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Gallium, bis(1,1-dimethylethyl)[(trimethylsilyl)(triphenylsilyl)phosphino]- | 150050-06-9

中文名称
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中文别名
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英文名称
Gallium, bis(1,1-dimethylethyl)[(trimethylsilyl)(triphenylsilyl)phosphino]-
英文别名
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Gallium, bis(1,1-dimethylethyl)[(trimethylsilyl)(triphenylsilyl)phosphino]-化学式
CAS
150050-06-9
化学式
C29H42GaPSi2
mdl
——
分子量
547.52
InChiKey
LFXYROBFXLXFQJ-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
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  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
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  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    7.56
  • 重原子数:
    33.0
  • 可旋转键数:
    6.0
  • 环数:
    3.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    0.38
  • 拓扑面积:
    0.0
  • 氢给体数:
    0.0
  • 氢受体数:
    0.0

反应信息

  • 作为产物:
    描述:
    di(tert-butyl)gallium chlorideBis(trimethylsilyl)-triphenylsilylphosphane 在 methyllithium 作用下, 以 乙二醇二甲醚 为溶剂, 以70%的产率得到Gallium, bis(1,1-dimethylethyl)[(trimethylsilyl)(triphenylsilyl)phosphino]-
    参考文献:
    名称:
    单体膦基镓烷Bu t 2 GaPR'R''(R',R''=庞大的芳基或甲硅烷基)及其相关化合物的合成与表征
    摘要:
    庞大的取代基的使用使得可以分离出其中镓和磷是三配位的几种单体膦基没花环的分离,光谱和结构表征。这些新的化合物具有下式卜吨2间隙(R)(SIPH 3)(R = C 6 H ^ 2卜吨3 -2,4,6- 1,C 6 H ^ 2镨我3 -2,4,6- 2, C 6 H 2 Me 3 -2,4,6 3或SiMe 3 4)。恒温11 H NMR研究表明,存在约20nm的旋转势垒。12.7千卡摩尔-1围绕在GA-P键1,其已经被归因于弱嘎-Pπ键合。合成和相关铝-磷物种的结构卜吨2的Al(ET 2 O)-P(C 6 H ^ 2镨我3 -2,4,6-)(SIPH 3)5和镓-砷物种卜吨还报道了2 GaAs [CH(SiMe 3)2 ](SiPh 3)6。另外,变温1前体不对称膦(Ph 3 Si)P(R)H(R = C 6 H 2 Bu t 3 -2,4,6 7,C 6 H 2 Pr i 3 -2,4,6
    DOI:
    10.1039/dt9930001737
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