tetrahedro-tetrakis[tris(trimethylsilyl)methylgallium(I)] | 143237-39-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机盐 - 有机金属盐
• 英文名称: tetrahedro-tetrakis[tris(trimethylsilyl)methylgallium(I)]
• CAS: 143237-39-2
• 化学式: C₄₀H₁₀₈Ga₄Si₁₂
• 分子量: 1205.22
• InChiKey: UUPIVNWFRDUGSE-UHFFFAOYSA-N

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  15.78
• 重原子数：
  56
• 可旋转键数：
  16
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  tetrahedro-tetrakis[tris(trimethylsilyl)methylgallium(I)] 、 yellow phosphorus 以 正己烷 为溶剂， 以52%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  The insertion of alkylgallium(I) groups [Ga–C(SiMe3)3] into P–P bonds of P4: formation of a P4(GaR)3 cage

  摘要：

  四面体铝(I)化合物 Ga4[C(SiMe3)3]4 1 与白磷反应，三倍插入其单价铝原子到 P–P 键中，形成一种新型的 P4(GaR)3 笼状结构，类似于 P4S3。

  DOI：

  10.1039/a900670b
• 作为产物：
  描述：

  在 Mg 作用下， 以 甲苯 为溶剂， 以76%的产率得到tetrahedro-tetrakis[tris(trimethylsilyl)methylgallium(I)]
  参考文献：
  名称：

  四面体镓（I）化合物Ga 4 [C（SiMe 2 R）3 ] 4的简便高产合成-Ga 4 [C（SiMe 2 Et）3 ] 4的晶体结构

  摘要：

  具有非寻常的低氧化态+ I的镓的烷基镓（I）衍生物是合成主要基团或过渡金属元素的新型有机镓化合物的重要起始材料。迄今为止，它们是通过歧化反应合成的，相对于烷基取代基，产率低于15％。现在，我们通过在70 °C的甲苯中还原氯络合物Li [Cl 3 Ga–C（SiMe 2 R）3 ]（R = Me：1 ; R = Et：2），以非常简单的路线成功合成了这些化合物两电子给体Rieke镁在–80°C下的收率超过70％。而[GaC（SiMe 3）3 ] 4 3的晶体结构显示出整个分子的严重紊乱，[GaC（SiMe 2 Et）3 ] 4 4给出清晰可见的晶体结构，分子中心的Ga 4四面体几乎不变形，平均Ga-Ga距离为271.0 pm。4随着溶液稀释度的增加逐渐在苯中单体化，得到单体片段Ga–C（SiMe 2 Et）3。

  DOI：

  10.1016/s0022-328x(98)00369-6

文献信息

• Ga2I2[C(SiMe3)3]2 – an organogallium(ii) halide containing a Ga–Ga single bond
  作者：Werner Uhl、Abdelhakim El-Hamdan、Malte Prött、Philipp Spuhler、Gernot Frenking

  DOI：10.1039/b212144c

  日期：2003.3.24

  Treatment of the tetrahedral, tetranuclear gallium(I) cluster compound Ga4[C(SiMe3)3]4 (5) with a mixture of AlI3 and ICl afforded in 58% yield the yellowish dinuclear digallium(II) compound Ga2I2[C(SiMe3)3]2 (6), an X-ray crystallographic study of which has shown it to contain a nonplanar (symmetry C2) Ga2I2C2 skeleton and two three-coordinate gallium(II) atoms linked by a single gallium–gallium bond. DFT calculations on 6 and related compounds with alternative structures and the molecular structure of the organogallium(III) iodide, Ga2I4[C(SiMe3)3]2 (7) are also described and discussed.

  用 AlI3 和 ICl 的混合物处理四面体四核镓(I)团簇化合物 Ga4[C(SiMe3)3]4 (5)，58%的收率得到了淡黄色二核二镓(II)化合物 Ga2I2[C(SiMe3)3]2 (6)、该化合物的 X 射线晶体学研究表明，它包含一个非平面（对称性 C2）Ga2I2C2 骨架和两个三配位镓（II）原子，由一个镓镓键连接。此外，还介绍和讨论了对 6 和具有替代结构的相关化合物的 DFT 计算，以及有机镓（III）碘化物 Ga2I4[C(SiMe3)3]2 (7) 的分子结构。
• Ga2Br2R2 und Ga3I2R3 [R = C(SiMe3)3]— zwei neue elementorganische Galliumsubhalogenide mit einer bzw. zwei Ga-Ga-Bindungen
  作者：Werner Uhl、Abdelhakim El-Hamdan、Gertraud Geiseler、Klaus Harms

  DOI：10.1002/zaac.200400008

  日期：2004.6

  66. Als zweites Produkt der Disproportionierung wurde die Gallium(III)-Verbindung [GaI(R)(OCMe3)(OH)]Li}2 (7) isoliert, die uber Li-O-Brucken dimer vorliegt und eine gehinderte Rotation der tert-Butylgruppe aufweist. Ga2Br2R2 and Ga3I2R3 [R = C(SiMe3)3] — Two New Organoelement Subhalides of Gallium Containing One or Two Ga-Ga Single Bonds The oxidation of the tetrahedral tetragallium cluster Ga4[C(SiMe3)3]4

