7,10-dipentyl-8,9-di(2-thienyl)fluoranthene | 1041187-23-8

• 分子结构分类: 有机化合物 - 苯类化合物 - 吖萘类
• 英文名称: 7,10-dipentyl-8,9-di(2-thienyl)fluoranthene
• 英文别名: 2-(7,10-Dipentyl-9-thiophen-2-ylfluoranthen-8-yl)thiophene
• CAS: 1041187-23-8
• 化学式: C₃₄H₃₄S₂
• 分子量: 506.776
• InChiKey: VYTFEKMKBFXMSI-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  12
• 重原子数：
  36
• 可旋转键数：
  10
• 环数：
  6.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.29
• 拓扑面积：
  56.5
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  7,10-dipentyl-8,9-di(2-thienyl)fluoranthene 在 N-溴代丁二酰亚胺(NBS) 、 溶剂黄146 作用下， 以 二氯甲烷 为溶剂， 以85%的产率得到7,10-dipentyl-8,9-di(5-bromo-2-thienyl)fluoranthene
  参考文献：
  名称：

  硫杂苯并[ k ]荧蒽衍生物的有机半导体材料：合成，光物理性质和薄膜晶体管的制备

  摘要：

  基于苯并[ k ]荧蒽单元的新的空气稳定的硫杂杂芳烃新系列已被轻松开发为薄膜有机场效应晶体管的活性材料。环戊二烯酮1和2,2'-（乙炔-1,2-二基）双噻吩之间的狄尔斯-阿尔德反应，然后进行脱羰基反应得到荧蒽衍生物2。溴化和随后的置换通过Suzuki偶联反应后，将的FeCl 3 -oxidative环化产生的硫-杂苯并[ ķ ]荧蒽衍生物8 - 12。在稀氯仿溶液中，2和4的吸收和发射行为-7显示了荧蒽单元的特性特征，而它们的发射λ最大与增加的有效共轭长度的红移。对这些新合成的化合物的稳态吸收和发射光谱进行了彻底的研究和讨论。薄膜的有机场效应晶体管，使用（的OFET）8 - 11作为活性材料的“顶部接触”构造进行制造。在取代基骨架起到膜的形态，从而导致不同的迁移率具有重要作用，而电荷迁移率8 - 11从分别的OFET的薄膜的热退火后好转。载流子迁移率高达0.083 cm 2 V通过真空沉积

  DOI：

  10.1021/jo800606b
• 作为产物：
  描述：

  1,2-二(2-噻吩基)乙炔 、 7,9-dipentyl-cyclopentacenaphthylen-8(H)-one 以 various solvent(s) 为溶剂， 反应 48.0h， 以69%的产率得到7,10-dipentyl-8,9-di(2-thienyl)fluoranthene
  参考文献：
  名称：

  硫杂苯并[ k ]荧蒽衍生物的有机半导体材料：合成，光物理性质和薄膜晶体管的制备

  摘要：

  基于苯并[ k ]荧蒽单元的新的空气稳定的硫杂杂芳烃新系列已被轻松开发为薄膜有机场效应晶体管的活性材料。环戊二烯酮1和2,2'-（乙炔-1,2-二基）双噻吩之间的狄尔斯-阿尔德反应，然后进行脱羰基反应得到荧蒽衍生物2。溴化和随后的置换通过Suzuki偶联反应后，将的FeCl 3 -oxidative环化产生的硫-杂苯并[ ķ ]荧蒽衍生物8 - 12。在稀氯仿溶液中，2和4的吸收和发射行为-7显示了荧蒽单元的特性特征，而它们的发射λ最大与增加的有效共轭长度的红移。对这些新合成的化合物的稳态吸收和发射光谱进行了彻底的研究和讨论。薄膜的有机场效应晶体管，使用（的OFET）8 - 11作为活性材料的“顶部接触”构造进行制造。在取代基骨架起到膜的形态，从而导致不同的迁移率具有重要作用，而电荷迁移率8 - 11从分别的OFET的薄膜的热退火后好转。载流子迁移率高达0.083 cm 2 V通过真空沉积

  DOI：

  10.1021/jo800606b