n-Butylarsin | 17753-29-6

• 分子结构分类: 有机化合物 - 有机金属化合物 - 有机类金属化合物
• 英文名称: n-Butylarsin
• 英文别名: Butylarsane；butylarsane
• CAS: 17753-29-6
• 化学式: C₄H₁₁As
• 分子量: 134.053
• InChiKey: IKNSKEGWDWIIJB-UHFFFAOYSA-N

物化性质

• 沸点：
  97.7±9.0 °C(Predicted)

计算性质

• 辛醇/水分配系数(LogP)：
  0.84
• 重原子数：
  5
• 可旋转键数：
  2
• 环数：
  0.0
• sp3杂化的碳原子比例：
  1.0
• 拓扑面积：
  0
• 氢给体数：
  0
• 氢受体数：
  0

反应信息

• 作为反应物：
  描述：

  n-Butylarsin 、 三甲基镓 在 金 作用下， 以 neat (no solvent) 为溶剂， 生成 gallium arsenide
  参考文献：
  名称：

  电接触 GaAs 和 Ge 纳米线器件的直写方法

  摘要：

  GaAs 和 Ge 纳米线 (NW) 中的电子传输和门控特性在间接或直接暴露于聚焦 Ga+ 离子束 (FIB) 后发生显着变化，例如用于产生与 NW 的 Pt 电接触的离子束。虽然这些结果挑战了先前报道的一些与使用 FIB 辅助生产触点和/或其引线的半导体 NW 的电子特性相关的工作中所做的假设，但局部电子束诱导沉积被证明是一种可靠且简便的途径，可用于生产稳健的以一种能够研究其实际载流子传输特性的方式与单个气相生长的 NW 进行电接触。

  DOI：

  10.1063/1.3441404

文献信息

• Organo-arsenverbindungen
  作者：A. Tzschach、W. Voigtländer

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)80840-2

  日期：1977.9

  Sodium phenylarside and sodium-n-butylarside react with chloro (bromo) carboxylic acids and their sodium salts, amides or esters in liquid ammonia to give the corresponding secondary arsino carboxylic acid derivatives. Their properties and reactions are described. In some cases the derivatives of arsindiyl-di-carboxylic acids are obtained as by-products due to transmetalation reactions.

  苯磺酸钠和正丁基磺酸钠与氯（溴）羧酸及其钠盐，酰胺或酯在液氨中反应，得到相应的仲砷基羧酸衍生物。描述了它们的性质和反应。在某些情况下，由于跨金属化反应，获得了作为副产物的亚砷二基-二羧酸衍生物。
• Tzschach,A.; Heinicke,J., Journal fur praktische Chemie (Leipzig 1954), 1973, vol. 315, p. 65 - 72
  作者：Tzschach,A.、Heinicke,J.

  DOI：——

  日期：——
• Organoarsen-Verbindungen
  作者：A. Tzschach、P. Franke

  DOI：10.1016/s0022-328x(00)84838-x

  日期：1974.11
• On direct-writing methods for electrically contacting GaAs and Ge nanowire devices
  作者：Guannan Chen、Eric M. Gallo、Jonadan Burger、Bahram Nabet、Adriano Cola、Paola Prete、Nico Lovergine、Jonathan E. Spanier

  DOI：10.1063/1.3441404

  日期：2010.5.31

  characteristics in GaAs and Ge nanowires (NWs) are altered significantly following either indirect or direct exposure to a focused Ga+ ion beam (FIB), such as that used to produce Pt electrical contacts to NWs. While these results challenge the assumptions made in some previously reported work relating to the electronic properties of semiconductor NWs using FIB-assisted production of contacts and/or their

  GaAs 和 Ge 纳米线 (NW) 中的电子传输和门控特性在间接或直接暴露于聚焦 Ga+ 离子束 (FIB) 后发生显着变化，例如用于产生与 NW 的 Pt 电接触的离子束。虽然这些结果挑战了先前报道的一些与使用 FIB 辅助生产触点和/或其引线的半导体 NW 的电子特性相关的工作中所做的假设，但局部电子束诱导沉积被证明是一种可靠且简便的途径，可用于生产稳健的以一种能够研究其实际载流子传输特性的方式与单个气相生长的 NW 进行电接触。