许多研究小组已经报道,微电子器件中溅射沉积的 Ti1-xWx 扩散势垒在靶材成分方面缺乏 Ti。在本实验中,多晶 TixW1-x 合金在 100 至 600°C 的温度 Ts 下通过纯 W 和 Ti 靶材在 5 mTorr (0.65 Pa) Ar 和Xe 放电。卢瑟福背散射和俄歇电子光谱发现沉积在 Ar 中的薄膜随着 Ti 溅射速率和/或在恒定 W 溅射速率下 Ts 的增加而越来越缺乏 Ti。使用 TRIM 计算和蒙特卡罗气体传输模拟,结合实验结果,表明 Ti 损失主要是由于从较重的 W 靶背向散射的高能 Ar 粒子对生长膜的不同再溅射造成的。由于合金中的 Ti 表面偏析,这种影响在膜生长温度升高时会加剧。
A series of V–W–Ti nanoparticle catalysts with variable V doping amounts were directly synthesized by the sol–gel method, and their catalytic performances were tested for the selective catalytic reduction of NO with ammonia.