硅烷,三甲氧基[3-(苯基二硫代)丙基]- | 132928-72-4

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 中文名称: 硅烷,三甲氧基[3-(苯基二硫代)丙基]-
• 英文名称: 3-phenyldithiopropyltrimethoxysilane
• 英文别名: Trimethoxy-[3-(phenyldisulfanyl)propyl]silane
• CAS: 132928-72-4
• 化学式: C₁₂H₂₀O₃S₂Si
• 分子量: 304.507
• InChiKey: WCLKBOONJIEOFK-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  327.0±34.0 °C(Predicted)
• 密度：
  1.12±0.1 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  3.7
• 重原子数：
  18
• 可旋转键数：
  9
• 环数：
  1.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.5
• 拓扑面积：
  78.3
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  5

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  苯硫酚 、 alkaline earth salt of/the/ methylsulfuric acid 以 苯 为溶剂， 生成 硅烷,三甲氧基[3-(苯基二硫代)丙基]-
  参考文献：
  名称：

  Butyl(3-trimethoxysilylpropyl)disulfide. A new effective reagent for silicon surface modification and protein immobilization; preparation procedure.

  摘要：

  DOI：

  10.1016/s0040-4039(00)97955-3

文献信息

• Photochemical Micropatterning of Silylated Glass Surface Bearing 3-Phenyldithiopropyl Group by KrF Laser Irradiation
  作者：Nobuyuki Ichinose、Hiroyuki Sugimura、Tatsuya Uchida、Nobuo Shimo、Hiroshi Masuhara

  DOI：10.1246/cl.1993.1961

  日期：1993.11

  Thin film of 3-phenyldithiopropyltrimethoxysilane (1) was prepared as a photoreactive surface of masked thiol by in-situ reaction of 3-mercaptopropyltrimethoxysilane (2) with diphenyldisulfide before deposition of the film on quartz substrate. The film of 1 undergoes photochemical oxygenation of sulfur atom more efficiently than that of 2 upon KrF laser (248 nm) irradiation, where a thiyl radical is incorporated as a common intermediate.

  在石英基底上沉积 3-巯丙基三甲氧基硅烷（2）薄膜之前，先将 3-巯丙基三甲氧基硅烷（1）与二苯基二硫进行原位反应，制备出 3-苯基二硫丙基三甲氧基硅烷薄膜（1），作为掩蔽硫醇的光活性表面。在 KrF 激光（248 纳米）照射下，1 的薄膜比 2 的薄膜更有效地发生硫原子的光化学氧合反应，其中硫基自由基作为一种常见的中间体加入。
• STJERNLOF, PETER;JONSSON, ULF;RONNBERG, INGER, TETRAHEDRON LETT., 31,(1990) N0, C. 5773-5774
  作者：STJERNLOF, PETER、JONSSON, ULF、RONNBERG, INGER

  DOI：——

  日期：——