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hafnium(IV) diethylamide | 19962-12-0

中文名称
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中文别名
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英文名称
hafnium(IV) diethylamide
英文别名
Hf(DEA)4;diethylazanide;hafnium(4+)
hafnium(IV) diethylamide化学式
CAS
19962-12-0
化学式
4C4H10N*Hf
mdl
——
分子量
467.01
InChiKey
RPFRMGOOAWHJHO-UHFFFAOYSA-N
BEILSTEIN
——
EINECS
——
  • 物化性质
  • 计算性质
  • ADMET
  • 安全信息
  • SDS
  • 制备方法与用途
  • 上下游信息
  • 反应信息
  • 文献信息
  • 表征谱图
  • 同类化合物
  • 相关功能分类
  • 相关结构分类

物化性质

  • 沸点:
    130 °C0.01 mm Hg(lit.)
  • 密度:
    1.249 g/mL at 25 °C(lit.)
  • 闪点:
    50 °F

计算性质

  • 辛醇/水分配系数(LogP):
    1.4
  • 重原子数:
    6
  • 可旋转键数:
    2
  • 环数:
    0.0
  • sp3杂化的碳原子比例:
    1.0
  • 拓扑面积:
    1
  • 氢给体数:
    0
  • 氢受体数:
    1

安全信息

  • 危险品标志:
    Xi,F
  • 安全说明:
    S16
  • 危险类别码:
    R11
  • 海关编码:
    2924199090

反应信息

  • 作为反应物:
    描述:
    参考文献:
    名称:
    [EN] CATALYST COMPOSITIONS CONTAINING TRANSITION METAL COMPLEXES WITH THIOLATE LIGANDS
    [FR] COMPOSITIONS CATALYTIQUES CONTENANT DES COMPLEXES DE MÉTAUX DE TRANSITION AVEC DES LIGANDS THIOLATE
    摘要:
    本发明揭示了使用含硫醇配体的过渡金属配合物的催化剂组合物。还提供了制备这些过渡金属配合物的方法,以及在烯烃聚合催化剂组合物中使用这些化合物的方法。
    公开号:
    WO2012122349A1
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文献信息

  • Synthesis of New Boron-Containing Ligands and Their Hafnium(IV) Complexes
    作者:V. V. Voinova、I. N. Klyukin、A. P. Zhdanov、M. S. Grigor’ev、K. Yu. Zhizhin、N. T. Kuznetsov
    DOI:10.1134/s0036023620060261
    日期:2020.6
    two-stage method for the synthesis of a boron-containing complexone on the basis of aminomalonic acid was proposed. The products were studied by multinuclear NMR spectroscopy, IR absorption spectroscopy, and ESI mass spectrometry at all the stages of synthesis. The product (NBu4)[2-B10H9NHC(CH3)NHCH(COOEt)2] was structurally characterized by singe-crystal X-ray diffraction. The complexation reaction
    摘要提出了一种基于氨基丙二酸合成含配合物的两步法。在合成的所有阶段,通过多核NMR光谱,IR吸收光谱和ESI质谱对产物进行了研究。通过单晶X射线衍射对产物(NBu 4)[2-B 10 H 9 NHC(CH 3)NHCH(COOEt)2 ]进行结构表征。研究了氨基丙二酸硼酸酯化衍生物与Hf(NEt 2)4和Hf(OBu)4的络合反应。
  • Organometallic compound, its synthesis method, and solution raw material and metal-containing thin film containing the same
    申请人:MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
    公开号:US20040210071A1
    公开(公告)日:2004-10-21
    The organometallic compound of the present invention is a compound that has bonds between metal atoms and nitrogen atoms or bonds between semimetal atoms and nitrogen atoms, and the content of chlorine in the compound is 200 ppm or less and the content of water is 30 ppm or less. In addition, the general formula of this compound is represented by the following formula (1): M [( R 1 ) 2 N ] (n−s) ( R 2 ) s (1) wherein, M represents a metal atom or semimetal atom, with the metal atom being Hf, Zr, Ta, Ti, Ce, Al, V, La, Nb or Ni, and the semimetal atom being Si, R 1 represents a methyl group or ethyl group, R 2 represents an ethyl group, n represents the valence of M, and s represents an integer of 0 to n−1.
    本发明的有机属化合物是一种具有属原子与氮原子之间的键或半属原子与氮原子之间的键的化合物,该化合物中的含量为200 ppm或更低,的含量为30 ppm或更低。此化合物的一般式由以下式(1)表示:M[(R1)2N](n−s)(R2)s(1)其中,M代表属原子或半属原子,属原子为Hf、Zr、Ta、Ti、Ce、Al、V、La、Nb或Ni,半属原子为Si,R1代表甲基基团或乙基基团,R2代表乙基基团,n代表M的化合价,s代表0到n-1之间的整数。
  • Synthesis of Tetragonal and Orthorhombic Polymorphs of Hf<sub>3</sub>N<sub>4</sub>by High-Pressure Annealing of a Prestructured Nanocrystalline Precursor
    作者:Ashkan Salamat、Andrew L. Hector、Benjamin M. Gray、Simon A. J. Kimber、Pierre Bouvier、Paul F. McMillan
    DOI:10.1021/ja403368b
    日期:2013.6.26
    Hf3N4 in nanocrystalline form is produced by solution phase reaction of Hf(NEtMe)4 with ammonia followed by low-temperature pyrolysis in ammonia. Understanding of phase behavior in these systems is important because early transition-metal nitrides with the metal in maximum oxidation state are potential visible light photocatalysts. A combination of synchrotron powder X-ray diffraction and pair distribution
    纳米晶形式的 Hf3N4 是通过 Hf(NEtMe)4 与的溶液相反应,然后在中低温热解产生的。了解这些系统中的相行为很重要,因为属处于最大氧化态的早期过渡氮化物是潜在的可见光光催化剂。同步加速器粉末 X 射线衍射和对分布函数研究的组合已被用于表明该相具有四方扭曲的萤石结构,在阴离子位点上有 1/3 的空位。在刚石砧座电池中以 12 GPa 和 1500 K 激光加热纳米晶 Hf3N4 导致其结晶具有相同的结构类型,这是前体化合物制备过程中相预构造的有趣例子。这种亚稳态途径可以为其他新的氮化物多晶型物和目前不存在的富氮相提供一条途径。重要的是,它导致材料的大量形成,而不是在高压下的元素组合反应中经常发生的表面转化。在 19 GPa 的更高压力下以 2000 K 的激光加热导致 Hf3N4 的进一步新多晶型物采用阴离子缺陷棉质(斜方晶)结构。正交 Hf3N4 相可恢复至环境压力,而四方相至少可部分恢复。在
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