trisylmethoxysilane | 72190-69-3

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: trisylmethoxysilane
• 英文别名: [(Methoxysilyl)methanetriyl]tris(trimethylsilane)；[methoxysilyl-bis(trimethylsilyl)methyl]-trimethylsilane
• CAS: 72190-69-3
• 化学式: C₁₁H₃₂OSi₄
• 分子量: 292.716
• InChiKey: JJOIDEFHLGDLII-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 熔点：
  228 °C
• 沸点：
  257.5±50.0 °C(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.51
• 重原子数：
  16
• 可旋转键数：
  5
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  9.2
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  1

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  trisylmethoxysilane 在 一氯化碘 作用下， 以 四氯化碳 为溶剂， 以76%的产率得到[iodomethoxysilyl-bis(trimethylsilyl)methyl]-trimethylsilane
  参考文献：
  名称：

  电子自旋共振研究某些具有三（三甲基甲硅烷基）甲基取代基的以硅为中心的自由基

  摘要：

  通过从相应的硅烷中夺取氢，已经形成了具有一个大的三基（三（三甲基甲硅烷基）甲基Tsi）取代基以及氢，甲基和苯基的所有六种组合作为另外两个取代基的硅中心自由基。偶合常数在预期范围内，并且没有获得自由基重排的证据。TsiSiH（OMe）2给出了TsiSi（OMe）2和TsiSiH（OMe）OCH 2 ·自由基的混合物。

  DOI：

  10.1016/s0022-328x(00)99271-4
• 作为产物：
  描述：

  tris(trimethylsilyl)methylsilane 在 一氯化碘 作用下， 以 四氯化碳 为溶剂， 生成 trisylmethoxysilane
  参考文献：
  名称：

  硅的三（三甲基硅烷基）甲基（“三烷基”）衍生物的制备

  摘要：

  用适当的卤化硅处理（Me 3 Si）3 CLi（“三基”锂，TsiLi）产生了一系列类型为（Me 3 Si）3 CSiRR'X的化合物。例如，TsiSiCl 3，TsiSiMeCl 2，TsiSiMe 2 X（X = Cl，OMe），TsiSiPh 2 X（X = F，Cl，OMe）和TsiSiPhMeH。三基对与其连接的硅的亲核位移造成很大的空间位阻，因此（除非存在一个或多个氢化物配体）在硅上不会发生大多数常见的位移。但是，LiAlH 4可以将卤化物还原为氢化物，并且氢化物可以通过致电子剂在亲电置换中转化为卤化物。甚至一种氢化物配体的存在也显着降低了阻碍，因此，例如，TsiSiPhHI与回流的甲醇反应生成TsiSiPhH（OMe）。

  DOI：

  10.1016/s0022-328x(00)87861-4

文献信息

• Preparation of tris(trimethylsilyl)methyl (“trisyl”) derivatives of silicon
  作者：Sujan S. Dua、Colin Eaborn、Duncan A.R. Harper、Steven P. Hopper、Kazem D. Safa、David R.M. Walton

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)87861-4

  日期：1979.9

  Treatment of (Me3Si)3CLi (“trisyl”lithium, TsiLi) with appropriate silicon halides has given a range of compounds of the type (Me3Si)3CSiRR′X; e.g., TsiSiCl3, TsiSiMeCl2, TsiSiMe2X (X = Cl, OMe), TsiSiPh2X (X = F, Cl, OMe), and TsiSiPhMeH. The trisyl group causes very large steric hindrance to nucleophilic displacements at the silicon to which it is attached, so that (unless one or more hydride ligands

  用适当的卤化硅处理（Me 3 Si）3 CLi（“三基”锂，TsiLi）产生了一系列类型为（Me 3 Si）3 CSiRR'X的化合物。例如，TsiSiCl 3，TsiSiMeCl 2，TsiSiMe 2 X（X = Cl，OMe），TsiSiPh 2 X（X = F，Cl，OMe）和TsiSiPhMeH。三基对与其连接的硅的亲核位移造成很大的空间位阻，因此（除非存在一个或多个氢化物配体）在硅上不会发生大多数常见的位移。但是，LiAlH 4可以将卤化物还原为氢化物，并且氢化物可以通过致电子剂在亲电置换中转化为卤化物。甚至一种氢化物配体的存在也显着降低了阻碍，因此，例如，TsiSiPhHI与回流的甲醇反应生成TsiSiPhH（OMe）。
• An electron spin resonance study of some silicon-centred free radicals with a tris(trimethylsilyl)methyl substituent
  作者：Abdulaziz I. Al-wassil、Colin Eaborn、Andrew Hudson、Richard A. Jackson

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)99271-4

  日期：1983.12

  Silicon-centred radicals with one bulky trisyl (  tris(trimethylsilyl)methyl  Tsi) substituent and all six combinations of hydrogen, methyl, and phenyl as the other two substituents have been formed by hydrogen abstraction from the corresponding silanes. Coupling constants are in the expected ranges, and no evidence for radical rearrangements was obtained. TsiSiH(OMe)2 gives a mixture of TsiSi(OMe)2

  通过从相应的硅烷中夺取氢，已经形成了具有一个大的三基（三（三甲基甲硅烷基）甲基Tsi）取代基以及氢，甲基和苯基的所有六种组合作为另外两个取代基的硅中心自由基。偶合常数在预期范围内，并且没有获得自由基重排的证据。TsiSiH（OMe）2给出了TsiSi（OMe）2和TsiSiH（OMe）OCH 2 ·自由基的混合物。
• Stable Halodilithiosilanes: Synthesis and Reactivity of TsiXSiLi₂(X = Br and Cl)
  作者：Myong Euy Lee、Young Mook Lim、Joo Young Son、Won Guk Seo

  DOI：10.1246/cl.2008.680

  日期：2008.7.5

  The stable bromodilithiosilane at room temperature was synthesized in 86% yield by the reduction of the corresponding tribromo[tris(trimethylsilyl)methyl]silane with lithium naphthalenide.

  用萘化锂还原相应的三溴[三（三甲基硅基）甲基]硅烷，合成了室温下稳定的溴二硫代硅烷，收率为 86%。
• DUA S. S.; EABORN C.; HAPPER D. A. R.; HOPPER S. P.; SAFA K. D.; WALTON D+, J. ORGANOMETAL. CHEM., 1979, 178, NO 1, 75-82
  作者：DUA S. S.、 EABORN C.、 HAPPER D. A. R.、 HOPPER S. P.、 SAFA K. D.、 WALTON D+

  DOI：——

  日期：——
• EABORN, C.;REED, D. E., J. CHEM. SOC. PERKIN TRANS., 1985, N 10, 1695-1697
  作者：EABORN, C.、REED, D. E.

  DOI：——

  日期：——