino)silane | 318981-38-3

中文名称
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中文别名
——
英文名称
dimethyl(2,2-dimethylhydrazino)silane
英文别名
2-(Dimethylsilyl)-1,1-dimethylhydrazine;2-dimethylsilyl-1,1-dimethylhydrazine
dimethyl(2,2-dimethylhydrazino)silane化学式
CAS
318981-38-3
化学式
C4H14N2Si
mdl
——
分子量
118.254
InChiKey
QFDIPNFLALEXTD-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    84.9±9.0 °C(Predicted)

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    0.04
  • 重原子数:
    7
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    15.3
  • 氢给体数:
    1
  • 氢受体数:
    2

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    二甲基一氯硅烷dimethyl(2,2-dimethylhydrazino)silane正丁基锂 作用下, 以 正己烷 为溶剂, 反应 7.0h, 以63.5%的产率得到N,N-bis(dimethylsilyl)-N',N'-dimethylhydrazine
    参考文献:
    名称:
    [EN] PRECURSORS AND METHODS FOR PREPARING SILICON-CONTAINING FILMS
    [FR] PRÉCURSEURS ET PROCÉDÉS DE PRÉPARATION DE FILMS CONTENANT DU SILICIUM
    摘要:
    提供了一些液态硅前体,用于沉积含硅膜,例如含硅、氮化硅、氧氮化硅、二氧化硅、碳化硅、掺碳氮化硅或掺碳氧氮化硅的膜。还提供了利用气相沉积技术形成这些膜的方法。
    公开号:
    WO2021202315A1
  • 作为产物:
    描述:
    二甲基一氯硅烷偏二甲肼乙醚 为溶剂, 以84%的产率得到dimethyl(2,2-dimethylhydrazino)silane
    参考文献:
    名称:
    Syntheses and structures of (N′,N′-dimethylhydrazido)silanes
    摘要:
    叠氮硅烷Ph2Si(NHNMe2)2(1)、Me2Si(NHNMe2)2(2)、PhSi(NHNMe2)3(3)、MeSi(NHNMe2)3(4)、PhClSi(NHNMe2)2(5)、MeClSi(NHNMe2)2(6)、Me2ClSi(NHNMe2)(7)、MeClHSi(NHNMe2)(8)、MeHSi(NHNMe2)2(9)、Me2HSi(NHNMe2)(10)、Me2NN[HSi(NHNMe2)2]2(11)和Si(NHNMe2)4(12)通过相应的氯硅烷与N,N-二甲基肼反应制备得到。一些同时含有Si-Cl和N-H官能团的化合物(6,7,8)反应性很高,倾向于聚合,只能通过光谱学方法(1H、13C、29Si NMR、IR、MS)进行表征。所有其他化合物还可以通过元素分析进行表征。1、2、5、9、11和12的固态结构通过X射线衍射确定。这些包括首次含有SiH-NH-N(9,11)和SiCl-NH-N(5)单元的化合物的结构确定。
    DOI:
    10.1039/b900293f
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文献信息

  • PRECURSORS AND METHODS FOR PREPARING SILICON-CONTAINING FILMS
    申请人:ENTEGRIS, INC.
    公开号:US20210301400A1
    公开(公告)日:2021-09-30
    Provided are certain liquid silicon precursors useful for the deposition of silicon-containing films, such as films comprising silicon, silicon nitride, silicon oxynitride, silicon dioxide, silicon carbide, carbon-doped silicon nitride, or carbon-doped silicon oxynitride. Also provided are methods for forming such films utilizing vapor deposition techniques.
    提供了一些液态前体,用于沉积含膜,例如含氮化硅、氧氮化硅二氧化硅、碳化、掺碳氮化硅或掺碳氧氮化硅的膜。还提供了利用气相沉积技术形成这些膜的方法。
  • ——
    作者:V. I. Rakhlin、A. N. Fomina、R. G. Mirskov、V. G. Kanaev、L. G. Larionova、M. G. Voronkov
    DOI:10.1023/a:1022527112583
    日期:——
  • ——
    作者:A. N. Fomina、B. A. Gostevskii、R. G. Mirskov、M. G. Voronkov、V. I. Rakhlin、V. A. Lopyrev
    DOI:10.1023/a:1015385010312
    日期:——
    Heating of dimethyl (2,2-dimethylhydrazino)si lane and methylbis(2,2-dimethylhydrazino)silane with 1-hexene or styrene in the presence of a catalytic amount of rhodium dicarbonylacetylacetonate gives rise to adducts by the terminal carbon atom (yields 45-84%). The same reactions with phenylacetylene give complex mixtures of products formed primarily by disproportionation of the starting organosilicon reagents.
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