4-trimethylsilylethynylphenylferrocene | 332349-63-0

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: 4-trimethylsilylethynylphenylferrocene
• 英文别名: cyclopenta-1,3-diene;2-(4-cyclopenta-2,4-dien-1-ylphenyl)ethynyl-trimethylsilane;iron(2+)
• CAS: 332349-63-0
• 化学式: C₂₁H₂₂FeSi
• 分子量: 358.338
• InChiKey: ALZSEUYSCHYXLH-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  5.7
• 重原子数：
  23
• 可旋转键数：
  3
• 环数：
  3.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.14
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  4-trimethylsilylethynylphenylferrocene 在 甲醇 、 potassium carbonate 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 2.0h， 生成 4-ferrocenylphenylacetylene
  参考文献：
  名称：

  二茂铁基封端的分子棒：合成，结构和性能†

  摘要：

  设计了一系列二茂铁基苯基乙炔基棒1-11，并通过Pd催化的Sonogashira交叉偶联和氧化均相偶联反应合成。杆1-11中的二茂铁基部分连接在苯乙炔基单元的对位/间位或炔属单元上。探索了增强共轭和连接性（meta / para）对光子和电化学性质的影响。对位键和丁二炔键降低了杆中的带隙。所述间位连接的二茂铁基苯基乙炔基杆2，4，和10相比显示出良好的HOMO-LUMO分离对连接杆1，3，9。杆的单晶X射线结构2，4，10，14和19中报告。在棒的二茂铁单元2，4，和10处于反式构型相对于该苯环。

  DOI：

  10.1039/c3nj01244a
• 作为产物：
  描述：

  (4-bromophenyl)ferrocene 、 三甲基乙炔基硅 在 copper(l) iodide 、 四(三苯基膦)钯 、 三乙胺 作用下， 以 四氢呋喃 为溶剂， 反应 24.0h， 以50%的产率得到4-trimethylsilylethynylphenylferrocene
  参考文献：
  名称：

  苯桥二茂铁/钌炔基异双金属配合物：合成，表征和电化学，光谱和计算研究。

  摘要：

  合成了两个异构的苯基桥二茂铁基和钌炔基配合物1和2，并通过NMR，元素分析和X射线单晶衍射对其进行了表征。通过电化学研究，UV / Vis-NIR和IR光谱电化学以及理论计算研究了配合物的电子性质。循环伏安法和方波伏安法技术分别从Ru（II）和二茂铁基中心分别在1和2中显示了两个连续的氧化还原行为。这些行为得到RuCp *（dppe）端子中主要的自旋-自旋密度分布的支持。大的电势差（ΔE 1/2）和比例常数（Kc）在配合物1中观察到的结果表明1 +具有比2 +更好的化学稳定性。通过观察到的1 +的NIR吸收带和1 → 1 +的大Δν（C ofC）值，可以检测到1 +的强电子通信。再现了在1 +中广泛的NIR吸收，并将其分配给二茂铁基至Ru（III）中心电荷转移跃迁，其主要贡献来自β-HOSO→β-LUSO跃迁。

  DOI：

  10.1002/ejic.202000042

文献信息

• Understanding and Controlling Short- and Long-Range Electron/Charge-Transfer Processes in Electron Donor–Acceptor Conjugates
  作者：Ramandeep Kaur、Fabio Possanza、Francesca Limosani、Stefan Bauroth、Robertino Zanoni、Timothy Clark、Giorgio Arrigoni、Pietro Tagliatesta、Dirk M. Guldi

  DOI：10.1021/jacs.0c01452

  日期：2020.4.29

  We have probed a series of multicomponent electron donor2-donor1-acceptor1 conjugates, both experimentally and computationally. The conjugates are based on the light harvester and primary electron-donor zinc-porphyrin (ZnP, donor1), to whose β-positions a secondary electron-donor ferrocene (Fc, donor2) and the primary electron-acceptor C60-fullerene (C60, acceptor1) are linked via p-phenylene-acetylene

