该手稿描述了在
硅金刚烷核心中安装一到四个四元
锗原子的骨架异构化策略,类似于
硅锗合
金中的精密
锗掺杂。第一种策略体现了单原子骨架编辑的无机变体,其中我们使用 sila-Wagner-Meerwein 键移级联来交换外围 Ge 原子与核心 Si 原子。基于控制前驱体的Si x Ge y
化学计量,我们可以在四元类
金刚石中心安装最多四个 Ge 原子。我们发现,在 SiGe
金刚烷中,桥头 Ge 中心可以比桥头 Si 中心选择性地官能化;我们将这种
化学反应与扫描隧道显微镜断裂结 (STM-BJ) 测量结合使用,结果表明,与Si 10
金刚烷线相比,Si 8 Ge 2
金刚烷线的单分子电导增加了 60% 。这些研究描述了 sila-diamondoid 结构中的首次量子传输测量,并演示了如何使用主链 Ge 掺杂来增加基于 sila-diamondoid 的分子线中的电子传输。