tetrakis(chlorosilyl)methane | 146295-67-2

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: tetrakis(chlorosilyl)methane
• 英文别名: Chloro-[tris(chlorosilyl)methyl]silane；chloro-[tris(chlorosilyl)methyl]silane
• CAS: 146295-67-2
• 化学式: CH₈Cl₄Si₄
• 分子量: 274.229
• InChiKey: IYLLVPZUGJHLKI-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  148.1±40.0 °C(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  -0.69
• 重原子数：
  9
• 可旋转键数：
  4
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  硅烷 、 tetrakis(chlorosilyl)methane 以 gaseous matrix 为溶剂， 生成 silicon carbide
  参考文献：
  名称：

  高浓度 Si1−yCy 金刚石结构系统的合成策略

  摘要：

  前体化学和超高真空化学气相沉积已被用于在 (001) Si 衬底上沉积 Si1-yCy 薄膜。碳成分范围高达 20 at 的薄膜。% 是在 600–740 °C 的衬底温度下使用 SiH4 与 C(SiH3)4 或 C(SiH2Cl)4 的气体混合物沉积的，它们是包含 Si4C 四面体的无 (C–H) 前驱体。所得材料的组成通过卢瑟福背散射光谱法获得，包括碳共振分析。横截面透射电子显微镜和红外光谱用于提供微观结构和键合信息。拉曼光谱表明，使用该协议获得的替代 C 浓度高于其他方法获得的浓度。

  DOI：

  10.1063/1.121294

文献信息

• Strategies for the synthesis of highly concentrated Si1−yCy diamond-structured systems
  作者：D. Chandrasekhar、J. McMurran、David J. Smith、J. Kouvetakis、J. D. Lorentzen、J. Menéndez

  DOI：10.1063/1.121294

  日期：1998.4.27

  Precursor chemistry and ultrahigh-vacuum chemical vapor deposition have been used to deposit Si1−yCy thin films on (001) Si substrates. Films with carbon compositions ranging up to 20 at. % were deposited at substrate temperatures of 600–740 °C using gas mixtures of SiH4 with C(SiH3)4 or C(SiH2Cl)4, which are (C–H)-free precursors incorporating Si4C tetrahedra. The composition of the resulting materials

  前体化学和超高真空化学气相沉积已被用于在 (001) Si 衬底上沉积 Si1-yCy 薄膜。碳成分范围高达 20 at 的薄膜。% 是在 600–740 °C 的衬底温度下使用 SiH4 与 C(SiH3)4 或 C(SiH2Cl)4 的气体混合物沉积的，它们是包含 Si4C 四面体的无 (C–H) 前驱体。所得材料的组成通过卢瑟福背散射光谱法获得，包括碳共振分析。横截面透射电子显微镜和红外光谱用于提供微观结构和键合信息。拉曼光谱表明，使用该协议获得的替代 C 浓度高于其他方法获得的浓度。