S-(Trimethylsilyl) ethanethioate | 59579-30-5

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: S-(Trimethylsilyl) ethanethioate
• 英文别名: S-trimethylsilyl ethanethioate
• CAS: 59579-30-5
• 化学式: C₅H₁₂OSSi
• 分子量: 148.301
• InChiKey: REYSWKJZGWACND-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  155.4±23.0 °C(Predicted)
• 密度：
  0.939±0.06 g/cm3(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  2.1
• 重原子数：
  8
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  0.8
• 拓扑面积：
  42.4
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  2

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  2-(trimethylsilyl)ethyl 2-(trimethylsilyl)ethanethiosulfinate 、 S-(Trimethylsilyl) ethanethioate 以87%的产率得到
  参考文献：
  名称：

  Schwan Adrian L., Brillon Denis, Dufault Robert, Can. J. Chem, 72 (1994) N 2, S 325-333

  摘要：

  DOI：
• 作为产物：
  描述：

  二(三甲基硅基)碳酰二亚胺 、 硫代乙酸 生成 S-(Trimethylsilyl) ethanethioate
  参考文献：
  名称：

  双甲基锗和双甲基硅碳二亚胺的表征及其与质子试剂的反应性

  摘要：

  通过与铅（II），银（I）或硅（IV）物种进行卤化物易位反应，可以高收率制备双甲基锗和双甲基硅碳二亚胺。通式（Me n H 3 – n MN :）2 C（M Si或Ge；n = 1、2或3）系列中的新导数的特征是1H nmr，ir和Raman光谱以及质谱和裂解反应。第六种锗原子容易裂解Ge-N键，导致硫属锗烷及其相关衍生物的形成（Me n H 3 – n葛）2 E（E = O，S，Se或Te）和Me ñ ħ 3 - ñ GESR（R = Me中，卜吨，pH值，的MeC（O），或-CH 2 CH 2 - ）。比较研究表明，在碳碳化二亚胺硅中，Si-N键不易受较重的硫属元素醇分解的影响。

  DOI：

  10.1039/dt9760000366

文献信息

• Schwan Adrian L., Brillon Denis, Dufault Robert, Can. J. Chem, 72 (1994) N 2, S 325-333
  作者：Schwan Adrian L., Brillon Denis, Dufault Robert

  DOI：——

  日期：——
• Characterisation of bis-methylgermanium and bis-methylsilicon carbodi-imides and their reactivity with protic reagents
  作者：John E. Drake、Raymond T. Hemmings、Ernest Henderson

  DOI：10.1039/dt9760000366

  日期：——

  bismethylsilicon carbodi-imides have been prepared in high yield by halide metathesis reactions with lead(II), silver(I), or silicon(IV) species. The new derivatives in the series of general formula (MenH3 –nMN:)2C (MSi or Ge; n= 1, 2 or 3) have been characterised by 1H n.m.r., i.r., and Raman spectroscopy as well as mass spectrometry and cleavage reactions. The utility of the germanium carbodi-imides as synthetic

  通过与铅（II），银（I）或硅（IV）物种进行卤化物易位反应，可以高收率制备双甲基锗和双甲基硅碳二亚胺。通式（Me n H 3 – n MN :）2 C（M Si或Ge；n = 1、2或3）系列中的新导数的特征是1H nmr，ir和Raman光谱以及质谱和裂解反应。第六种锗原子容易裂解Ge-N键，导致硫属锗烷及其相关衍生物的形成（Me n H 3 – n葛）2 E（E = O，S，Se或Te）和Me ñ ħ 3 - ñ GESR（R = Me中，卜吨，pH值，的MeC（O），或-CH 2 CH 2 - ）。比较研究表明，在碳碳化二亚胺硅中，Si-N键不易受较重的硫属元素醇分解的影响。