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4-(S-acetylthio)-2,3,5,6-tetrafluorobenzaldehyde | 307537-97-9

中文名称
——
中文别名
——
英文名称
4-(S-acetylthio)-2,3,5,6-tetrafluorobenzaldehyde
英文别名
2,3,5,6-Tetrafluoro-4-(S-acetylthio)benzaldehyde;S-(2,3,5,6-tetrafluoro-4-formylphenyl) ethanethioate
4-(S-acetylthio)-2,3,5,6-tetrafluorobenzaldehyde化学式
CAS
307537-97-9
化学式
C9H4F4O2S
mdl
——
分子量
252.189
InChiKey
FRIHLTKQZGLODW-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    2.1
  • 重原子数:
    16
  • 可旋转键数:
    3
  • 环数:
    1.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.11
  • 拓扑面积:
    59.4
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    7

上下游信息

  • 上游原料
    中文名称 英文名称 CAS号 化学式 分子量

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    5-(4-methylphenyl)dipyrromethane4-(S-acetylthio)-2,3,5,6-tetrafluorobenzaldehyde三氟乙酸2,3-二氯-5,6-二氰基-1,4-苯醌 作用下, 以 二氯甲烷甲苯 为溶剂, 反应 5.25h, 以10%的产率得到10-[4-(S-acetylthio)-2,3,5,6-tetrafluorophenyl]-5,15-bis(4-methylphenyl)corrole
    参考文献:
    名称:
    一种简单通用的一锅法合成内消旋的反式A2B分子。
    摘要:
    我们开发了一种新方法,可提供区域异构纯的反式A2B分子。甲酸酯形成反应涉及二吡咯甲烷和醛的酸催化缩合,然后用DDQ氧化。通过检查各种反应参数(溶剂,酸,浓度,时间),可以确定最佳的缩合条件。确定的条件(室温下,CH2Cl2,[DPM] = 33 mM,[醛] = 17 mM,[TFA] = 1.3 mM(对于位阻DPM)或[TFA] = 0.26 mM(对于位阻DPM))温度)导致以3%至25%的收率形成花椰菜油,而无可检测的扰乱。该合成与多种功能兼容:酯,腈,醚,氟,羟基,碘,硝基,硫代乙酸酯,甲基亚砜氧基。总共制备了21种反式A2B型花椰菜。在8 mmol规模成功完成了三个示例性的合成。获得了与小规模实验基本上相同的收率的香精油23、30和41(160-600 mg)。
    DOI:
    10.1021/jo010146w
  • 作为产物:
    描述:
    五氟苯甲醛乙酰氯potassium thioacetate 作用下, 以 N,N-二甲基乙酰胺 为溶剂, 反应 1.0h, 以69%的产率得到4-(S-acetylthio)-2,3,5,6-tetrafluorobenzaldehyde
    参考文献:
    名称:
    具有不同接头的“卟啉-接头-硫醇”分子的合成,用于研究基于分子的信息存储
    摘要:
    氧化还原活性分子(如卟啉)与电活性表面的连接为基于电可寻址分子的信息存储提供了一种有吸引力的方法。卟啉通过硫醇连接基很容易附着在金表面。电活性表面和卟啉之间的电子转移速率是决定适用于基于分子的存储器存储的关键因素之一。该速率取决于将硫醇单元连接至卟啉的接头的类型和长度。我们已经开发了具有八种不同连接子的硫醇衍生卟啉的制备方法。两组接头探讨了接头长度和缀合的影响,一组接头包含苯乙炔单元,而另一组接头包含烷基单元。一个缺电子的连接子具有四个直接与硫代苯基单元相连的氟原子。为了促进卟啉的合成,已经开发了便利的途径来制备具有受保护的S-乙酰硫基的多种醛。还开发了1-(S-乙酰硫基)-4-碘代苯的有效合成。合成了一组卟啉,每个卟啉在一个内消旋位置带有一个S-乙酰基衍生化的连接基,并在其余三个内消旋位置上带有均三甲苯基。总共制备了七个新的醛,八个游离碱卟啉和八个锌卟啉。带有不同接头的锌卟啉均通过原位裂
    DOI:
    10.1021/jo000487u
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文献信息

  • Refined methods for the synthesis of meso-substituted A3- and trans-A2B-corrolesElectronic supplementary information (ESI) available: table describing attempts to optimize the reaction of MesDPM 30 with aldehyde 11. See http://www.rsc.org/suppdata/ob/b2/b208950e/
    作者:Daniel T. Gryko、Beata Koszarna
    DOI:10.1039/b208950e
    日期:2003.1.13
    one-pot synthesis of A3-corroles via "3 + 4" condensation of an aldehyde with a pyrrole followed by macrocyclization mediated by DDQ. After thorough examination of various reaction parameters (reactivity of an aldehyde, catalyst, solvent, concentration, time etc.) we have elaborated three different sets of conditions for different types of aromatic aldehydes--highly reactive, moderately reactive and sterically
    我们通过醛与吡咯的“ 3 + 4”缩合,然后由DDQ介导的大环化,改进了一锅合成的A3-Corroles。在彻底检查了各种反应参数(醛,催化剂,溶剂,浓度,时间等)后,我们针对不同类型的芳族醛制定了三组不同的条件-高反应性,中度反应性和空间位阻。由于确定了影响丙二烯收率及其转化为芳烃的收率的关键因素,我们得以将收率提高到约。高反应性醛为17%,约 对于中等反应性醛为13%。总共制备了14种A3-酚,收率7-21%。首次获得了5,10,15-Trimesitylcorrole。[2 +1]位阻二吡咯甲烷与醛之间的缩合反应也得到了改进,反式A2B苯酚的收率也提高了约20%。10%。
  • High density memory device
    申请人:Bocian F. David
    公开号:US20060209587A1
    公开(公告)日:2006-09-21
    This invention provides novel high density memory devices that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (e.g., 10 15 bits/cm 3 ), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.
    本发明提供了一种新型的高密度存储器件,具有电学可寻址性,可有效地进行读写操作,提供高存储密度(例如,1015比特/立方厘米),具有高度的容错性,并且适用于高效的化学合成和芯片制造。这些器件本质上是可锁定的、缺陷容忍的,并支持破坏性或非破坏性读取周期。在首选实施例中,该器件包括一个固定电极,与一个具有多种不同和可区分氧化态的存储介质电学耦合,通过电学耦合的电极向存储介质中添加或撤回一个或多个电子,将数据存储在所述氧化态中。
  • HIGH DENSITY NON-VOLATILE MEMORY DEVICE
    申请人:The Regents of the University of California
    公开号:EP1210714A2
    公开(公告)日:2002-06-05
  • EP1210714A4
    申请人:——
    公开号:EP1210714A4
    公开(公告)日:2006-01-04
  • US7042755B1
    申请人:——
    公开号:US7042755B1
    公开(公告)日:2006-05-09
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