  我们已经通过实验和计算探索了一系列多组分电子供体 2-供体 1-受体 1 共轭物。共轭物基于光收集器和初级电子供体锌卟啉（ZnP，供体 1），其 β 位是二次电子供体二茂铁（Fc，供体 2）和初级电子受体 C60-富勒烯（C60，受体 1) 通过不同长度的对亚苯基-乙炔桥连接。这种模块化方法可以完全控制 C60、ZnP 和 Fc 之间穿梭的电子和空穴。通过飞秒、皮秒、纳秒和微秒时间尺度上的瞬态吸收光谱测量以及多波长和目标分析，已经证明了不同的电荷分离、电荷转移和电荷重组途径。作为 C60-ZnP 和 ZnP-Fc 距离函数的对苯撑-乙炔桥的分子线状性质在产生远距离和长寿命的 C60•‒ ZnP Fc•+ 电荷分离状态的背景下是决定性的。我们第一次确认存在两个相邻的电荷转移态，除了 C60•‒ ZnP•+ Fc 之外，还有一个 C60 ZnP•‒ Fc•+ 中间体，在通往遥远的 C60•‒ ZnP•+
• High density memory device
  申请人：Bocian F. David

  公开号：US20060209587A1

  公开（公告）日：2006-09-21

  This invention provides novel high density memory devices that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (e.g., 10 15 bits/cm 3 ), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices are intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.

  本发明提供了一种新型的高密度存储器件，具有电学可寻址性，可有效地进行读写操作，提供高存储密度（例如，1015比特/立方厘米），具有高度的容错性，并且适用于高效的化学合成和芯片制造。这些器件本质上是可锁定的、缺陷容忍的，并支持破坏性或非破坏性读取周期。在首选实施例中，该器件包括一个固定电极，与一个具有多种不同和可区分氧化态的存储介质电学耦合，通过电学耦合的电极向存储介质中添加或撤回一个或多个电子，将数据存储在所述氧化态中。
• High density non-volatile memory device
  申请人：The Regents of the University of California

  公开号：US07042755B1

  公开（公告）日：2006-05-09

  This invention provides novel high density memory devices (FIG. 3) that are electrically addressable permitting effective reading and writing, that provide a high memory density (102), that provide a high degree of fault tolerance, and that are amenable to efficient chemical synthesis and chip fabrication. The devices arc intrinsically latchable, defect tolerant, and support destructive or non-destructive read cycles. In a preferred embodiment, the device comprises a fixed electrode electrically coupled to a storage medium having a multiplicity of different and distinguishable oxidation states wherein data is stored in said oxidation states by the addition or withdrawal of one or more electrons from said storage medium via the electrically coupled electrode.

  本发明提供了一种新型高密度存储器件（图3），可进行电子寻址，以实现有效的读写，提供高密度存储（102），具有高度的容错性，并且适用于高效的化学合成和芯片制造。该设备本质上是可锁存的，具有缺陷容忍能力，并支持破坏性或非破坏性读取周期。在首选实施例中，该设备包括与一个存储介质电性耦合的固定电极，该存储介质具有多种不同的可区分的氧化态，其中通过向存储介质中加入或撤回一个或多个电子来将数据存储在该氧化态中。
• 一种共轭配体桥联的二茂铁及钌乙炔端基化 合物及其制备方法与应用
  申请人：衡阳师范学院

  公开号：CN109651449B

  公开（公告）日：2021-01-01

  一种共轭配体桥联的二茂铁及钌乙炔端基化合物及其制备方法与应用，该化合物的结构式I如下所示：I其中，Ar选自、、、、、中的一种。本发明选择钌金属端基及二茂铁作为金属氧化还原活性端基，通过共轭配体桥联合成了一种具有全新结构的异核双金属化合物，通过电化学方法研究发现该化合物的端基之间具有很强的电子耦合作用，为新型分子导线模型的设计与构建提供了一种新方法，应用前景极为广阔。