tri-tert-butoxyhafnium chloride | 120312-43-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: tri-tert-butoxyhafnium chloride
• 英文别名: chlorotri(tert-butoxy)hafnium；Hf(OtBu)3Cl
• CAS: 120312-43-8
• 化学式: C₁₂H₂₇ClHfO₃
• 分子量: 433.288
• InChiKey: OUTAHJXGEMTQDD-UHFFFAOYSA-M

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  4.48
• 重原子数：
  17.0
• 可旋转键数：
  3.0
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  27.69
• 氢给体数：
  0.0
• 氢受体数：
  3.0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tri-tert-butoxyhafnium chloride 、 1,3,4,5-tetramethyl-2-trimethylsilyloxy-1,3-cyclopentadiene 在 正丁基锂 、 二异丙胺 作用下， 以 四氢呋喃 、 正己烷 为溶剂， 反应 14.0h， 以51%的产率得到tri-tert-butoxy(η⁵-2,3,4,5-tetramethyl-1-trimethylsilyloxycyclopentadienyl)hafnium
  参考文献：
  名称：

  第４族金属錯体、その製造方法、第４族金属含有薄膜の作製方法

  摘要：

  题目：提供一种具有优异的热稳定性和适度蒸汽压的第四族金属配合物，作为制备第四族金属含有薄膜的材料。 解决方案：提供一种由通式（1）表示的第四族金属配合物（其中，M表示第四族金属原子，R1、R2、R3和R4各自独立地表示氢原子或1-6个碳的烷基，R5、R6和R7各自独立地表示1-8个碳的烷基，R8、R9和R10各自独立地表示1-6个碳的烷基或1-3个碳的烷基氨基）。无选图。

  公开号：

  JP2016147819A
• 作为产物：
  描述：

  氯化铪 、 叔丁醇铪 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 12.0h， 生成 tri-tert-butoxyhafnium chloride
  参考文献：
  名称：

  第４族金属錯体、その製造方法、第４族金属含有薄膜の作製方法

  摘要：

  题目：提供一种具有优异的热稳定性和适度蒸汽压的第四族金属配合物，作为制备第四族金属含有薄膜的材料。 解决方案：提供一种由通式（1）表示的第四族金属配合物（其中，M表示第四族金属原子，R1、R2、R3和R4各自独立地表示氢原子或1-6个碳的烷基，R5、R6和R7各自独立地表示1-8个碳的烷基，R8、R9和R10各自独立地表示1-6个碳的烷基或1-3个碳的烷基氨基）。无选图。

  公开号：

  JP2016147819A

文献信息

• Method of forming metal oxide using an atomic layer deposition process
  申请人：Lee Jung-Ho

  公开号：US20050277223A1

  公开（公告）日：2005-12-15

  In a method of forming a metal oxide, an organic metal compound represented by the following chemical formula is introduced into a chamber to chemisorb the organic metal compound onto a substrate, M[L1]x[L2]y where M represents a metal, L1 and L2 respectively represents a first and second ligands. In addition, x and y are independently integers and a value of (x+y) is 3 to 5. An oxygen-containing compound is introduced into the chamber to form the metal oxide. The metal oxide is formed by reacting an oxygen of the oxygen-containing compound with the metal, and separating the ligand from the metal. Thus, the metal oxide having a superior step coverage and a high dielectric constant may be formed using the organic metal compound by an atomic layer deposition process.

  在一种金属氧化物形成方法中，将以下化学式所代表的有机金属化合物引入到室内，以化学吸附有机金属化合物到基底上，M[L1]x[L2]y，其中M代表金属，L1和L2分别代表第一和第二配体。此外，x和y是独立的整数，且（x+y）的值为3到5。引入含氧化合物到室内中，以形成金属氧化物。金属氧化物是通过将含氧化合物的氧与金属反应，并将配体与金属分离而形成的。因此，使用有机金属化合物通过原子层沉积过程可以形成具有优异阶梯覆盖和高介电常数的金属氧化物。