Bis-(dimethylamino)-dimethyl-stannan | 993-74-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机过渡后金属化合物
• 英文名称: Bis-(dimethylamino)-dimethyl-stannan
• 英文别名: N,N,N',N',1,1-Hexamethylstannanediamine；N-[dimethylamino(dimethyl)stannyl]-N-methylmethanamine
• CAS: 993-74-8
• 化学式: C₆H₁₈N₂Sn
• 分子量: 236.932
• InChiKey: HTCDJHLYHZNYES-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  138°C
• 密度：
  1.148 at 20°C/4°C

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.81
• 重原子数：
  9
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  6.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  iron oxychloride 、 Bis-(dimethylamino)-dimethyl-stannan 以 正己烷 为溶剂， 生成
  参考文献：
  名称：

  Phillips; Herber, Inorganic Chemistry, 1986, vol. 25, # 17, p. 3081 - 3088

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  lithium dimethylamide 、 二甲基二氯化锡 以 乙醚 、 正己烷 为溶剂， 反应 5.0h， 以120 g的产率得到Bis-(dimethylamino)-dimethyl-stannan
  参考文献：
  名称：

  TIN COMPOUND, METHOD OF SYNTHESIZING THE SAME, TIN PRECURSOR COMPOUND FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION, AND METHOD OF FORMING TIN-CONTAINING MATERIAL FILM

  摘要：

  一种锡化合物，用于原子层沉积（ALD）的锡前体化合物，一种形成含锡材料薄膜的方法，以及一种合成锡化合物的方法，其中锡化合物由化学式（I）表示：其中R1、R2、Q1、Q2、Q3和Q4分别独立地是Cl至C4的直链或支链烷基基团。

  公开号：

  US20180155372A1

文献信息

• [EN] ORGANOMETALLIC COMPOUNDS AND METHODS FOR THE DEPOSITION OF HIGH PURITY TIN OXIDE<br/>[FR] COMPOSÉS ORGANOMÉTALLIQUES ET PROCÉDÉS DE DÉPÔT D'OXYDE D'ÉTAIN DE HAUTE PURETÉ
  申请人：SEASTAR CHEMICALS INC

  公开号：WO2019023797A1

  公开（公告）日：2019-02-07

  Disclosed herein are compounds useful for the deposition of high purity tin oxide. Also disclose are methods for the deposition of tin oxide films using such compounds. Such films demonstrate high conformality, high etch selectivity and are optically transparent. Such compounds are those of the Formula as follows R x -Sn-A 4-x wherein: A is selected from the group consisting of (Y a R' z ) and a 3- to 7-membered N- containing heterocyclic group; each R group is independently selected from the group consisting of an alkyl or aryl group having from 1 to 10 carbon atoms; each R' group is independently selected from the group consisting of an alkyl, acyl or aryl group having from 1 to 10 carbon atoms; x is an integer from 0 to 4; a is an integer from 0 to 1; Y is selected from the group consisting of N, O, S, and P; and z is 1 when Y is O, S or when Y is absent and z is 2 when Y is N or P.

  本文揭示了用于沉积高纯度氧化锡的化合物。还披露了使用这些化合物进行氧化锡薄膜沉积的方法。这些薄膜表现出高一致性、高刻蚀选择性并具有光学透明性。这些化合物的化学式如下：Rx-Sn-A4-x，其中：A选自(YaR'z)和含有3至7个成员的含氮杂环基团的群；每个R基独立地选自具有1至10个碳原子的烷基或芳基群；每个R'基独立地选自具有1至10个碳原子的烷基、酰基或芳基群；x为0至4的整数；a为0至1的整数；Y选自N、O、S和P的群；z为1（当Y为O、S或Y不存在时）或z为2（当Y为N或P时）。
• TIN COMPOUND, METHOD OF SYNTHESIZING THE SAME, TIN PRECURSOR COMPOUND FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION, AND METHOD OF FORMING TIN-CONTAINING MATERIAL FILM
  申请人：SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

  公开号：US20180155372A1

  公开（公告）日：2018-06-07

  A tin compound, tin precursor compound for atomic layer deposition (ALD), a method of forming a tin-containing material film, and a method of synthesizing a tin compound, the tin compound being represented by Chemical Formula (I): wherein R 1 , R 2 , Q 1 , Q 2 , Q 3 , and Q 4 are each independently a Cl to C4 linear or branched alkyl group.

  一种锡化合物，用于原子层沉积（ALD）的锡前体化合物，一种形成含锡材料薄膜的方法，以及一种合成锡化合物的方法，其中锡化合物由化学式（I）表示：其中R1、R2、Q1、Q2、Q3和Q4分别独立地是Cl至C4的直链或支链烷基基团。
• Gmelin Handbuch der Anorganischen Chemie, Gmelin Handbook: Sn: Org.Verb.3, 1.1.3.1, page 1 - 24
  作者：

  DOI：——

  日期：——
• Organometall-substituierte diazoalkane. II
  作者：Jörg Lorberth

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)86349-4

  日期：1968.11
• Phillips; Herber, Inorganic Chemistry, 1986, vol. 25, # 17, p. 3081 - 3088
  作者：Phillips、Herber

  DOI：——

  日期：——