与其他常规材料(例如II-VI族CdSe)相比,
金属
砷化物半导体纳米晶体的合成具有挑战性,因为其晶格中的共价度高且缺乏各种有效的
磷化物前体。我们在这里报告了[[Me 3 Si)2 N] 2 AsCl(“
砷硅甲酰胺”)的使用,用于合成多种二元和三级量子受限物质,例如InAs(III–V),Cd 3 As 2(II– V)和Cu 3 AsS 4(凝结,I 3 –V–VI 4)纳米晶体。该试剂的物理性质解决了许多其他问题,尤其是与安全性有关的其他前体物质,例如发火性(TMS)3 As和剧毒AsH 3气体。此外,该试剂的使用首次实现了硬铝量子棒的实现。结合了NMR光谱学和量子
化学模型,阐明了
砷化
硅酰胺在形成InAs的反应机理中的作用。通过扩散机理形成Cd 3 As 2和Cu 3 AsS 4纳米结构。