bis(3,3-difluoropiperidine)silane | 1208106-20-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机杂环化合物 - 氮杂环庚烷
• 英文名称: bis(3,3-difluoropiperidine)silane
• 英文别名: Bis(3,3-difluoropiperidino)silane；bis(3,3-difluoropiperidin-1-yl)silane
• CAS: 1208106-20-0
• 化学式: C₁₀H₁₈F₄N₂Si
• 分子量: 270.345
• InChiKey: IEONKIAJFHMGAD-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  1.45
• 重原子数：
  17
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  2.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  6.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  6

反应信息

• 作为产物：
  描述：

  3,3-二氟哌啶 、 N,N'-二(2-甲基-2-丙基)硅烷二胺 在 氮 作用下， 118.0 ℃ 、177.75 kPa 条件下， 反应 52.5h， 以the end-product bis(3,3-difluoropiperidino)silane was obtained by vacuum distillation at 118° C. / 10 torr的产率得到bis(3,3-difluoropiperidine)silane
  参考文献：
  名称：

  Precursors for depositing silicon-containing films and methods for making and using same

  摘要：

  本文描述了用于沉积含硅薄膜的氨基硅烷前体以及从这些氨基硅烷前体沉积含硅薄膜的方法。在一种实施例中，提供了一种用于沉积含硅薄膜的氨基硅烷前体，其包括以下式子（I）：(R1R2N)nSiR34-n  (I)，其中取代基R1和R2各自独立地选择从1到20个碳原子组成的烷基和从6到30个碳原子组成的芳基，其中至少一个取代基R1和R2包括至少一个从F、Cl、Br、I、CN、NO2、PO（OR）2、OR、SO、SO2、SO2R中选择的电子吸引基取代基，其中至少一个电子吸引基中的R是选择自烷基或芳基的，R3选择自H、烷基或芳基，n是从1到4的数字范围。

  公开号：

  US08129555B2

文献信息

• Precursors for Depositing Silicon-containing Films and Methods for Making and Using Same
  申请人：Cheng Hansong

  公开号：US20100041243A1

  公开（公告）日：2010-02-18

  Aminosilane precursors for depositing silicon-containing films, and methods for depositing silicon-containing films from these aminosilane precursors, are described herein. In one embodiment, there is provided an aminosilane precursor for depositing silicon-containing film comprising the following formula (I): (R 1 R 2 N) n SiR 3 4-n (I) wherein substituents R 1 and R 2 are each independently chosen from an alkyl group comprising from 1 to 20 carbon atoms and an aryl group comprising from 6 to 30 carbon atoms, at least one of substituents R 1 and R 2 comprises at least one electron withdrawing substituent chosen from F, Cl, Br, I, CN, NO 2 , PO(OR) 2 , OR, SO, SO 2 , SO 2 R and wherein R in the at least one electron withdrawing substituent is chosen from an alkyl group or an aryl group, R 3 is chosen from H, an alkyl group, or an aryl group, and n is a number ranging from 1 to 4.

  本文描述了用于沉积含硅薄膜的氨基硅烷前体以及从这些氨基硅烷前体沉积含硅薄膜的方法。在一种实施例中，提供了一种用于沉积含硅薄膜的氨基硅烷前体，其包括以下式子（I）：（R1R2N）nSiR34-n（I），其中取代基R1和R2各自独立地选择由1至20个碳原子组成的烷基和由6至30个碳原子组成的芳基，其中至少一个取代基R1和R2包括至少一个从F、Cl、Br、I、CN、NO2、PO（OR）2、OR、SO、SO2、SO2R中选择的电子吸引取代基，其中在至少一个电子吸引取代基中的R选择自烷基或芳基，R3选择自H、烷基或芳基，n为1至4的数字。
• Precursors for depositing silicon-containing films and methods using same
  申请人：AIR PRODUCTS AND CHEMICALS, INC.

  公开号：EP2154141B1

  公开（公告）日：2016-06-15