  Die vorsichtige Oxidation des tetraedrischen Tetragalliumclusters Ga4[C(SiMe3)3]4 (1) mit elementarem Brom in Gegenwart von AlBr3 fuhrt zur Bildung des entsprechenden Subhalogenids Ga2Br2R2 [4, R = C(SiMe3)3] vorliegt 和 in dem die zweiwertigen Galliumatome uber eine kurze Ga-Ga-Einfachbindung [243, 2(2) pm] miteinander verbunden sind。Die analoge Digalliumdiiod-Verbindung Ga2I2R2 (3), die bereits fruher
• Synthesis and Structure of [Ni{Ga−C(SiMe₃)₃}₄] and Quantum-Chemical Verification of Strong π Back-Bonding in the Model Compounds [Ni(EMe)₄] (E = B, Al, Ga, In, Tl)
  作者：Werner Uhl、Maike Benter、Sandra Melle、Wolfgang Saak、Gernot Frenking、Jamal Uddin

  DOI：10.1021/om990417h

  日期：1999.9.1

  The reaction of bis(cyclooctadiene)nickel with Ga4[C(SiMe3)3]4 (1) yields a coordination compound analogous to [Ni(CO)4], [NiGa−C(SiMe3)3}4], which shows a tetrahedral coordination of the central nickel atom, linear Ni−Ga−C groups, and very short Ni−Ga distances. Quantum-chemical DFT calculations on the model complexes [Ni(EMe)4] (E = B, Al, Ga, In, Tl) verify strong π back-donation of electron density

  双（环辛二烯）镍与Ga 4 [C（SiMe 3）3 ] 4（1）的反应产生类似于[Ni（CO）4 ]，[Ni Ga-C（SiMe 3）3 } 4的配位化合物]，显示中心镍原子，线性Ni-Ga-C基团和非常短的Ni-Ga距离的四面体配位。对模型配合物[Ni（EMe）4 ]（E = B，Al，Ga，In，Tl）的量子化学DFT计算证明了电子密度从镍到π的空p（π）轨道的强π返配。 13族元素，比四羰基镍本身更有效。
• Reaction of Ni₂Cp₂(μ-CO)₂ with the Alkylgallium(I) and Alkylindium(I) Compounds E₄[C(SiMe₃)₃]₄ (E = Ga, In). Insertion of E−R Groups into the Ni−Ni Bond versus Replacement of CO by the Isolobal E−R Ligands
  作者：Werner Uhl、Sandra Melle、Gernot Frenking、Michael Hartmann

  DOI：10.1021/ic0005947

  日期：2001.2.1

  of both CO ligands by two InR groups. A compound (4) was formed that is isostructural to the carbonyl nickel complex and has a Ni2 couple bridged by two InR ligands and two terminally coordinated cyclopentadienyl groups. The insertion product was not observed with the gallium derivative Ga4[C(SiMe3)3]4 (2); instead, a nickel gallium complex (5) analogous to 4 containing two bridging GaR ligands was

  用四铟（I）化合物In4 [C（SiMe3）3] 4，1处理羰基配合物后，将单体片段In-C（SiMe3）3插入Ni2Cp2（mu-CO）2的Ni-Ni键中产物（3）在平面配位球中包含配位至一个烷基取代基的铟原子和两个Ni（Cp）CO基团。起始化合物以2：1的摩尔比反应导致两个InR基团取代两个CO配体。形成与羰基镍络合物同构的化合物（4），该化合物具有由两个InR配体和两个末端配位的环戊二烯基桥接的Ni2对。用镓衍生物Ga4 [C（SiMe3）3] 4（2）未观察到插入产物。代替，不论原料化合物的比例如何，都将分离出与4类似的镍镓络合物（5）作为唯一产物，该络合物包含两个桥接的GaR配体。根据量子化学计算，我们得出结论，没有证据表明分别在配合物4或5中存在In-In或Ga-Ga键。然而，这支持蝶形几何形状，其与起始羰基配合物Ni 2 Cp 2（mu-CO）2是同构的。
• Replacement of CO ligands by the isolobal gallium(I) compound GaR [R = C(SiMe3)3], formation of the transition metal gallium compounds Mn2(CO)8(μ-GaR)2 and Fe3(CO)9(μ-CO)(μ-GaR)2
  作者：Werner Uhl、Maike Benter、Malte Prött

  DOI：10.1039/a909658b

  日期：——

  dissociates in solution with the formation of the monomeric fragments GaR, which are isolobal to carbon monoxide and are able to replace CO ligands in transition metal carbonyl complexes. By the substitution of two CO groups, the treatment of Mn2(CO)10 and Fe3(CO)12 with 1 yielded the two novel transition metal gallium complexes Mn2(CO)8(μ-GaR)22 and Fe3(CO)9(μ-CO)(μ-GaR)23, neither of which is isostructural

  四面体烷基镓（I）化合物Ga 4 R 4 1 [R = C（SiMe 3）3 ]在溶液中解离，形成单体片段GaR，该单体片段对一氧化碳是等价的，能够取代CO配体在过渡金属羰基配合物中。由两个CO基团，Mn的治疗的取代2（CO）10和Fe 3（CO）12与1产生两个新的过渡金属镓络合物的Mn 2（CO）8（μ-GAR）2 2和Fe 3（CO）9（μ-CO）（μ-GaR）2 3，两者都不是起始结构羰基化合物。所述配体GAR桥接的两个锰原子2与终端位置所有羰基，和中央的Fe的两个边缘3的三角形3由GAR都被占用，而第三个是由一氧化碳桥接。